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在汽車和可再生能源領(lǐng)域,英飛凌已經(jīng)獲得了重大的設(shè)計(jì)勝利,相關(guān)客戶的約10億歐元的預(yù)付款將有望在2024年和2025年的財(cái)政年度為其自由現(xiàn)金流做出貢獻(xiàn)。英...
TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級(jí),集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個(gè) ...
GaN E-HEMTs的PCB布局經(jīng)驗(yàn)總結(jié)
GaN E-HEMTs的PCB布局經(jīng)驗(yàn)總結(jié)
2025-03-13 標(biāo)簽:GaNPCB布局Pcb layout 567 0
這是電力電子領(lǐng)域令人興奮的時(shí)代。在硅占據(jù)主導(dǎo)地位數(shù)十年后,兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經(jīng)開始占領(lǐng)價(jià)值數(shù)十億美元的市場。例如,碳化硅現(xiàn)在是電動(dòng)汽...
LMG3100R017 100V 1.7mΩ GaN FET,帶集成驅(qū)動(dòng)器介紹
LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動(dòng)器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵 (GaN) FET。該器件提供兩種 Rds(on) 和最大電流版本,L...
2025-02-21 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器FETGaN 563 0
應(yīng)用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級(jí)熱性能總結(jié)
德州儀器(TI)提供的一種新的驅(qū)動(dòng)器集成氮化鎵(GaN)功率級(jí)產(chǎn)品系列已在一個(gè)低成本、緊湊的四扁平無引腳(QFN)封裝中實(shí)現(xiàn),該封裝尺寸為12mm x ...
2025-02-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器封裝功率器件 562 0
高速GaN E-HEMT的測量技巧總結(jié) 一、概述 ? 重要性 ?:GaN E-HEMT(氮化鎵增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管)具有極高的開關(guān)速度,因此準(zhǔn)確的測...
通常來講,充電器輸出功率的增加,充電器的體積也要相應(yīng)擴(kuò)大。因?yàn)閮?nèi)置GaN芯片的使用,快充充電器擁有小體積、高性能、協(xié)議多、節(jié)能高等特點(diǎn),所以快充充電器比...
TIDA-010042 基于GaN的400W MPPT充電控制器和電源優(yōu)化器參考設(shè)計(jì)
該參考設(shè)計(jì)是一款適用于 12V 和 24V 電池的最大功率點(diǎn)跟蹤 (MPPT) 太陽能充電控制器,未來可用作電源優(yōu)化器。該參考設(shè)計(jì)布局緊湊,適用于中小型...
TIDA-010936 適用于集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的48V/16A小型三相GaN逆變器參考設(shè)計(jì)
此參考設(shè)計(jì)展示了采用三個(gè)具有集成式 GaN FET、驅(qū)動(dòng)器和自舉二極管的 100V、35A GaN 半橋 LMG2100R044 的高功率密度 12V ...
2025-02-21 標(biāo)簽:逆變器GaN電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 540 0
HMC1099 10W GaN功率放大器,0.01-1.1GHz技術(shù)手冊
HMC1099是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器,在瞬時(shí)帶寬范圍為0.01 GHz至1.1 GHz時(shí)提供>10 W功率、69% PAE,增益平坦...
F29H859TU-Q1 汽車級(jí) C2000? 64 位 MCU數(shù)據(jù)手冊
F29H85x 和 F29P58x 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,旨在提高電力電子器件的效率,包括但不限于:...
基于德州儀器TOLL封裝GaN器件優(yōu)化電源設(shè)計(jì)
當(dāng)今的電源設(shè)計(jì)要求高效率和高功率密度。因此,設(shè)計(jì)人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?/p>
2025-05-19 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)封裝GaN 532 0
LMG342x 評(píng)估模塊LMG342X-BB-EVM概述
LMG342X-BB-EVM 是一款易于使用的分線板,可將任何 LMG342xR0x0 半橋板(如 LMG3422EVM-043)配置為同步降壓轉(zhuǎn)換器。...
2025-02-21 標(biāo)簽:降壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 530 0
SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作環(huán)境
GaN 、SiC很有可能在高壓高頻方面完全取代硅基,SiC MOSFET 主打高壓領(lǐng)域;GaN MOSFET 主打高頻領(lǐng)域。
GNE1040TB柵極耐壓高達(dá)8V的150V GaN HEMT數(shù)據(jù)手冊
GNE1040TB是柵極耐壓高達(dá)8V的150V GaNHEMT。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列,該系列產(chǎn)品通過更大程度地激發(fā)低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能,助力...
ADPA1113 2GHz至6GHz,46 dBm (40 W),GaN功率放大器技術(shù)手冊
ADPA1113 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器,可在 2.3 GHz 至 5.7 GHz 帶寬范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 46.5 dBm (44.7 W)...
GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的...
2025-03-07 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊HEMT 524 0
技術(shù)資料#UCG28826 集成GaN的自偏置高頻QR反激式轉(zhuǎn)換器(65W)
UCG28826 是一款高頻準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器,內(nèi)置 170mΩ GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT),可將交流轉(zhuǎn)換為直流,以實(shí)現(xiàn)高達(dá) 65W 的功...
2025-02-21 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器反激式轉(zhuǎn)換器晶體管 524 0
UCC28780 1MHz 高頻有源鉗位反激式控制器數(shù)據(jù)手冊
UCC28780 是一款高頻有源鉗位反激式控制器,可實(shí)現(xiàn)高密度 AC-DC 電源,符合嚴(yán)格的全球能效標(biāo)準(zhǔn),如 DoE VI 級(jí)和歐盟 CoC V5 Ti...
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