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目前GaN正逐漸廣泛應(yīng)用的四個主要中電壓領(lǐng)域
這篇技術(shù)文章由德州儀器(TEXAS INSTRUMENTS)的 Srijan Ashok 撰寫,主要介紹了中電壓氮化鎵(GaN)在四種應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)勢和應(yīng)...
基于AC驅(qū)動的電容結(jié)構(gòu)GaN LED模型開發(fā)和應(yīng)用
隨著芯片尺寸減小,微小尺寸GaN 基 Micro LED 顯示面臨著顯示與驅(qū)動高密度集成的難題,傳統(tǒng)直流(DC)驅(qū)動技術(shù)會導(dǎo)致結(jié)溫上升,降低器件壽命。
技術(shù)資料#LMG3410R050 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護功能,使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
一些集成GaN FET的芯片能夠根據(jù)輸入電壓和負載的變化自動調(diào)整工作模式,這種自適應(yīng)調(diào)整可以使芯片在不同的工作條件下都能實現(xiàn)恒功率輸出,同時保持較高的效...
憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合,納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進。
F29H850TU C2000? 64 位 MCU,帶 C29x 200MHz 三核技術(shù)手冊
F29H85x 和 F29P58x 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列是可擴展、超低延遲的器件,旨在提高電力電子器件的效率,包括但不限于:...
按晶圓尺寸計算,GaN半導(dǎo)體器件市場的6英寸及以上GaN晶圓部分預(yù)計在預(yù)測期內(nèi)將錄得更高的復(fù)合年增長率。此尺寸范圍的晶圓使制造商能夠提高生產(chǎn)力并在單個批...
2023-02-12 標簽:晶圓GaN半導(dǎo)體器件 607 0
氮化鎵(GaN)無刷直流電機驅(qū)動 提升效率、減小尺寸和降低成本方面
本文圍繞氮化鎵(GaN)功率IC在無刷直流(BLDC)電機驅(qū)動應(yīng)用中的優(yōu)勢展開研究,通過設(shè)計實例和實驗數(shù)據(jù),論證了其在提升效率、減小尺寸和降低成本方面的...
2025-04-24 標簽:氮化鎵GaN無刷直流電機驅(qū)動 602 0
技術(shù)資料#LMG3526R030 具有集成驅(qū)動器、保護和零電壓檢測功能的650V 30mΩ GaN FET
LMG352xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能,針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健? LMG3...
2025-02-24 標簽:電源轉(zhuǎn)換器GaN開關(guān)模式電源 601 0
報告內(nèi)容包含: 動機 理論計算 氮化鎵材料參數(shù) 固有載流子濃度 擊穿電壓 (VB) 通態(tài)電阻 (RON)
功率GaN技術(shù)已證明可為電源轉(zhuǎn)換帶來出色的效率。但對于汽車應(yīng)用這樣的市場,解決方案還需要出色的耐用性,才能確保高質(zhì)量和可靠性。我們必須證明,Nexper...
技術(shù)文檔#LMG3624 650V 170mΩ GaN FET,集成驅(qū)動器、保護和電流感應(yīng)
LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3624通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 ...
PMP22650:基于GaN的6.6kW雙向車載充電器參考設(shè)計
PMP22650 參考設(shè)計是一款 6.6kW 雙向車載充電器。該設(shè)計采用兩相圖騰柱 PFC 和具有同步整流功能的全橋 CLLLC 轉(zhuǎn)換器。CLLLC 利...
從全球來看,豪華電動汽車趨向于采用800V系統(tǒng),核心優(yōu)勢是電流?。ㄣ~線少)、更低的傳導(dǎo)損耗和更快的充電速度。芝能認為2025年,中國的15萬在研產(chǎn)品都會...
產(chǎn)品介紹#LMG5200 80V GaN 半橋功率級
LMG5200器件是一個 80V、10A 驅(qū)動器和 GaN 半橋功率級,使用增強型氮化鎵 (GaN) FET 提供集成功率級解決方案。該器件由兩個 80...
YLBPD快充芯片U8722BAS可減少非必要能效損耗GaN技術(shù)的零反向恢復(fù)特性(因為不存在體二極管)導(dǎo)致二極管反向偏置電流沒有穩(wěn)定時間,從而降低了死區(qū)...
TI LMG2610詳解具有集成驅(qū)動器、保護和電流檢測功能且適用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋
2025-02-20 標簽:轉(zhuǎn)換器tiFET 573 0
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