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氮化鎵(GaN)已開始加速導(dǎo)入至各應(yīng)用市場當(dāng)中
以無線充電而言,電源轉(zhuǎn)換(Power Conversion)于無線電源傳輸?shù)脑O(shè)計(jì)會(huì)影響系統(tǒng)的總效率。 像是AC-DC、DC/Switching RF A...
解析?國產(chǎn)GaN控制芯片在快充領(lǐng)域的優(yōu)勢與不足
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠)上一期文章講述了國外廠商主流的GaN快充主控芯片,其中安森美NCP1342解決方案被眾多廠商使用。其實(shí),除了國外的GaN控制...
2021-09-18 標(biāo)簽:PWM驅(qū)動(dòng)GaN 4759 0
據(jù)稱,凱蒂·瓊斯(Katie Jones)在一個(gè)高級(jí)智庫工作, 與政治專家和政府內(nèi)部人士聯(lián)系在一起。其中包括一些零散的政府人物,如參議員的助手、副助理國...
科銳與安世半導(dǎo)體簽署 GaN 功率器件專利授權(quán)協(xié)議
近日,科銳(NASDAQ:CREE)宣布與荷蘭Nexperia公司簽署非排他性、全球性的付費(fèi)專利許可協(xié)議。通
電動(dòng)汽車功率轉(zhuǎn)換效率已成當(dāng)務(wù)之急
近日,有權(quán)威人士透露,我國計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入正在制定中的十四五規(guī)劃,以期在2021-2025年期間實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。 重視之余,還要...
功率半導(dǎo)體器件是日本的優(yōu)勢領(lǐng)域。如今在這個(gè)領(lǐng)域,中國的實(shí)力正在快速壯大。日本要想在這個(gè)領(lǐng)域繼續(xù)保持強(qiáng)大的競爭力,重要的是大力研發(fā)SiC、GaN、組裝...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)今年一月,電子發(fā)燒友網(wǎng)曾報(bào)道專注于垂直GaN器件的美國GaN IDM初創(chuàng)公司NexGen Power Systems破產(chǎn)倒...
2024-04-06 標(biāo)簽:GaN功率半導(dǎo)體破產(chǎn) 4734 0
Qorvo近日宣布推出針對(duì)下一代有源電子掃描陣列 (AESA) 雷達(dá)設(shè)計(jì)的高性能 X 頻段前端模塊 (FEM) ——QPM2637和QPM1002。這些...
在所有電力電子應(yīng)用中 功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一
在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一,這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵...
2020-03-14 標(biāo)簽:GaN 4691 0
光伏微逆、數(shù)據(jù)中心先行,GaN OBC也在加快進(jìn)度
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)去年12月,英飛凌公布了自己的OBC產(chǎn)品戰(zhàn)略路線,未來將采用SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體來提高OBC功率密度,其中GaN會(huì)...
2024-07-17 標(biāo)簽:光伏數(shù)據(jù)中心GaN 4667 0
2014年,谷歌的地面實(shí)況小組發(fā)布了最新的街景數(shù)字(SVHN)數(shù)據(jù)集閱讀方法,該方法由當(dāng)時(shí)的暑期實(shí)習(xí)生Ian Goodfellow實(shí)施。這項(xiàng)工作不僅具有...
2019-04-10 標(biāo)簽:蘋果GaN機(jī)器學(xué)習(xí) 4602 0
前不久,Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd(HZZH)就利用Transphorm的TPH3205WS-GaN器件成...
利用人工智能技術(shù)生成虛擬形象,給其賦予真實(shí)身份(智庫從業(yè)者)、樣貌(一般是年輕女性),并利用這一身份與政客周旋,暗中從事間諜活動(dòng)。
耐威科技1億元設(shè)立全資子公司 將投資建設(shè)自主GaN微波及功率器件生產(chǎn)線
4月11日,北京耐威科技股份有限公司(以下簡稱“耐威科技”)公布公告稱,為了進(jìn)一步完善GaN業(yè)務(wù)的全產(chǎn)業(yè)鏈布局,把握產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇,逐步形成自主可控的生產(chǎn)...
國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體原廠上市即遭大廠訴訟,產(chǎn)業(yè)前景如何解讀?
電子發(fā)燒友網(wǎng)(文/梁浩斌)最近國內(nèi)的首個(gè)第三代半導(dǎo)體芯片原廠提出了在港交所IPO上市的申請(qǐng),不出意外的話將會(huì)獲得成功上市。這對(duì)于國內(nèi)眾多三代半的功率器件...
2024-08-05 標(biāo)簽:氮化鎵GaN第三代半導(dǎo)體 4493 0
雙面散熱/高度集成/低EMI……德州儀器電源新品助力實(shí)現(xiàn)高功率密度方案設(shè)計(jì)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)隨著終端智能化和電氣化水平不斷提升,方案設(shè)計(jì)除了要實(shí)現(xiàn)性能指標(biāo)之外,在空間和能效方面的挑戰(zhàn)也越來越大,因而高功率密度已經(jīng)成...
Si襯底GaN基功率開關(guān)器件的發(fā)展?fàn)顩r
在電力電子控制系統(tǒng)中,為了保證系統(tǒng)失效安全,器件必須具備常關(guān)型的工作特性。
2019-08-01 標(biāo)簽:GaN功率開關(guān)器件 4479 0
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)作為新一代的半導(dǎo)體材料,因其禁帶寬度大、臨界擊穿電場高、飽和電子漂移速度高等特...
清華劉永進(jìn)提出APDrawingGAN ,GAN秒變肖像畫!
但是,這些已有方法多數(shù)針對(duì)于生成信息較為豐富的風(fēng)格,如油畫,這些風(fēng)格的圖像中包含很多零碎的圖形元素(如筆觸),而對(duì)單個(gè)元素的質(zhì)量要求較低。也就是說,在這...
2019-06-15 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaN深度學(xué)習(xí) 4472 0
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