高效率低能耗，SiC/GaN元件掀功率半導(dǎo)體革命熱潮

隨著全球節(jié)能環(huán)保意識(shí)抬頭，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開(kāi)始投入提高產(chǎn)品效率、降低功耗以及減少材料使用的技術(shù)開(kāi)發(fā)，加上電動(dòng)車(chē)、再生能源以及各種能源傳輸與轉(zhuǎn)換系統(tǒng)不斷要求高效...

2014-10-03 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 5895 1

為什么說(shuō)第三代半導(dǎo)體是中國(guó)大陸半導(dǎo)體的希望?

從上面的數(shù)據(jù)可以看出，在第一代半導(dǎo)體面前，第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)值非常的小。國(guó)外發(fā)展第三代半導(dǎo)體不是因?yàn)樯庥卸嗝吹拇?，是因?yàn)閲?guó)防和科技信息技術(shù)的發(fā)展需要用到...

2020-09-29 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體電力電子 5812 0

開(kāi)關(guān)損耗更低、效率更高，增速超越SiC，GaN開(kāi)始進(jìn)軍光儲(chǔ)、家電市場(chǎng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）隨著以SiC、GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料被推出以后，因其優(yōu)秀的特性，迅速在多種電力電子設(shè)備中應(yīng)用。目前來(lái)看，GaN已經(jīng)在...

2024-07-04 標(biāo)簽：SiCGaN寬禁帶半導(dǎo)體 5806 0

瑞薩電子發(fā)布新一代650V GaN FET：用獨(dú)特D-MODE賦能高功率場(chǎng)景

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文 / 吳子鵬）隨著人工智能、數(shù)據(jù)中心、汽車(chē)電子和消費(fèi)電子等應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展，第三代半導(dǎo)體 ——GaN（氮化鎵）正迎來(lái)前所未有的增長(zhǎng)...

2025-07-09 標(biāo)簽：GaN瑞薩電子 5745 0

復(fù)合年增長(zhǎng)70%！GaN被快充帶火，用于數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)，未來(lái)市場(chǎng)無(wú)限可期

近幾年，第三代半導(dǎo)體GaN快速發(fā)展，根據(jù)襯底材料的不同，GaN主要分為幾類(lèi)：Si基GaN，目前主要應(yīng)用在功率期間中，也逐漸被部分射頻器件采用；藍(lán)寶石襯底...

2021-06-16 標(biāo)簽：GaN快充 5727 0

半導(dǎo)體材料的代表_GaN和SiC這幾大變化不得不看

雖然以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料由于面臨專(zhuān)利、成本等問(wèn)題放緩了擴(kuò)張的步伐，但世易時(shí)移，新興市場(chǎng)為其應(yīng)用加速增添了新動(dòng)能。

2018-07-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiCGaN 5674 0

GaN助力運(yùn)營(yíng)商和基站OEM實(shí)現(xiàn)5G sub-6GHz和mmWave大規(guī)模MIMO

到2021年，估計(jì)全球會(huì)有更多的人擁有移動(dòng)電話(huà)(55億)，將超過(guò)用上自來(lái)水的人數(shù)(53億)。與此同時(shí)，帶寬緊張的視頻應(yīng)用將進(jìn)一步增加對(duì)移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)的需求，其...

2018-10-29 標(biāo)簽：GaN5G 5667 0

CREE(科銳)公司的歷史和產(chǎn)品變遷

說(shuō)到GaN(氮化鎵)產(chǎn)品，不得不說(shuō)到一家美國(guó)公司:CREE科銳，可以說(shuō)，講GaN材料應(yīng)用到極致，并產(chǎn)生商業(yè)價(jià)值最大化，全球沒(méi)有第二家公司超越。 經(jīng)常聽(tīng)到...

2023-07-10 標(biāo)簽：ledCreeGaN 5631 0

GaN 成實(shí)現(xiàn) 5G的關(guān)鍵技術(shù),Qorvo引領(lǐng)5G時(shí)代的三大優(yōu)勢(shì)

業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為GaN將取代傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料用于5G網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用，這項(xiàng)高效、寬帶隙、高功率密度、可靠的功率PA技術(shù)使網(wǎng)絡(luò)效率逐年大幅提高。如今

2019-04-03 標(biāo)簽：GaN5GQorvo 5600 0

納微在中國(guó)開(kāi)設(shè)GaNFast?研發(fā)中心以支持創(chuàng)新

納微（Navitas）今天宣布在杭州開(kāi)設(shè)新的GaNFast研發(fā)中心，以幫助合作伙伴和客戶(hù)設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)先的電源轉(zhuǎn)換器；相比傳統(tǒng)的硅MOS管方案，這些新設(shè)計(jì)能...

2018-06-21 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器gan納微 5576 0

GaN使電子設(shè)備電子適配器變得更加強(qiáng)大，輕型和小型化

Dialog半導(dǎo)體公司將啟動(dòng)GaN進(jìn)入消費(fèi)者電源適配器市場(chǎng)。GaN使電子設(shè)備電子適配器變得更加強(qiáng)大，輕型和小型化。

2018-06-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaN 5536 0

IDM將成為全球首座8英寸GaN代工廠

從硅晶圓到8英寸晶圓代工報(bào)價(jià)調(diào)漲，世界先進(jìn)8英寸產(chǎn)能供需吃緊一路暢旺到年底，并積極擴(kuò)增氮化鎵（GaN）產(chǎn)能，已有國(guó)際IDM大廠看好電動(dòng)車(chē)產(chǎn)業(yè)后市，預(yù)先包...

2018-06-29 標(biāo)簽：ic晶圓gan 5521 0

意法半導(dǎo)體展示其在功率GaN方面的研發(fā)進(jìn)展

今年9月，意法半導(dǎo)體展示了其在功率GaN方面的研發(fā)進(jìn)展，并宣布將建設(shè)一條完全合格的生產(chǎn)線(xiàn)，包括GaN-on-Si異質(zhì)外延。

2018-12-18 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體GaN 5503 0

蘇州鎵敏光電GaN紫外傳感器介紹

氮化鎵（GaN）是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，禁帶寬度為3.4eV，對(duì)應(yīng)截至波長(zhǎng)365nm，對(duì)可見(jiàn)光無(wú)響應(yīng)，克服了硅基紫外傳感器對(duì)可見(jiàn)光有強(qiáng)烈響應(yīng)，且紫外靈...

2021-03-10 標(biāo)簽：傳感器氮化鎵GaN 5449 0

GaN芯片的制備工藝

GaN作為第三代半導(dǎo)體的典范正在被廣泛使用，就連電梯間也能看到快充品牌直接拿GaN做廣告語(yǔ)了。

2022-08-23 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體GaN 5436 0

GaN和SiC能促電動(dòng)汽車(chē)電池降本？ 一大波半導(dǎo)體器件商表關(guān)注

迄今為止，電動(dòng)汽車(chē)電池的價(jià)格昂貴，體積大且效率低。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）是汽車(chē)電子領(lǐng)域的兩項(xiàng)半導(dǎo)體新技術(shù)，它們也許可以改變這一切。 較新的化...

2020-01-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)SiCGaN 5398 0