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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)仿真—逆變器模型(2)
三相兩電平逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下圖所示,由3個(gè)H半橋組成,因此直流側(cè)正母線電流i_p為三個(gè)H半橋的正母線電流之和,直流負(fù)母線電流i_n為三個(gè)H半橋的負(fù)母線電流之和。
2023-06-25 標(biāo)簽:永磁同步電機(jī)逆變器仿真器 1599 0
連續(xù)幾個(gè)月都在討論仿真的學(xué)習(xí)方法和內(nèi)在原則,未來(lái)在尺度方面還會(huì)有繼續(xù)的引申。這一類文章更適合于有仿真經(jīng)驗(yàn)的學(xué)習(xí)者。
功率器件,特別是如功率MOSFET和IGBT等,在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們的開關(guān)波形分析對(duì)于理解器件性能、優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)...
ROHM BM6337x/BM6357x系列如何解決開發(fā)背景中出現(xiàn)的各種問題呢?
BM6337x/BM6357x系列最重要的亮點(diǎn)是同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的降噪性能和低損耗性能。
IGBT過(guò)流保護(hù)技術(shù)在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時(shí)間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶...
2022-07-13 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT晶體管 1590 0
IGBT 模塊封裝采用了膠體隔離技術(shù),防止運(yùn)行過(guò)程中發(fā)生爆炸;第二是電極結(jié)構(gòu)采用了彈簧結(jié)構(gòu),可以緩解安裝過(guò)程中對(duì)基板上形成開裂,造成基板的裂紋;第三是對(duì)...
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 近日推出針對(duì)感應(yīng)加熱、不間斷電源(UPS)...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件,其性能和可靠性在很大程度上取決于柵極電阻的選擇。如果IGBT的柵極電阻過(guò)小,可能會(huì)對(duì)...
與MOS不同,IGBT高溫/常溫輸出特性曲線為何有交點(diǎn)?
其中本征載流子濃度ni隨溫度升高而急劇增大,導(dǎo)致Vbi隨溫度升高而減小,呈現(xiàn)負(fù)的溫度系數(shù)。
詳解IGBT并聯(lián)的技術(shù)要點(diǎn)(2)
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來(lái)處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載,并聯(lián)器件可以是分立封裝器件,也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流...
請(qǐng)問一下IGBT是如何實(shí)現(xiàn)電路控制的?
絕緣柵雙極晶體管(英語(yǔ):Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT),是半導(dǎo)體器件的一種,主要用于新能源電動(dòng)汽車、及...
2023-08-11 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1560 0
IGBT能替換FGH40N60SFD型號(hào)應(yīng)用于破壁機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng)嗎?
FHA40T65A是一款場(chǎng)N溝道溝槽柵截止型IGBT,使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通過(guò)優(yōu)化工藝,來(lái)獲得極低的 V...
2023-02-19 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 1556 0
整流器(轉(zhuǎn)換器)是變頻器主電源中的三個(gè)主要部分之一。輸入的交流電通過(guò)轉(zhuǎn)換器部分,被整流為直流電壓。轉(zhuǎn)換器部分由二極管、可控硅整流器組成或者連接全波橋的絕...
2023-09-21 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器整流器 1551 0
IGBT導(dǎo)熱機(jī)理及導(dǎo)熱材料的作用
根據(jù) IGBT 熱傳導(dǎo)示意圖所示,芯片內(nèi)損耗產(chǎn)生的熱能通過(guò)芯片傳到外殼底座,再由外殼將少量的熱量直接傳到環(huán)境中去(以對(duì)流和輻射的形式),而大部分熱量通過(guò)...
IGBT和SiC功率模塊封裝用的環(huán)氧材料在現(xiàn)代電子器件中起著至關(guān)重要的作用。以下是從多個(gè)角度對(duì)這些環(huán)氧材料的詳細(xì)分析:1.熱管理導(dǎo)熱性能:環(huán)氧樹脂需要具...
碳化硅MOSFET的應(yīng)用場(chǎng)景及其影響
碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無(wú)限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)...
請(qǐng)問DIPIPM?的特殊應(yīng)用都有哪些呢?有哪些注意事項(xiàng)?
應(yīng)該很多用戶都注意到了,目前的DIPIPM都是3相橋電路。如果我只需要兩個(gè)橋臂做一個(gè)H橋的電源,應(yīng)該怎么弄呢?今天我們就來(lái)聊聊這個(gè)問題。
2023-08-11 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器仿真器IGBT 1535 0
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