作為比較成熟的第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵(GaN)功率器件基于其極快的開(kāi)關(guān)速度，優(yōu)秀的導(dǎo)通阻抗，以及極低的開(kāi)關(guān)損耗，可以使Flyback拓?fù)涞墓ぷ黝l率提升到500kHz以上，在縮減電源體積的同時(shí)能夠提升電源的轉(zhuǎn)換效率；

因此，GaN在Flyback拓?fù)涞目斐洚a(chǎn)品上得到了廣泛的應(yīng)用。

芯茂微第二代高頻高頻QR GaN控制器

LP884XXX系列產(chǎn)品，專門針對(duì)GaN的特性而進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)：

01

在QR模式下，工作頻率25kHz~500kHz，并具有谷底鎖定開(kāi)通模式；

02

內(nèi)置高壓啟動(dòng)（HV）和X電容泄放功能；

03

極輕載時(shí)“軟跳頻”工作模式可實(shí)現(xiàn)低功耗、無(wú)噪音；

04

芯片內(nèi)置輸出電流感應(yīng)和計(jì)算單元，可以準(zhǔn)確控制電源的輸出過(guò)流點(diǎn)；

05

豐富的保護(hù)功能，根據(jù)保護(hù)后動(dòng)作的不同，分為：

多種版本?全方位適應(yīng)各種應(yīng)用場(chǎng)景

管腳封裝

型號(hào)LP8843DCD提供一個(gè)耐壓高達(dá)200V的VccH管腳，以及一個(gè)耐壓35V的VccL管腳；可以很方便的用這兩個(gè)管腳組成雙繞組供電方式，以節(jié)約高壓輸出時(shí)的功率消耗；亦可以只使用VccH管腳，以節(jié)約外部LDO器件或Vcc繞組及整流濾波電路的成本。

左圖：LP8843雙繞組：降低高壓輸出功耗，降低待機(jī)功耗

右圖：LP8843單繞組：無(wú)需外接LDO電路，節(jié)省成本

65W PD Demo

轉(zhuǎn)換效率可達(dá)94%以上

多重噪音抑制功能

精準(zhǔn)谷底鎖定開(kāi)通?軟跳頻?對(duì)稱抖頻

精準(zhǔn)輸出過(guò)流點(diǎn)控制

芯片內(nèi)置精確的輸出電流感應(yīng)和計(jì)算單元

優(yōu)異的待機(jī)功耗

審核編輯：劉清