DeepNude驚現(xiàn)!一鍵“脫衣”

人工智能的黑暗面能有多黑？

2019-07-01 標(biāo)簽：人工智能GaN 7.8萬(wàn) 0

動(dòng)漫生成器讓照片秒變手繪日漫風(fēng)?。?！

如果有模型能將真實(shí)畫(huà)面轉(zhuǎn)化為日漫風(fēng)格的手繪畫(huà)面，那一定非常炫酷。最近機(jī)器之心發(fā)現(xiàn)確實(shí)有這些模型，從 CartoonGAN 到 AnimeGAN 都能生成...

2020-05-12 標(biāo)簽：GaN生成器計(jì)算機(jī)圖形學(xué) 5.6萬(wàn) 0

氮化鎵充電器是什么？有什么用？

不管是外出游玩還是出差商旅，大多數(shù)人的背包里肯定少不了手機(jī)、電腦、充電器。為了減輕人們的出行負(fù)擔(dān)，筆記本電腦的設(shè)計(jì)也逐漸輕薄便攜，不過(guò)，不管電腦怎么革新...

2020-12-18 標(biāo)簽：充電器連接器GaN 4.6萬(wàn) 0

無(wú)所不能的“GAN”究竟是什么?

雖然近期對(duì)GAN存在著大量炒作，但它顯然是近年來(lái)從AI領(lǐng)域出現(xiàn)的最有趣的新概念之一，我們可以期待在不久的將來(lái)看到更多基于GAN的令人興奮的新應(yīng)用。

2019-06-19 標(biāo)簽：AIGaN 2.6萬(wàn) 0

第三代半導(dǎo)體概念及發(fā)展歷程

前言：【核芯觀察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專欄，目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)鏈，理清上、中、下游的各個(gè)環(huán)節(jié)，同時(shí)迅速了解各大細(xì)分環(huán)...

2022-04-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiCGaN 2.3萬(wàn) 0

50kW/L功率密度，3.3美元/kW成本的電機(jī)實(shí)現(xiàn)難點(diǎn)是什么？

U.S. DRIVE給電機(jī)和電控的發(fā)展定了一個(gè)目標(biāo)，那就是到2025年時(shí)，電機(jī)控制器的效率不能低于98%；功率密度要達(dá)到100kW/L；成本要降到2.7...

2019-10-29 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)電機(jī)SiC 2.0萬(wàn) 0

化合物半導(dǎo)體應(yīng)用前景及最新應(yīng)用

化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表，因其在高功率、高頻率...

2018-11-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaN 1.9萬(wàn) 0

半導(dǎo)體原料明日之星砷化鎵、氮化鎵產(chǎn)業(yè)分析

半導(dǎo)體原料共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一階段是以硅 (Si)、鍺 (Ge) 為代表的第一代半導(dǎo)體原料。

2019-08-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaN 1.8萬(wàn) 0

你能猜出哪些是AI生成的圖片么？AI生成的人臉照片已能以假亂真！

是不是有些不可思議？左邊這張?jiān)趺纯炊枷袷且粡埰胀ǖ恼掌。趺磿?huì)是 AI 生成的呢？但事實(shí)就是如此，左邊的這張照片中的美女，沒(méi)有國(guó)籍、沒(méi)有姓名，根本不存...

2019-02-25 標(biāo)簽：AIGaN機(jī)器學(xué)習(xí) 1.6萬(wàn) 0

慕展上，世強(qiáng)帶來(lái)的SiC、GaN、三電平讓你的效率直達(dá)最high點(diǎn)

2018年，世強(qiáng)元件電商在慕尼黑上海電子展上帶來(lái)了汽車(chē)、工業(yè)控制及自動(dòng)化、物聯(lián)網(wǎng)、測(cè)試測(cè)量等九大分區(qū)的最新元件產(chǎn)品及解決方案。

2018-03-29 標(biāo)簽：sicgan電源管理芯片 1.6萬(wàn) 0

氮化鎵與硅相比有何優(yōu)勢(shì)?

晶體管的高速度、低電阻率和低飽和開(kāi)關(guān)的優(yōu)點(diǎn)意味著它們有望在電力電子學(xué)中找到許多應(yīng)用案例。因此，工業(yè)界正在研究新的電力電子系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、電路拓?fù)浜头庋b解決方案...

2020-10-22 標(biāo)簽：電源晶體管氮化鎵 1.5萬(wàn) 0

第三代化合物半導(dǎo)體SiC及GaN市場(chǎng)及應(yīng)用分析

SiC適合高壓領(lǐng)域，GaN更適用于低壓及高頻領(lǐng)域。

2019-05-04 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)MOSFET功率器件 1.5萬(wàn) 0

納微半導(dǎo)體 (Navitas) 在重要亞洲電子會(huì)議上 展示氮化鎵(GaN) 功率IC

納微 (Navitas) 半導(dǎo)體宣布，將在11月3號(hào)到6號(hào)在上海舉辦的中國(guó)電源學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì)(CPSSC) 上展示最新的氮化鎵(GaN)功率IC及其應(yīng)用。

2017-10-30 標(biāo)簽：GaN納微半導(dǎo)體 1.4萬(wàn) 0

GAN主要優(yōu)點(diǎn)是超越了傳統(tǒng)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)分類(lèi)和特征提取的功能

L.E.Boltzmann提出的玻爾茲曼分布類(lèi)似，故將這種網(wǎng)絡(luò)取名為“玻爾茲曼機(jī)”。 在物理學(xué)上，玻爾茲曼分布是描述理想氣體在受保守外力的作用時(shí)，處于熱...

2020-06-20 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)GaN 1.3萬(wàn) 0