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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)功率模塊作為電力電子系統(tǒng)中的核心部件,其散熱問(wèn)題直接影響到系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性和效率。以下是對(duì)IGBT功率模塊散熱問(wèn)題的詳...
英飛凌車(chē)規(guī)級(jí)IGBT功率模塊FF300R08W2P2_B11A產(chǎn)品概述
英飛凌車(chē)規(guī)級(jí)IGBT功率模塊FF300R08W2P2_B11A,這款750V模塊是英飛凌著名的“EasyPACK?”產(chǎn)品家族中的最新成員,它基于EDT2...
與傳統(tǒng)單面散熱 IGBT 模塊不同,雙面散熱汽車(chē) IGBT 模塊同時(shí)向正、反兩面?zhèn)鲗?dǎo)熱量,其熱測(cè)試評(píng)估方式需重新考量。本文進(jìn)行雙面散熱汽車(chē) IGBT 模...
公共阻抗耦合: 當(dāng)兩個(gè)電路的地電流流過(guò)一個(gè)公共阻抗時(shí) ,就會(huì)發(fā)生公共阻抗耦合 。由于地線是信號(hào)回流線 ,一個(gè)電路的工作 狀態(tài)必然會(huì)影響地線電壓 , 當(dāng)兩...
2024-03-13 標(biāo)簽:MOSFET電磁兼容開(kāi)關(guān)電源 1875 0
如何為IGBT提供合適柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器
在開(kāi)關(guān)期間,晶體管會(huì)處于同時(shí)施加了高電壓和高電流的狀態(tài)。根據(jù)歐姆定律,這將導(dǎo)致一定的損耗,具體取決于這些狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間(參見(jiàn)圖2)。目標(biāo)是要最大程度地減...
2019-10-10 標(biāo)簽:IGBT總線柵極驅(qū)動(dòng)器 1874 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件,因其高效率和快速開(kāi)關(guān)特性而受到青睞。
功率器件封裝結(jié)構(gòu)散熱設(shè)計(jì)原則
針對(duì)功率器件的封裝結(jié)構(gòu),國(guó)內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)和 企業(yè)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面進(jìn)行了大量的理論研究和開(kāi) 發(fā)實(shí)踐,多種結(jié)構(gòu)封裝設(shè)計(jì)理念被國(guó)內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)提出并研究,一些結(jié)構(gòu)設(shè)...
選擇IGBT的基本原則涉及以下幾個(gè)方面: 電壓等級(jí):選擇合適的IGBT要考慮其能夠承受的電壓等級(jí)。通常情況下,IGBT的額定電壓等級(jí)應(yīng)大于實(shí)際電路中的最...
車(chē)規(guī)級(jí)IGBT功率模塊散熱基板技術(shù)
散熱基板是IGBT功率模塊的核心散熱功能結(jié)構(gòu)與通道,也是模塊中價(jià)值占比較高的重要部件,車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊散熱基板必須具備良好的熱傳導(dǎo)性能、與芯片和覆銅...
2023-07-06 標(biāo)簽:IGBT功率模塊功率半導(dǎo)體 1847 0
可能會(huì)出現(xiàn)尖峰和低峰現(xiàn)象。IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和B...
變頻器的參數(shù)設(shè)定 變頻器制動(dòng)方法的選擇
變頻器的參數(shù)設(shè)定在調(diào)試過(guò)程中是十分重要的。由于參數(shù)設(shè)定不當(dāng),不能滿(mǎn)足生產(chǎn)的需要,導(dǎo)致起動(dòng)、制動(dòng)的失敗,或工作時(shí)常跳閘,嚴(yán)重時(shí)會(huì)燒毀功率模塊IGBT或整流...
功率器件的封裝正朝著小體積和3D封裝發(fā)展,在工作損耗不變的情況下,使得器件的發(fā)熱功率密度變得更大,在熱導(dǎo)率和熱阻相同的情況下,會(huì)使得封裝體和裸芯的溫度更...
本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進(jìn)的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比,該模塊采用了...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極性晶體管)被廣泛應(yīng)用于高壓和高頻率的功率電子領(lǐng)域,例如電力傳輸、...
由于逆變電源在電路中肩負(fù)著直流和交流之間的轉(zhuǎn)換,所以其安全性就顯得尤為重要。如果逆變電源出現(xiàn)短路的情況,那么就有可能出現(xiàn)燒毀的情況,想要有效避免短路情況...
光伏逆變器的分類(lèi)、構(gòu)成及保護(hù)技術(shù)
自20世紀(jì)70年代全球爆發(fā)石油危機(jī)以來(lái),太陽(yáng)能光伏發(fā)電技術(shù)引起了各國(guó)高度重視,光伏行業(yè)在全球迅速發(fā)展,經(jīng)過(guò)多年的研究和技術(shù)開(kāi)發(fā),太陽(yáng)能光伏組件價(jià)格已大幅...
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