一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法

本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個(gè)方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點(diǎn)燃等離子體以a形成含氟蝕刻...

2022-04-24 標(biāo)簽：多晶硅蝕刻襯底 1467 0

一文詳解氧化剝離技術(shù)（1）

光發(fā)射器與硅電子器件的融合是許多應(yīng)用的長(zhǎng)期挑戰(zhàn)，例如芯片級(jí)光互連、片上光學(xué)系統(tǒng)、光通信芯片等。[1]. 在這些應(yīng)用中，光發(fā)射機(jī)通常被設(shè)想為鍵合到硅集成電...

2022-09-09 標(biāo)簽：發(fā)射器蝕刻GaAs 1461 0

多磷酸蝕刻劑的化學(xué)特性

摘要 在印刷和蝕刻生產(chǎn)厚金屬膜中的精密圖案時(shí)，需要對(duì)化學(xué)蝕刻劑有基本的了解，以實(shí)現(xiàn)工藝優(yōu)化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的...

2022-01-07 標(biāo)簽：化學(xué)蝕刻蝕刻工藝 1449 0

如何在蝕刻工藝中實(shí)施控制？

蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢?huì)影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會(huì)變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動(dòng)化方法來(lái)...

2023-05-19 標(biāo)簽：pcb控制系統(tǒng)設(shè)備 1437 0

使用KOH各向異性蝕刻Si的光學(xué)器件的單掩模微制造（上）

?引言 我們報(bào)道了利用KOH水溶液中硅的各向異性腐蝕，用單掩模工藝進(jìn)行連續(xù)非球面光學(xué)表面的微加工。使用這種工藝制造了具有幾毫米量級(jí)的橫向尺度和幾微米量級(jí)...

2022-05-11 標(biāo)簽：光學(xué)蝕刻蝕刻工藝 1416 0

側(cè)墻工藝是什么意思

與亞微米工藝類似，側(cè)墻工藝是指形成環(huán)繞多晶硅的氧化介質(zhì)層，從而保護(hù)LDD 結(jié)構(gòu)，防止重?fù)诫s的源漏離子注入到LDD結(jié)構(gòu)的擴(kuò)展區(qū)。側(cè)墻是由兩個(gè)主要工藝步驟形...

2024-11-09 標(biāo)簽：集成電路工藝蝕刻 1388 0

使用單一晶圓加工工具蝕刻晶圓背面薄膜的方法

引言 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，為了在有限的面積內(nèi) 形成很多器件，技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展。要想形成多層結(jié)構(gòu)，會(huì)形成比現(xiàn)有更多的薄膜層 ,這時(shí)晶片背面也會(huì)堆積...

2022-01-05 標(biāo)簽：pcb半導(dǎo)體晶圓 1378 0

多晶硅表面紋理化的典型方法

濕化學(xué)蝕刻是多晶硅表面紋理化的典型方法,濕化學(xué)蝕刻法也是多晶體硅表面鋸切損傷的酸織構(gòu)化或氫氧化鉀鋸切損傷去除后的兩步化學(xué)蝕刻,這些表面紋理化方法是通過(guò)在...

2022-03-28 標(biāo)簽：工藝蝕刻晶片 1374 0

晶片濕法刻蝕技術(shù)研究

文介紹了我們?nèi)A林科納研究了整個(gè)濕蝕過(guò)程中的完整性，它給出了一些確保這種保護(hù)的提示，并提出了評(píng)估這種保護(hù)的相關(guān)新方法，用光刻膠制作材料的濕圖案需要材料的完...

2022-05-16 標(biāo)簽：蝕刻晶片 1372 0

操作參數(shù)對(duì)蝕刻速率和均勻性的影響

本研究的目的是開(kāi)發(fā)和應(yīng)用一個(gè)數(shù)值模型來(lái)幫助設(shè)計(jì)和操作CDE工具，為此，我們編制了第一個(gè)已知的NF3/02氣體的等離子體動(dòng)力學(xué)模型，通過(guò)與實(shí)驗(yàn)蝕刻速率數(shù)據(jù)...

2022-04-08 標(biāo)簽：蝕刻晶片CDE 1358 0

一文詳解淺溝槽隔離技術(shù)

隨著集成電路尺寸縮小至亞微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，原始的本征氧化隔離技術(shù)（LocOS）已不適應(yīng)。“隔離”是指利用介質(zhì)材料或反向PN結(jié)隔離集成電路的有源區(qū)器件，消除寄...

2025-03-12 標(biāo)簽：集成電路工藝隔離技術(shù) 1345 0

硅晶圓蝕刻過(guò)程中的化學(xué)反應(yīng)研究

硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長(zhǎng)的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會(huì)產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層...

2022-04-12 標(biāo)簽：硅晶圓蝕刻 1342 0

利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機(jī)制對(duì)富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言

器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開(kāi)發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來(lái)，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)...

2023-06-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓SiGe 1340 0

O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為

引言 氧化鋅是最廣泛研究的纖鋅礦半導(dǎo)體之一。氧化鋅不僅作為單晶，而且以多晶薄膜的形式。其顯著的性能，如寬直接帶隙3.37 eV，大結(jié)合強(qiáng)度內(nèi)聚能1.89...

2022-01-12 標(biāo)簽：晶圓單晶蝕刻 1340 0

硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻研究

在使用低溫卡盤(pán)的低壓高密度等離子體反應(yīng)器中研究了硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻。我們?nèi)A林科納以前已經(jīng)證明了這種技術(shù)在這種結(jié)構(gòu)上的可行性。已經(jīng)研究了蝕刻速率...

2022-05-11 標(biāo)簽：晶圓蝕刻反應(yīng)器 1282 0

RCA清潔變量對(duì)顆粒去除效率的影響

摘要 在濕化學(xué)加工中，制造需要表面清潔度和表面光滑度。有必要完美地控制所有工藝參數(shù)，特別是對(duì)于常見(jiàn)的清潔技術(shù)RCA clean (SC-1和SC-2) ...

2021-12-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體超聲波蝕刻 1276 0

一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法

本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過(guò)臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后，重復(fù)測(cè)量，然后確定了成分和表面電位的深度分布，因...

2022-04-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1269 0