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美國SSDI推出GaN FET 用于航空航天及電力電子系統(tǒng)
美國固態(tài)設(shè)備公司(SSDI)推出用于航空航天和國防用高壓氮化鎵(GaN)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)SGF46E70系列,可用于高效DC-DC、PoL轉(zhuǎn)換...
1200V GaN又有新玩家入場(chǎng),已進(jìn)入量產(chǎn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)最近,又有國內(nèi)GaN廠商成功突破1200V GaN器件技術(shù)。7月26日,宇騰科技在社交平臺(tái)上宣布公司自主研發(fā)生產(chǎn)的藍(lán)寶石基...
詞庫添新詞: GaN在手機(jī)中使用只是時(shí)間問題
隨著成本下降,氮化鎵在功率大小和效率方面明顯優(yōu)于現(xiàn)今的技術(shù)。在最早刊登在《網(wǎng)絡(luò)世界》“科技解讀”的博客中,Brent Dietz 介紹了 GaN 在各種...
能創(chuàng)造出有逼真紋理和形狀的一個(gè)生成式AI系統(tǒng)
為了評(píng)估圖像生成模型,團(tuán)隊(duì)計(jì)算了用于生成三維模型的 Fréchet Inception Distance(弗雷歇初始距離,F(xiàn)ID)——一種與人類感知相關(guān)...
2018-12-06 標(biāo)簽:人工智能GAN計(jì)算機(jī)科學(xué) 4413 0
資料顯示,BENY BYM2800微型逆變器額定輸出功率為2800W,峰值效率為97.5%(歐洲效率為97%),可連接4個(gè)面板,并通過監(jiān)控每個(gè)模塊的發(fā)電...
納維科技將在蘇州建設(shè)氮化鎵(GaN)單晶襯底研發(fā)基地
據(jù)蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布消息,1月24日,蘇州納維科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“蘇州納維科技”)在園區(qū)舉行總部大樓奠基儀式。
GaN Power HEMT > 650 V:與 SiC MOSFET 的參數(shù)分析和比較
在過去幾年中,SiC MOSFET 在高壓 (600V) 和大功率應(yīng)用中占據(jù)主導(dǎo)地位。熱導(dǎo)率、高臨界場(chǎng)、大大提高的開關(guān)效率以及在其表面形成二氧化硅的能力...
2022-07-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體設(shè)計(jì)SiC 4371 0
或許誰也沒想到,繼蘋果、三星不再附贈(zèng)手機(jī)電源適配器的操作之后,國內(nèi)廠商的跟進(jìn)速度會(huì)這么快。但更沒想到的是,在小米的一陣運(yùn)營之下,GaN充電器或許將徹底進(jìn)...
并購、擴(kuò)產(chǎn)、合作——盤點(diǎn)2023年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件
在清潔能源、電動(dòng)汽車的發(fā)展趨勢(shì)下,近年來第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵受到了史無前例的關(guān)注,市場(chǎng)以及資本都在半導(dǎo)體行業(yè)整體下行的階段加大投資力度,擴(kuò)張規(guī)模不...
2024-02-18 標(biāo)簽:GaN并購第三代半導(dǎo)體 4347 0
該技術(shù)首次實(shí)現(xiàn)了“無漏電流”GaN橋接納米線,研制出的GaN納米線氣體傳感器將推動(dòng)傳感芯片的發(fā)展。
ST和Leti合作研制GaN功率開關(guān)器件制造技術(shù)
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件制造技術(shù)。
2018-09-30 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體GaN 4302 0
以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、電子飽和漂移速度快和抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),在固態(tài)照明、電子電力和移動(dòng)通信等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。
GaN技術(shù)的應(yīng)用及挑戰(zhàn)和未來展望
氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙半導(dǎo)體,其在多種電力電子應(yīng)用中的使用量不斷增長(zhǎng)。這是由于這種材料的卓越性能,在功率密度、耐高溫性和高開關(guān)頻率下的操作方面...
2022-08-03 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體GaN 4294 0
高性能、小體積,GaN在智能家居中開拓廣闊市場(chǎng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)隨著智能家居的發(fā)展,高效高性能的小體積電源越來越被市場(chǎng)青睞。想要將電源體積做得更小,但同時(shí)能夠保證最好的性能,氮化鎵(Ga...
谷歌大腦打造“以一當(dāng)十”的GAN:僅用10%標(biāo)記數(shù)據(jù),生成圖像卻更逼真
Google AI新研究,使用標(biāo)記數(shù)據(jù)量大降90%,生成圖像效果更好
Micro LED | 全球首款GaN-on-Silicon 0.7吋單片全高清顯示屏推出
Plessey是一家面向增強(qiáng)和混合現(xiàn)實(shí)(AR / MR)顯示應(yīng)用且擁有最前沿Micro-LED技術(shù)的嵌入式技術(shù)開發(fā)商。
《漲知識(shí)啦21》之增強(qiáng)型 HEMT器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
GaN 基高電子遷移率場(chǎng)效應(yīng)管(HEMT)在高頻大功率器件方面具有突出的優(yōu)勢(shì),并在其應(yīng)用領(lǐng)域已取得重要進(jìn)展,但GaN基HEMT器件大功率應(yīng)用的最大挑戰(zhàn)是...
GaN或成5G市場(chǎng)發(fā)展新動(dòng)力
在去年12月6日,我國三大運(yùn)營商的頻譜劃分已經(jīng)塵埃落定。而就在今年,工信部也決定發(fā)放臨時(shí)招牌,5G正式進(jìn)行預(yù)商用,并且預(yù)計(jì)2020年商用。無疑今年是5G...
生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)與其他生成模型之間的權(quán)衡取舍是什么?
根據(jù)一些指標(biāo)顯示,關(guān)于生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)(GAN)的研究在過去兩年間取得了本質(zhì)的進(jìn)步。
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