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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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PN結(jié)是半導(dǎo)體的基礎(chǔ),摻雜是半導(dǎo)體的靈魂,先明確幾點(diǎn)。
兼顧高耐壓與低Vce(sat)性能的650V場(chǎng)截止溝槽式IGBT受熱捧
絕緣閘雙極電晶體(IGBT)是一種少數(shù)載子功率元件,擁有高輸入阻抗和高雙極電流功能,這些特性使其適用于多種電力電子產(chǎn)品,特別是馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、不斷電系統(tǒng)(U...
2013-08-28 標(biāo)簽:IGBT 2092 0
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(1)
在前面關(guān)于PIN&MOS模型分析中,特別強(qiáng)調(diào)了這個(gè)模型所存在的一個(gè)短板,即所有電流都通過(guò)MOS溝道,實(shí)際上只有電子電流通過(guò)MOS溝道,而空穴電流...
為電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供動(dòng)力的功率MOSFET
功率 MOSFET 是最常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體,主要原因是因?yàn)槠鋿艠O驅(qū)動(dòng)需要的功率小、以及快速的切換速度,使其成為電機(jī)驅(qū)動(dòng)時(shí)最常用的功率半導(dǎo)體。本文將為您簡(jiǎn)介...
2022-09-27 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 2076 0
在當(dāng)今的半導(dǎo)體市場(chǎng),公司成功的兩個(gè)重要因素是產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。而這兩者是相互關(guān)聯(lián)的,可靠性體現(xiàn)為在產(chǎn)品預(yù)期壽命內(nèi)的長(zhǎng)期質(zhì)量表現(xiàn)。任何制造商要想維續(xù)經(jīng)營(yíng),...
如何利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置?
利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路,改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置,即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管(下文簡(jiǎn)稱FRD)的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。
FCL的基本工作原理是通過(guò)快速改變電路的阻抗來(lái)限制故障電流。它通常由電力電子器件(如IGBT、MOSFET等)及其控制電路組成。
2024-02-06 標(biāo)簽:MOSFETIGBT發(fā)電機(jī) 2069 0
同惠TH2638A高速精密電容測(cè)量?jī)x應(yīng)用于新能源汽車
目前,新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革正在蓬勃發(fā)展,新能源汽車以其低碳、環(huán)保、低成本的優(yōu)勢(shì)受到消費(fèi)者的青睞。
2022-09-14 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT測(cè)量?jī)x 2069 0
背后功率器件那些事兒:MOSFET、IGBT及碳化硅的應(yīng)用
當(dāng)充電樁向高壓架構(gòu)發(fā)展的趨勢(shì)越來(lái)越明顯,高性能MOSFET的需求也越來(lái)越大,通過(guò)改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)的超級(jí)結(jié)MOSFET應(yīng)運(yùn)而生了。
在當(dāng)代高科技領(lǐng)域中,絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)無(wú)疑是一顆耀眼的明星,其在電力控制、能源轉(zhuǎn)換和工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域的不可替代地位,讓人們對(duì)其發(fā)展歷史產(chǎn)生濃厚...
IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)(1)
我們常說(shuō)IGBT是由BJT(雙極型晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)所構(gòu)成
2023-11-28 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管IGBT 2064 0
智能IGBT在汽車點(diǎn)火系統(tǒng)中的應(yīng)用
智能IGBT在汽車點(diǎn)火系統(tǒng)中的應(yīng)用 要產(chǎn)生火花,你所需的器件包括電源、電池、變壓器(即點(diǎn)火線圈),以及用于控制變壓器初級(jí)電流的開(kāi)關(guān)。電子...
2010-01-04 標(biāo)簽:IGBT汽車點(diǎn)火 2062 0
汽車IGBT模塊功率循環(huán)試驗(yàn)設(shè)計(jì)
服役狀態(tài)下的 IGBT 模塊處于亞穩(wěn)定狀態(tài),其材料和結(jié)構(gòu)會(huì)隨著時(shí)間的推移發(fā)生狀態(tài)改變或退化。IGBT 模塊在整個(gè)壽命周期內(nèi),會(huì)經(jīng)歷數(shù)萬(wàn)至數(shù)百萬(wàn)次的溫度循...
我們知道本征半導(dǎo)體是不導(dǎo)電的,好比純水的導(dǎo)電性不強(qiáng),想要它導(dǎo)電,就摻上雜質(zhì)。讓水導(dǎo)電就給他加鹽,產(chǎn)生離子,讓半導(dǎo)體導(dǎo)電,就摻上三價(jià)或者五價(jià)元素,形成空穴...
變頻驅(qū)動(dòng)器VFD/IGBT逆變器的過(guò)壓保護(hù)6KV介紹
在所有工業(yè)控制系統(tǒng)中,變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD)/逆變器通常安裝在電動(dòng)機(jī)的前端,以調(diào)節(jié)速度并節(jié)省能源。
2023-03-30 標(biāo)簽:電動(dòng)機(jī)逆變器IGBT 2045 0
IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器: TLP2451
隨著系統(tǒng)尺寸的進(jìn)一步減小,封裝密度進(jìn)一步升高,工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域?qū)δ芷骷母邷夭僮餍枨笤絹?lái)越大。東芝新推出一系列采用小型SO8封裝的IC光電耦合器,這款產(chǎn)品...
IGBT模塊關(guān)斷電阻對(duì)關(guān)斷尖峰的非單調(diào)性影響
在IGBT模塊的使用過(guò)程中,關(guān)斷時(shí)刻的電壓尖峰限制著系統(tǒng)的工作電壓,特別在高壓平臺(tái)的應(yīng)用中對(duì)于模塊電壓尖峰要求更高
2023-10-10 標(biāo)簽:IGBTMOS驅(qū)動(dòng)電路 2033 0
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