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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC...
2023-02-10 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)MOSFETIGBT 2251 0
淺談開(kāi)關(guān)模式電源電路中運(yùn)行的IGBT數(shù)值算法
該分析描述了一種用于確定IGBT損耗的數(shù)值算法。諸如MathCAD?之類的數(shù)學(xué)工作表程序可用于此應(yīng)用程序。
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結(jié)構(gòu)原因產(chǎn)生的電容,這些電容會(huì)影響IGBT的...
新650V場(chǎng)截止IGBT給感應(yīng)加熱應(yīng)用領(lǐng)域注入光明前景
IGBT是感應(yīng)加熱系統(tǒng)中的關(guān)鍵功率半導(dǎo)體器件,采用合適的IGBT能夠提供低功率損耗以實(shí)現(xiàn)高效率,同時(shí)具備高可靠性以便電磁爐在壽命期內(nèi)正常工作。
2014-09-05 標(biāo)簽:IGBT感應(yīng)加熱場(chǎng)截止IGBT 2236 0
IGBT的開(kāi)關(guān)過(guò)程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開(kāi)通與關(guān)斷就相當(dāng)于對(duì)CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGB...
IGBT工作原理與MOSFET的關(guān)聯(lián)
IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高...
共讀好書(shū) 文章大綱 IGBT是電子電力行業(yè)的“CPU” ? ? ?? · IGBT是功率器件中的“結(jié)晶” ? ? ? ?· IGBT技術(shù)不斷迭代,產(chǎn)品推...
2024-07-21 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 2227 0
功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模分析和應(yīng)用領(lǐng)域
功率器件包括二極管、晶體管和晶閘管三大類,其中晶體管市場(chǎng)份額最大,常見(jiàn)的晶體管主要包括MOSFET、IGBT、BJT等。功率 IC是指將高壓功率器件與其...
碳化硅和IGBT器件的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢(shì)
本文探討了碳化硅和IGBT器件在未來(lái)的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢(shì),以及如何通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新和優(yōu)化來(lái)滿足不同應(yīng)用的需求。其中,英飛凌作為國(guó)際品牌的代表,其第四代產(chǎn)品已...
IGBT在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中所發(fā)揮的作用非常重要,IGBT的性能影響著電機(jī)驅(qū)動(dòng)的穩(wěn)定性。
2023-12-05 標(biāo)簽:保護(hù)電路電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 2211 0
第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢(shì)引領(lǐng)功率器件新變革。
東芝IGBT GT30J110SRA在家電產(chǎn)品中的應(yīng)用
提及IGBT應(yīng)該每一個(gè)電子工程師都不會(huì)陌生,IGBT是由BJT(雙極晶體管)和MOS(絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。從功...
IGBT功能是什么?IGBT市場(chǎng)的供需情況如何?
為什么IGBT和碳中和形成相關(guān)關(guān)系,我認(rèn)為清潔能源的大規(guī)模推廣,對(duì)IGBT提出更高的需求,最典型就是光伏逆變器的應(yīng)用,這里面需要大量高壓,超高壓的IGB...
2022-12-27 標(biāo)簽:IGBT 2203 0
IGBT焊機(jī)驅(qū)動(dòng)波形的正常表現(xiàn)及影響因素
IGBT焊機(jī)是一種高效、節(jié)能的焊接設(shè)備,廣泛應(yīng)用于各種金屬焊接領(lǐng)域。IGBT焊機(jī)的驅(qū)動(dòng)波形對(duì)于焊接質(zhì)量、設(shè)備性能和使用壽命等方面具有重要影響。 一、IG...
高效節(jié)能電機(jī)與變頻節(jié)能電機(jī)工作原理
高效節(jié)能電機(jī)工作原理: 采用新型電機(jī)設(shè)計(jì)、新工藝及新材料,通過(guò)降低電磁能、熱能和機(jī)械能的損耗,提高輸出效率。
2023-01-02 標(biāo)簽:逆變器IGBT節(jié)能電機(jī) 2191 0
igbt柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT柵極驅(qū)動(dòng)是IGBT正常工作的關(guān)鍵部分,其參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件對(duì)IGBT的...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT參數(shù)柵極驅(qū)動(dòng) 2183 0
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