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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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廣電計(jì)量|功率場(chǎng)效應(yīng)管過(guò)壓失效機(jī)理及典型特征分析
失效分析最常觀察到的現(xiàn)象是EOS過(guò)電失效,分為過(guò)壓失效及過(guò)流失效的兩種失效模式。對(duì)于以功率器件為代表的EOS過(guò)電失效樣品,其失效表征往往表現(xiàn)為芯片的大面...
2024-09-18 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS失效機(jī)理 1518 0
其利天下技術(shù)·如何讓MOS管快速開(kāi)啟和關(guān)閉?·BLDC驅(qū)動(dòng)方案開(kāi)發(fā)
關(guān)于MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),本文談一談如何讓MOS管快速開(kāi)啟和關(guān)閉。一般認(rèn)為MOSFET(MOS管)是電壓驅(qū)動(dòng)的,不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而,在MOS管的G極和...
半導(dǎo)體器件中材料、工藝結(jié)構(gòu)、模型之間的關(guān)系
為了延續(xù)傳統(tǒng)平面型晶體管制造技術(shù)的壽命,彌補(bǔ)關(guān)鍵尺寸縮小給傳統(tǒng)平面型晶體管帶來(lái)的負(fù)面效應(yīng),業(yè)界研究出了很多能夠改善傳統(tǒng)平面型晶體管性能的技術(shù)。
仁懋MOSFET:為房車(chē)儲(chǔ)能系統(tǒng)注入強(qiáng)勁動(dòng)力
仁懋MOSFET:為房車(chē)儲(chǔ)能系統(tǒng)注入強(qiáng)勁動(dòng)力MOT“露營(yíng)經(jīng)濟(jì)”持續(xù)火熱,咨詢(xún)報(bào)告顯示,2022年中國(guó)“露營(yíng)經(jīng)濟(jì)”核心市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1134.7億元,同比增長(zhǎng)...
DIP-8封裝內(nèi)置4A MOS的電源芯片U6237D介紹
芯片封裝可以起到保護(hù)芯片的作用,相當(dāng)于是芯片的外殼,不僅能固定、密封芯片,還能增強(qiáng)其電熱性能。所以,封裝對(duì)CPU和其他大規(guī)模集成電路起著非常重要的作用。...
2023-07-14 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源封裝MOS 1473 0
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(2)
上一節(jié)的分析中,僅考慮了PIN1,而未考慮PIN2。PIN1與MOS結(jié)構(gòu)相連接,而PIN2則與基區(qū)相連接。
LEAD-TECK領(lǐng)泰超高性?xún)r(jià)比LT領(lǐng)泰雙P電源MOS LT4953SQ參數(shù)介紹
LEAD-TECK領(lǐng)泰超高性?xún)r(jià)比LT領(lǐng)泰雙P電源MOS LT4953SQ參數(shù)介紹
兼容IP5303 IP5305 1A同步升壓 移動(dòng)電源管理方案
TP4333是一款專(zhuān)為移動(dòng)電源設(shè)計(jì)的同步升壓的單芯片解決方案,內(nèi)部集成了線性充電管理模塊、同步放電管理模塊、電量檢測(cè)與LED指示模塊、保護(hù)模塊。TP43...
2024-06-14 標(biāo)簽:MOS移動(dòng)電源移動(dòng)電源管理 1406 0
mos驅(qū)動(dòng)芯片失調(diào)電壓的產(chǎn)生原因
MOS驅(qū)動(dòng)芯片,也稱(chēng)為MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,是一種用于驅(qū)動(dòng)MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的集成電路。 MOSFET簡(jiǎn)介 MOSFET是一種...
2024-07-14 標(biāo)簽:MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)芯片 1390 0
ARK(方舟微)的MOSFET產(chǎn)品簡(jiǎn)介和常見(jiàn)問(wèn)題解答
ARK(方舟微)研發(fā)銷(xiāo)售的MOS產(chǎn)品主要以N溝道-耗盡型MOSFET為主(包括具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高閾值電壓(UltraVt?)耗盡型MOSFET系列產(chǎn)品...
SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動(dòng),相電流監(jiān)測(cè)2
開(kāi)關(guān)元器件的和嚴(yán)格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開(kāi)關(guān)器件,其開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間不是嚴(yán)格一致的,如果兩端有電壓,將導(dǎo)致直流電源短路,損壞橋臂...
2023-04-24 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)IGBTMOS 1385 0
其利天下技術(shù)·mos管和IGBT有什么區(qū)別
MOS管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)和IGBT(Insulated-GateBip...
淺析Boost轉(zhuǎn)換器為適配不同的應(yīng)用有著全面的產(chǎn)品解決方案
電子產(chǎn)品中,總是可見(jiàn)DC-DC轉(zhuǎn)換器的身影,DC-DC轉(zhuǎn)換器的使用有利于簡(jiǎn)化電源電路設(shè)計(jì),縮短研制周期,實(shí)現(xiàn)最佳指標(biāo)。
2022-07-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器DC-DCBoost 1373 0
一概述 清洗行業(yè)隨著高壓水槍清洗機(jī)的出現(xiàn),逐漸取代傳統(tǒng)的機(jī)械清洗和化學(xué)清洗方式,以高壓水槍清洗機(jī)為主流的清洗行業(yè)逐漸形成科學(xué)、環(huán)保、高效率的清洗特點(diǎn),高...
異步整流主要由一個(gè)高邊MOS管和一個(gè)續(xù)流二極管構(gòu)成。這種整流方式之所以被稱(chēng)為異步,是因?yàn)槠淅m(xù)流過(guò)程是自然發(fā)生的,與同步整流相比,它具有不同的工作原理。 ...
電子元器件有著不同的封裝類(lèi)型,不同類(lèi)的元器件外形雖然差不多,但內(nèi)部結(jié)構(gòu)及用途卻大不同,譬如TO220封裝的元件可能是三極管、可控硅、場(chǎng)效應(yīng)管甚至是雙二極管。
靜電放電的產(chǎn)生有兩個(gè)基本條件,一. 是電荷的積累,電荷的積累是前提,然后是“跨接”,電荷的劇烈流動(dòng)就是放電。所以從這兩個(gè)方面就行控制就能有效地防護(hù)靜電放...
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