開(kāi)關(guān)電源切載時(shí)MOS會(huì)有過(guò)充怎么辦？快來(lái)試試這個(gè)方法！

我本次調(diào)試的樣機(jī)主控IC為思睿達(dá)主推的成都啟臣微的CR6842S, 這是一款高度集成的電流控制型 PWM 控制器，可用于中型到大型的離線(xiàn)式電源轉(zhuǎn)化器。主要特點(diǎn)有：低啟動(dòng)電流、內(nèi)置軟啟動(dòng)、綠色模式獨(dú)有的變頻和跳頻工作模式。主要應(yīng)用于電源適配器及電池充電器。

【樣機(jī)圖片】

【輸出規(guī)格】67V2A

我們都知道開(kāi)關(guān)MOS管是開(kāi)關(guān)電源中除主控IC外最關(guān)鍵的一個(gè)器件，如果MOS管損壞了，那么整個(gè)電源將完全失效，還有可能會(huì)導(dǎo)致交流短路，這是十分危險(xiǎn)的，MOS擊穿以后也會(huì)導(dǎo)致周?chē)淮笃骷p壞，排查起來(lái)也十分麻煩，所以預(yù)防MOS損壞就十分重要了，那么大家有沒(méi)有遇到過(guò)空載切滿(mǎn)載時(shí) MOS波形會(huì)有過(guò)沖的現(xiàn)象呢，下面我將分享一個(gè)能解決此現(xiàn)象的一個(gè)方法。

可以看到在沒(méi)改動(dòng)之前MOS波形在空載切滿(mǎn)載時(shí)MOS會(huì)有過(guò)沖的現(xiàn)象，然后再慢慢下來(lái)，雖然只有短短1~2秒鐘，但是如果此時(shí)MOS正好處與較為臨界的狀態(tài)下的話(huà)，就會(huì)有超出MOS耐壓值的風(fēng)險(xiǎn)，一般我們常用的MOS耐壓值為650V，以下波形為220VAC輸入時(shí)的MOS波形，最高值已經(jīng)高達(dá)610V，那么在264VAC輸入時(shí)就很有可能會(huì)超過(guò)MOS耐壓值。

那么如何解決這一問(wèn)題呢？其實(shí)很有可能是光耦1腳，也就是供電腳的電阻（下圖的R17）取值不對(duì)造成的

此電阻為給光耦供電的電阻，可以看到它是直接接到輸出上的，也承擔(dān)分壓的作用，輸出電壓越大的話(huà)這顆電阻的取值就要越大，否則就會(huì)出現(xiàn)上述情況，一般輸出電壓較低的機(jī)子（如12V、24V）取值一般為3-5KΩ，再大的話(huà)（如48V、72V），就要取10K以上才能保證光耦的供電在正常范圍（一般光耦1腳耐壓為36V）， 輸出電壓過(guò)大的情況下也可串聯(lián)一個(gè)36V以下的穩(wěn)壓管進(jìn)行穩(wěn)壓。原機(jī)該電阻用的是1K，顯然太小了，根據(jù)經(jīng)驗(yàn)我取了一顆15K電阻，也可根據(jù)公式算出一個(gè)大概值：

R=Vo-光耦正向?qū)▔航?Vka/1.5/2，其中光耦正向?qū)▔航禐?.2-1.4V，Vka為431的V級(jí)和K級(jí)之間的比較電壓，一般Vka>=2.5V.

（67-1.4-2.5）/1.5=42K，為了保留余量這個(gè)值還要再除以2，所以R=21K，該67V輸出的電源光耦供電電阻取值最大可取21K，留余量是因?yàn)楣怦钍且粋€(gè)發(fā)光二極管，會(huì)有一定的光衰。

修改后的MOS波形如下：

可以看到修改后的MOS波形已經(jīng)沒(méi)有了明顯的過(guò)沖，220VAC輸入時(shí)MOS尖峰僅為540V左右，即使是264VAC輸入也會(huì)在安全范圍內(nèi)。

至此這個(gè)電源的一個(gè)炸機(jī)風(fēng)險(xiǎn)已排除，可以看到該方法的優(yōu)化還是挺大的，大家如果遇到類(lèi)似情況也可嘗試此方法，也歡迎大家一起交流有關(guān)開(kāi)關(guān)電源調(diào)試方面的問(wèn)題。