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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率電子器件,廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。在這些應(yīng)用中,IGBT需要承受高電壓、大電流和高頻率的...
茂睿芯MD18011X單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器簡(jiǎn)介
MD18011X,光耦兼容的單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器系列,是茂睿芯功率驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品推出的新型產(chǎn)品系列,可廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、光伏逆變器、伺服、變頻器等系統(tǒng)。它...
2023-10-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1491 0
想要從零了解汽車電控IGBT模塊看這一篇就夠了!根據(jù)乘聯(lián)會(huì)數(shù)據(jù),2022年6月新能源車國(guó)內(nèi)零售滲透率27.4%,并且2022年6月29日歐盟對(duì)外宣布,歐...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)作為電力電子裝置中的核心器件,其性能的穩(wěn)定性和可靠性對(duì)...
基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)
功率模塊從硅IGBT技術(shù)過渡到基于SiC MOSFET技術(shù)是不可避免的。然而,從硅IGBT時(shí)代留下來的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術(shù)的商業(yè)化,因?yàn)樗鼈?..
柵極環(huán)路電感對(duì)IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響簡(jiǎn)析
IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
2024-03-12 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器電磁兼容IGBT 1477 0
隔離驅(qū)動(dòng)IGBT的設(shè)計(jì)技巧
隔離驅(qū)動(dòng)IGBT的意義在于,它可以將低電壓的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為高電壓的控制信號(hào),從而控制IGBT晶體管的開關(guān),從而實(shí)現(xiàn)高效的電力控制。
2023-02-15 標(biāo)簽:IGBT控制信號(hào)隔離驅(qū)動(dòng) 1475 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由 BJT(雙極型三極管)和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效...
PWM是脈寬調(diào)制,在電力電子中,最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。對(duì)三相電來說,就需要三個(gè)橋臂。 以兩電平為例,每個(gè)橋臂上有兩個(gè)電力電...
上期EV焦點(diǎn)欄目 我們聊了聊電動(dòng)汽車為什么要上800V,也大致了解了SiC和800V互相成就的關(guān)系。今天這期,我們相對(duì)放大一下,聊聊SiC在電動(dòng)汽車上的應(yīng)用。
2024-01-02 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET電池充電 1463 0
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(2)
上一節(jié)的分析中,僅考慮了PIN1,而未考慮PIN2。PIN1與MOS結(jié)構(gòu)相連接,而PIN2則與基區(qū)相連接。
600V、20A型號(hào)參數(shù),樹墻修剪機(jī)電機(jī)IGBT型號(hào)推薦FHF20T60A型號(hào)代換!
樹墻修剪機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路想在市場(chǎng)中獲得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),選擇優(yōu)質(zhì)的IGBT是非常重要的。市場(chǎng)中FHF20T60A的IGBT單管是優(yōu)質(zhì)代換NCE20TD60BF參...
2023-05-30 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電機(jī)IGBT 1456 0
CM3003:高性價(jià)比MOS管/IGBT管柵極驅(qū)動(dòng)器
摘要:CM3003是一款高性價(jià)比的MOS管和IGBT管柵極驅(qū)動(dòng)器芯片,具有邏輯信號(hào)輸入處理、欠壓保護(hù)、電平位移、脈沖濾波和輸出驅(qū)動(dòng)等功能。該芯片適用于無...
2023-06-08 標(biāo)簽:MOS管IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 1450 0
IGBT開關(guān)式自并激微機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)的原理及應(yīng)用
IGBT開關(guān)式自并激微機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)的原理及應(yīng)用 本文以HWKT—09型微機(jī)勵(lì)磁調(diào)節(jié)器為例,詳盡地闡述了IGBT開關(guān)式自并激微機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)的基本原理,并重點(diǎn)...
2009-11-13 標(biāo)簽:IGBT 1449 0
我們都知道,電機(jī)驅(qū)動(dòng)是IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一。
2023-02-07 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 1447 0
IGBT的G極電壓影響因素、測(cè)量方法及應(yīng)用
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種電力電子器件,它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極型晶體管(BJT)的優(yōu)點(diǎn)。IGBT在許多領(lǐng)域中...
高壓電源轉(zhuǎn)換的電源效率?影響高壓電源轉(zhuǎn)換效率的主要因素
高壓電源轉(zhuǎn)換的電源效率是指在電源將高壓輸入轉(zhuǎn)換為所需的輸出電壓時(shí),能夠?qū)⒍嗌佥斎牍β兽D(zhuǎn)化為有用的輸出功率的比例。
2023-09-04 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電源轉(zhuǎn)換器 1445 0
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