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應(yīng)用筆記:LMG3100R044 100V 4.4mΩ GaN FET,帶集成驅(qū)動(dòng)器
LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動(dòng)器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵 (GaN) FET。該器件提供兩種 Rds(on) 和最大電流版本,L...
2025-02-21 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器FETGaN 483 0
LMG3650R025 650V 25mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)介紹
LMG365xR025 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>
2025-02-21 標(biāo)簽:封裝電源轉(zhuǎn)換器FET 481 0
HMC8415 40W(46 dBm),9GHz至10.5GHz,GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)
HMC8415LP6GE 是一款氮化鎵 (GaN) 功率放大器,可在 9 GHz 至 10.5 GHz 的帶寬范圍內(nèi)提供 40 W (46 dBm) 的...
LMG2640 650V 105mΩ GaN 半橋,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)概述
LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG2640通過(guò)在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋...
2025-02-21 標(biāo)簽:FETGaN柵極驅(qū)動(dòng)器 477 0
TPS7H5020 SEP 能夠驅(qū)動(dòng) MOSFET 或 GaN FET 的耐輻射 1MHz PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS7H502x 是一款抗輻射性保證、電流模式、單端 PWM 控制器,具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器,可用于基于硅和氮化鎵 (GaN) 功率半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。T...
2025-03-19 標(biāo)簽:PWM控制器GaN功率半導(dǎo)體 477 0
PMP20873 效率為99%的1kW基于GaN的CCM圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)
連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種簡(jiǎn)單但高效的功率轉(zhuǎn)換器。為了達(dá)到 99% 的效率,需要考慮許多設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)。PMP20873...
2025-02-25 標(biāo)簽:功率因數(shù)功率轉(zhuǎn)換器PFC 477 0
用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評(píng)估模塊
LMG342XEVM - 04X 包含兩個(gè)以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成,...
2025-02-21 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 474 0
技術(shù)資料#LMG3427R030 600V 30mΩ GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電流檢測(cè)
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>
2025-02-21 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器FETGaN 471 0
通過(guò)凹槽切斷柵極下方的2DEG,使得器件在零柵壓下為關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)正柵壓增至大于閾值電壓時(shí),將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導(dǎo)電溝道,器件呈導(dǎo)通狀態(tài)。
LMG3650R035 650V 35mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)概述
LMG365xR035 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>
2025-02-21 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器FETGaN 467 0
GNE1008TB 150V GaN HEMT 封裝DFN5060 數(shù)據(jù)手冊(cè)
GNE1008TB 是一款具有 8V 柵極電壓的 150V GaNHEMT,屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性,有助...
2025-03-07 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊(cè)HEMT 467 0
LMG3650R070 650V 70mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)介紹
LMG365xR070 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>
2025-02-21 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器FETGaN 466 0
ICP1543 12-18 GHz、20W GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)
ICONICRF公司的ICP1543是一款采用裸芯片形式的三級(jí)單片微波集成電路(MMIC)功率放大器,采用碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC)技術(shù)制造...
深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準(zhǔn)諧振模式,顯著降低磁性元件體積,同時(shí)通過(guò)?同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部...
HMC1086 25W GaN MMIC功率放大器技術(shù)手冊(cè)
HMC1086是一款25W氮化鎵(GaN)功率放大器MMIC,工作范圍為2至6 GHz。該放大器通常提供22 dB小信號(hào)增益,+44.5 dBm飽和輸出...
BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)
本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,是這些應(yīng)用場(chǎng)景的理想之選。BM3G107MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過(guò)將...
2025-03-09 標(biāo)簽:ICGaN數(shù)據(jù)手冊(cè) 455 0
ADPA1106 46 dBm (40W)、2.7GHz至3.5 GHz GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)
ADPA1106是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器,在2.7 GHz至3.1 GHz的帶寬內(nèi),可提供46 dBm (40 W)和56%的典型功率附加效...
PMP23340C2K 采用C2000? MCU且支持GaN的48V至12V 1.1kW 1/8 磚型電源模塊參考設(shè)計(jì)
此參考設(shè)計(jì)展示了高性能 GaN 如何為中間總線轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)高效率和小外形尺寸。 *附件:PMP23340C2K 采用C2000? MCU且支持GaN的48...
競(jìng)爭(zhēng)籌碼幾何?GaN和SiC是共存還是替代呢?
如今,追求功率密度和效率是當(dāng)今眾多行業(yè)創(chuàng)新的最大動(dòng)力,包括數(shù)據(jù)中心、可再生能源、消費(fèi)電子產(chǎn)品、電動(dòng)汽車和自動(dòng)駕駛汽車等。
2023-10-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiCGaN 449 0
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