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近日,由深圳大學和深圳信息職業(yè)技術學院組成的科研團隊,研發(fā)出了“基于全HVPE生長、具有創(chuàng)紀錄的高品質優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢壘...
GaN功率電子器件具有較高的工作電壓、較高的開關頻率、較低的導通電阻等優(yōu)點,能夠以極低的成本和較高的技術成熟度兼容硅基半導體集成電路工藝,在新一代高...
制造業(yè)中任何公司的主要目標都是為客戶生產無缺陷產品。如果在產品開發(fā)過程中出現(xiàn)任何內部孔、凹坑、磨損或劃痕(由于多種原因,從生產設備故障到惡劣的工作條件)...
過去在電子工業(yè)中知名的普萊思半導體有限公司,已交付到能夠一次處理7個6英寸的晶片的Aixtron(愛思強)公司,并用于生產高亮度LED。普萊思正在利用自...
氮化鎵(GaN)是一種非常堅硬、機械穩(wěn)定的寬帶隙半導體?;贕aN的功率器件具有更高的擊穿強度、更快的開關速度、更高的導熱性和更低的導通電阻,其性能明顯...
氮化鎵工藝技術是什么意思? 氮化鎵是一種無機物,化學式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常...
氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導體材料,上世紀90年代就已經有了氮化鎵的應用,這些年來氮化鎵已經成為了全球半導體研究的熱點,被譽為第三代半導體,其具有更...
氮化鎵功率芯片功率曲線分析 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點
不,氮化鎵功率器(GaN Power Device)與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉換和功率放大的半導體器件,它利用氮化鎵材料的特性來實...
GaN FET 實現(xiàn)了高頻電源轉換器設計。憑借出色的開關特性和零反向恢復損耗,這種輕量級設計具有更高的功率密度和更小的尺寸。
作為第三代半導體的核心材料之一,GaN其主要有三個特性——開關頻率高、禁帶寬度大、更低的導通電阻。它在充電器上的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在:體積小,重量輕;功率密度...
由于GaN在高溫生長時N的離解壓很高,很難得到大尺寸的GaN單晶材料,因此,為了實現(xiàn)低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件,研究人員經過幾十年的不...
對于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應用,現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數字解決方案來實現(xiàn)高頻和高效設計。這在很大程度上是由于缺乏設計用于...
2022-07-26 標簽:FETGaN電源系統(tǒng) 1871 0
氮化鎵(GaN)是一種具有半導體特性的化合物,是由氮和鎵組成的一種寬禁帶半導體材料,與碳化硅(SiC)并稱為第三代半導體材料的雙雄。GaN具有更寬的“帶...
GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點,是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料,并與SIC、金剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一...
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