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基于多孔氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體材料的方法,研究人員已經(jīng)開發(fā)出藍(lán)光VCSEL。目前,ITRI和Ganvix正著眼于綠色波長和VCSEL陣列的量產(chǎn)。
高頻高頻QR GaN控制器在Flyback拓?fù)淇斐洚a(chǎn)品上的應(yīng)用
型號LP8843DCD提供一個耐壓高達(dá)200V的VccH管腳,以及一個耐壓35V的VccL管腳;可以很方便的用這兩個管腳組成雙繞組供電方式,以節(jié)約高壓輸...
具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設(shè)計
北京工業(yè)大學(xué)和中國北京大學(xué)報道了碳化硅襯底(GaN/SiC)上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢壘二極管(SBD)的性能
開關(guān)管的驅(qū)動器及驅(qū)動電路設(shè)計
電源常用的開關(guān)器件有MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN,這幾種器件均為電壓驅(qū)動型器件,不同類型器件的驅(qū)動電路也不完全相同
任何一個電子元件,不論是一個三極管還是一個集成電路(Integrated Circuit, IC),想要使用它,都需要把它連入電路里。一個三極管,只需要...
針對氧氣(O2)和三氯化硼(BCl3)等離子體進(jìn)行原子層蝕刻的研究
基于GaN的高電子遷移率,晶體管,憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度,應(yīng)用于高頻放大器和高壓功率開關(guān)中。就器件制造而言,GaN的相關(guān)材料,如Al...
掌握基本的射頻微波理論知識;熟練使用 HFSS、ADS、SONNET、Cadence(virtuoso,calibre)、EMX等電磁仿真以及射頻芯片設(shè)...
GaN基功率開關(guān)器件能實現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率,得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣(2DEG)。圖1示出絕緣柵...
2023-04-29 標(biāo)簽:功率器件GaN開關(guān)器件 2094 0
使用電源管理模塊有效控制GaN功率放大器的電源開關(guān)
【導(dǎo)讀】眾所周知,因為 GaN PA 需要使用特定的偏置時序,所以在某些設(shè)計中,GaN 功率放大器的上電和下電可能會具有挑戰(zhàn)性。如果處理不當(dāng),可能會導(dǎo)致...
2022-08-29 標(biāo)簽:功率放大器電源開關(guān)GaN 2088 0
氮化鎵(GaN)寬帶隙技術(shù)的電源應(yīng)用設(shè)計
隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉(zhuǎn)向可再生能源,氮化鎵(GaN)等寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的時機(jī)已經(jīng)成熟。傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT的性能現(xiàn)在接近材料的...
導(dǎo) 讀 缺陷檢測是工業(yè)生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其檢測結(jié)果的好壞直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量。而在現(xiàn)實場景中,但產(chǎn)品瑕疵率非常低,甚至是沒有,缺陷樣本的不充足使得需...
從 70 年代下半葉開始,電源管理應(yīng)用的主導(dǎo)技術(shù)是基于 MOSFET(金屬氧化物硅場效應(yīng)晶體管)器件,在效率和成本降低方面不斷取得進(jìn)步和改進(jìn)。然而,隨著...
幾十年來,硅一直主導(dǎo)著晶體管世界,但這種情況正在逐漸發(fā)生變化。已經(jīng)開發(fā)出由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體,并具有獨(dú)特的優(yōu)勢和卓越的特性。例如,化合物半...
基于微納結(jié)構(gòu)的MEMS熱輻射紅外光源技術(shù)原理
一些光柵結(jié)構(gòu)也實現(xiàn)了向二維方向的拓展,使TE、TM兩個極化方向產(chǎn)生相干的熱發(fā)射成為可能。如圖8所示為SiC交叉狹縫光柵結(jié)構(gòu)示意圖及光譜發(fā)射圖。
如何設(shè)置、設(shè)計及正確地驅(qū)動GaN功率級
您可以通過多種方式控制GaN功率級。LMG5200 GaN 半橋功率級的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中,我將描述如何使用H...
SiC范圍內(nèi)的GaN和熱感知簡化了X波段雷達(dá)設(shè)計
性能參數(shù)因應(yīng)用而異,雷達(dá)系統(tǒng)可能需要在從L波段以下到Ka波段以上的任何頻率下工作。8.5 至 11 GHz X 頻段正迅速成為主導(dǎo)頻率范圍,可用于海上導(dǎo)...
幾個氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設(shè)計必須掌握的要點(diǎn)
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器,能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵(以下簡稱“GaN”)功率開關(guān)。之前...
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