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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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FHA75T65A是一款N溝道溝槽柵截止型IGBT,使用Trench Field stop technology 和通過優(yōu)化工藝,來獲得極低的 VCE...
2023-05-09 標(biāo)簽:IGBT快恢復(fù)二極管光伏逆變器 1820 0
FHA40T65A是一款場N溝道溝槽柵截止型IGBT,使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通過優(yōu)化工藝,來獲得極低的 V...
在電力電子領(lǐng)域,例如在驅(qū)動技術(shù)中,IGBT經(jīng)常用于高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管是電壓控制的,在開關(guān)過程中產(chǎn)生其主要損耗。為了最大限度地降低開關(guān)損耗...
IGBT/MOSFET等全控型開關(guān)器件在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用日趨廣泛,相應(yīng)的驅(qū)動芯片集成度也越來越高,其中欠壓保護功能由于可以防止開關(guān)管在門極電壓較...
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)與IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)在光伏行業(yè)中都是非常重要的分立器件。
2023-08-11 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管光伏 1805 0
對于快速二極管器件,損耗和反向恢復(fù)軟度仍然是匹配新的ET-IGBT性能的關(guān)鍵性能指標(biāo)。場充電提?。‵CE)概念表明,極端開關(guān)條件下的軟恢復(fù)性能加上低損耗...
變頻調(diào)速電機是由變頻器、電纜和電機組成的。變頻器的核心控制部件有BJT(雙極晶體管)、IGBT(絕緣柵)等多種類型,其中IGBT具有驅(qū)動簡單、易于保護和...
2023-03-15 標(biāo)簽:變頻器IGBT脈寬調(diào)制 1797 0
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)速度等特點。然而,IGBT在長時間工作過程中,...
MOSFET和IGBT設(shè)計高性能自舉式柵極驅(qū)動電路設(shè)計指南
驅(qū)動電路和以兩個輸入電壓作為擺幅的偏置電路,都與器件的源極軌連。但是,驅(qū)動電路和它的浮動偏置可以通過低壓電路實現(xiàn),因為輸入電壓不會作用到這些電路上。
但嚴(yán)格定義上講,根據(jù)進精電動招股說明書,電驅(qū)動系統(tǒng)包括三大總成:驅(qū)動電機總成(將動力電池的電能轉(zhuǎn)化為旋轉(zhuǎn)的機械能,是輸出動力的來源)、控制器總成(基于功...
2023-06-09 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT電驅(qū)系統(tǒng) 1788 0
經(jīng)常聽到功率循環(huán)這個實驗,總覺得這個不是很簡單嗎,不就是IGBT溫度在一定范圍波動,然后經(jīng)過幾萬次循環(huán),再測試IGBT的Vcesat或Rth是否異常來確...
半導(dǎo)體IGBT采用銀燒結(jié)工藝(LTJT)的優(yōu)勢探討
隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力轉(zhuǎn)換與能源管理領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。其中,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以其顯著優(yōu)點在功率半導(dǎo)體器件中...
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