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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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在電源和電機驅(qū)動應(yīng)用中,功率MOS可以在不同的調(diào)制方式下,實現(xiàn)相應(yīng)的能量轉(zhuǎn)換功能。單個MOS驅(qū)動的結(jié)構(gòu)如圖1所示,通過MCU的 PWM模塊調(diào)整占空比,控...
國產(chǎn)化顯示器接口芯片:Type-C接口臺式顯示器方案
LDR6020P 是帶有 3 組 6 路 DRP USB-C通道(不需要另外像其他家方案需通過外圍去切換CC通道) 及 PD 通信協(xié)議處理模塊和 USB...
展嶸充電站測評:內(nèi)置電感電容,EM6911打造強勁充電“芯”模組
近期,鈺泰半導(dǎo)體推出了創(chuàng)新的充電“芯”模塊EM6911,這一內(nèi)部集成了大功率電感和電容的芯片,具備超小封裝,專為滿足智能終端產(chǎn)品小型化和便攜性的需求而設(shè)...
開關(guān)電源切載時MOS會有過充怎么辦?快來試試這個方法!
開關(guān)電源切載時MOS會有過充怎么辦?快來試試這個方法!我本次調(diào)試的樣機主控IC為思睿達主推的成都啟臣微的CR6842S,這是一款高度集成的電流控制型PW...
2024-09-24 標簽:開關(guān)電源MOS轉(zhuǎn)化器 1291 0
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(3)
在《IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型》中,我們將IGBT內(nèi)部PIN結(jié)切分成了PIN1和PIN2(見上一節(jié)插圖), 因為PIN1與溝槽所構(gòu)成的MOS串聯(lián)
同步整流降壓轉(zhuǎn)換器是一種高效率的DC-DC轉(zhuǎn)換器,它利用低導(dǎo)通電阻的功率MOSFET代替?zhèn)鹘y(tǒng)的二極管作為整流元件,以減少整流過程中的能量損耗。盡管同步整...
2024-02-26 標簽:MOS降壓轉(zhuǎn)換器同步整流 1268 0
愛美雅科技引領(lǐng)快充市場:TP44100內(nèi)置GaN MOS芯片的240W快充解決方案
在現(xiàn)代社會中,移動設(shè)備和電子產(chǎn)品已經(jīng)成為人們生活中不可或缺的一部分。然而,隨著電子產(chǎn)品的功能不斷增加,用戶對于快速充電的需求也越來越迫切。作為一家領(lǐng)先的...
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(3)
這里需要注意的是,載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零,反之亦然。對于PIN1結(jié)構(gòu),因為陽極和陰極的多子濃度遠大于少子濃度,所以可以忽略少子電流;
什么原因?qū)е驴刂菩」β薀o刷直流電機的MOS管被燒壞呢?若能夠提供詳細電路圖及各元器件的型號(比如MOS管型號等)更好,由于沒電路圖,下面對這部分設(shè)計MO...
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(2)
上一章講到了IGBT的飽和電流,與MOS的飽和電流之間存在圖片的倍數(shù)關(guān)系,這使得IGBT飽和電流比MOS大很多。
ASDM40P55KQ還具備其他令人印象深刻的特性。它具有低開關(guān)電阻和快速開關(guān)速度,可以在高電流負載下提供穩(wěn)定和可靠的性能。通過使用ASDM40P55K...
2023-06-03 標簽:MOSFET電源管理負載開關(guān) 1179 0
在上期的芝識課堂中,我們和大家簡單認識了邏輯IC的基本知識和分類,并且特別提到CMOS邏輯IC因成本、系統(tǒng)復(fù)雜度和功耗的平衡性最好,因此得到了最廣泛應(yīng)用...
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