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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

功率器件的分類及對比分析

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作為新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件,新能源汽車產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為功率器件需求增加最快的領(lǐng)域,并且將進(jìn)一步保持增長到2025年將成為需求量最大的領(lǐng)域。

2023-09-15 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFET逆變器 1665 0

IGBT模塊的反向恢復(fù)現(xiàn)象

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2025-03-13 標(biāo)簽:二極管IGBT續(xù)流二極管 1662 0

變頻器和電動機(jī)簡述

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2023-03-28 標(biāo)簽:晶閘管變頻器電動機(jī) 1661 0

功率循環(huán)對IGBT壽命有何影響?如何準(zhǔn)確估算功率器件的壽命呢?

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運行過程中產(chǎn)生的高結(jié)溫和高溫度梯度會引起機(jī)械應(yīng)力,尤其是在具有不同熱膨脹系數(shù)的材料之間的接觸面上,這可能導(dǎo)致這些器件性能退化甚至完全失效。

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IGBT是什么驅(qū)動型器件

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了絕緣柵場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極型晶體...

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近年IGBT這個專業(yè)名詞非常的熱。電子、半導(dǎo)體、汽車、能源、電力、控制系統(tǒng)等行業(yè),好像都涉及到了這個名詞。

2024-04-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體導(dǎo)通電阻IGBT 1641 0

IGBT芯片主要用在哪兒

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如今全球的汽車已經(jīng)進(jìn)入到智能化時代,汽車對于芯片的需求劇烈增加,以往一個傳統(tǒng)汽車需要的芯片數(shù)量是在五六百顆,到如今一臺具備L2駕駛級別的高配燃油車就需要...

2024-01-03 標(biāo)簽:新能源汽車半導(dǎo)體cpu 1637 0

新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)

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高比例新能源的技術(shù)挑戰(zhàn)在于抗擾性弱,暫態(tài)電壓失穩(wěn),慣量缺失。新能源滲透率提高,電網(wǎng)強度下降,暫態(tài)穩(wěn)定性問題更加凸顯。Grid Forming構(gòu)網(wǎng)技術(shù)是解...

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IGBT窄脈沖現(xiàn)象的原因

IGBT作為一種功率開關(guān),從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時間,就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣,過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震...

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igbt導(dǎo)通后,流過它的電流由什么決定

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)導(dǎo)通后,流過它的電流由多個因素共同決定,主要包括以下幾...

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2023-11-22 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)電壓IGBT 1604 0

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