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gan技術(shù)

氮化鎵和Sslicon在各種性能指標(biāo)上的比較

硅制造技術(shù)已經(jīng)足夠成熟，可以大規(guī)模生產(chǎn)直徑達(dá)18英寸的晶片，而GaN晶片仍在6英寸的晶片上制造。GaN制造的基底選擇范圍從硅或藍(lán)寶石基底（便宜但較大的晶...

2021-05-26 標(biāo)簽：微處理器晶體管氮化鎵 1822 0

GaN晶體管的應(yīng)用場(chǎng)景有哪些

GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及...

2024-08-15 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵 GaN 1818 0

數(shù)明半導(dǎo)體SiLM824x系列隔離雙通道門級(jí)驅(qū)動(dòng)器介紹

數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM824x系列是一款具有不同配置的隔離雙通道門級(jí)驅(qū)動(dòng)器。SiLM8243和SiLM8244配置為高、低邊驅(qū)動(dòng)，而SiLM824...

2023-08-15 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器功率器件 GaN 1809 0

安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)？粉末純度、SiC晶錠一致性

硅通常是半導(dǎo)體技術(shù)的基石。然而，硅也有局限性，尤其在電力電子領(lǐng)域，設(shè)計(jì)人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導(dǎo)體。本文為白皮...

2025-01-05 標(biāo)簽：安森美 SiC GaN 1807 0

垂直GaN功率器件徹底改變功率半導(dǎo)體

使用GaN（氮化鎵）的功率半導(dǎo)體作為節(jié)能/低碳社會(huì)的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項(xiàng)新技術(shù)，解決了導(dǎo)致其全面推廣的問題。

2023-10-20 標(biāo)簽：充電器晶圓氮化鎵 1800 0

Si/SiC和GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)比較！

碳化硅（SiC）技術(shù)改進(jìn)了各種應(yīng)用中的多個(gè)系統(tǒng)和子系統(tǒng)組件。與硅相比，碳化硅通過更快的開關(guān)、在整個(gè)溫度范圍內(nèi)的平坦RDS（on）和更好的體二極管性能表現(xiàn)...

2023-02-24 標(biāo)簽：晶體管 SiC GaN 1790 0

利用GaN的帶寬和功率密度優(yōu)勢(shì)對(duì)抗RCIED

氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構(gòu)建RF功率放大器（PA）的主要技術(shù)。GaN 具有獨(dú)特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場(chǎng)比其他射頻...

2023-05-24 標(biāo)簽：功率放大器 RF GaN 1790 0

GaN晶體管和SiC晶體管有什么不同

GaN（氮化鎵）晶體管和SiC（碳化硅）晶體管作為兩種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子、高頻通信及高溫高壓應(yīng)用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì)。然而，它們?cè)诓牧?..

2024-08-15 標(biāo)簽：晶體管 SiC GaN 1783 0

GaN功率開關(guān)會(huì)對(duì)EMI造成怎樣的影響

由于這些新電源開關(guān)的快速開關(guān)速度與相關(guān)更高效率，因此我們希望看到他們能適用于開關(guān)模式電源和射頻（RF）功率放大器。他們可廣泛取代現(xiàn)有的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)...

2019-03-26 標(biāo)簽：emi 功率開關(guān)gan 1780 0

65W高性能磁耦通訊GaN快充方案

隨著GaN功率器件的可靠性提升及成本逐漸接近常規(guī)MOS，相關(guān)中大功率快充方案?jìng)涫苁袌?chǎng)青睞。為了滿足市場(chǎng)新需求，晶豐明源通過不斷創(chuàng)新，推出了集成GaN磁耦...

2023-05-08 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器充電器寄存器 1779 0

AlN鈍化器件電流崩塌分析

本研究采用PEALD沉積AlN材料作柵絕緣層的同時(shí)，利用其作為器件表面鈍化層材料，本節(jié)即采用脈沖測(cè)試方法研究了PEALD沉積AlN鈍化器件的電流崩塌特性...

2023-02-14 標(biāo)簽：微波 GaN HEMT 1757 0

如何提高系統(tǒng)功率密度

在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來巨大的性能提升。比如，在談?wù)摴β拭芏葧r(shí)，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷...

2023-05-18 標(biāo)簽：功率器件 SiC GaN 1757 0

利用SiC和GaN實(shí)現(xiàn)AC-AC轉(zhuǎn)換器薄型化

　最近，采用可大幅削減電力損耗的新一代功率元件的試制示例接連出現(xiàn)。此次邀請(qǐng)了安川電機(jī)，針對(duì)采用SiC功率元件的AC-AC轉(zhuǎn)換器以及采用GaN功率元件的功...

2013-09-22 標(biāo)簽：SiC GaN AC-AC轉(zhuǎn)換器 1755 0

硅基氮化鎵未來發(fā)展趨勢(shì)分析

GaN 技術(shù)持續(xù)為國(guó)防和電信市場(chǎng)提供性能和效率。目前射頻市場(chǎng)應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會(huì)威脅到碳化硅基氮化...

2023-09-14 標(biāo)簽：射頻無線電氮化鎵 1749 0

使用GaN設(shè)計(jì)PFC整流器

650V GaN FET 較低的寄生電容降低了開關(guān)損耗。此外，與 650-V Si MOSFET 相比，650-V GaN FET 在相同芯片尺寸內(nèi)具有...

2022-08-05 標(biāo)簽：MOSFET 整流器 GaN 1746 0

探索GaN-on-Si技術(shù)難點(diǎn)

GaN-on-Si LED技術(shù)是行業(yè)夢(mèng)寐以求的技術(shù)。首先，硅是地殼含量第二的元素，物理和化學(xué)性能良好，在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%；

2023-03-10 標(biāo)簽：led 氮化鎵 GaN 1741 0

SL27517到底是如何應(yīng)用的？

UPS（不間斷電源）作為一種保障電力供應(yīng)穩(wěn)定和可靠的設(shè)備，被廣泛應(yīng)用在計(jì)算機(jī)、通訊和工業(yè)等領(lǐng)域。

2023-04-18 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 UPS 1737 0

如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)

所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁...

2023-05-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC GaN 1736 0

GaN智能功率模塊(IPM)實(shí)現(xiàn)高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)

氮化鎵(GaN)在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)為電源轉(zhuǎn)換器帶來了系統(tǒng)級(jí)的好處。智能功率模塊(IPM)通常用于提供緊湊、高效且安全的電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)。在本文中，我們將...

2024-06-17 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)GaN 智能功率模塊 1731 0

GaN-on-Si功率技術(shù):器件和應(yīng)用

在過去幾年中，氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應(yīng)用的半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅(jiān)硬且穩(wěn)定的寬帶隙 (WB...

2022-07-29 標(biāo)簽：升壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵 GaN 1718 0

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藍(lán)牙5

藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來?yè)碛懈斓膫鬏斔俣龋h(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
Qorvo

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5G手機(jī)

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對(duì)4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時(shí)延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
TWS

TWS

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自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍(lán)牙耳機(jī)開始大行其道。
智能工業(yè)

智能工業(yè)

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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動(dòng)通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
智慧家庭

智慧家庭

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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
Keysight

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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
AD9361

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nRF52832

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無線收發(fā)模塊

無線收發(fā)模塊

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無線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ?。JF24D的傳輸速率為1M，具有81個(gè)通道可任意設(shè)置而互不干擾?？稍趽頂D的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
太赫茲

太赫茲

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太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個(gè)非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)家安全提供了一個(gè)非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
三星公司

三星公司

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三星集團(tuán)是韓國(guó)最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個(gè)下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個(gè)國(guó)家和地區(qū)建立了近300個(gè)法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
藍(lán)牙5.0

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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對(duì)低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對(duì)室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
Elektron

Elektron

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WiGig

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WiGig（Wireless Gigabit，無線千兆比特）是一種更快的短距離無線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
樂鑫

樂鑫

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樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片，提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
lorawan

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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
KeyStone

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5G毫米波

5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長(zhǎng)為1毫米到10毫米，波動(dòng)頻率為30GHz-300GHz。相對(duì)于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時(shí)延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，可滿足未來無線通信對(duì)系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
JN5168

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802.11ax

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ZigBee3.0

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貼片天線

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射頻元件

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無線設(shè)備

無線設(shè)備

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無線設(shè)備一般指無線電通信設(shè)備艦艇上利用無線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對(duì)外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
LoRa技術(shù)

LoRa技術(shù)

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LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠(yuǎn)距離無線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢(shì)特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個(gè)垂直行業(yè)中。
LTE-Advanced

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超外差接收機(jī)

超外差接收機(jī)

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　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻，將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
藍(lán)牙m(xù)esh

藍(lán)牙m(xù)esh

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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無中心、無路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
藍(lán)牙4.2

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