四甲基氫氧化銨水溶液濕蝕刻中AlGaN/AlN摩爾分?jǐn)?shù)關(guān)系

在本文中，我們詳細(xì)研究了AlGaN的濕法刻蝕特性。特別地，我們研究了m面刻面形成和AlN摩爾分?jǐn)?shù)對蝕刻速率的依賴關(guān)系。我們還研究了氮化鋁摩爾分?jǐn)?shù)差異較大...

2021-12-13 標(biāo)簽：芯片摩爾定律電化學(xué) 1835 0

關(guān)于晶片背面的薄膜蝕刻法說明

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，為了在有限的面積內(nèi)形成很多器件，技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展，要想形成多層結(jié)構(gòu)，將形成比現(xiàn)有的更多的薄膜層，這時晶片背面也會堆積膜。如果...

2022-03-28 標(biāo)簽：蝕刻晶片 1829 0

溫度對去除氮化物和氧化物層的影響

本文介紹了在緩沖氧化物腐蝕(BOE)溶液中溫度對氮化物和氧化物層腐蝕速率的影響。明確的框架結(jié)構(gòu)和減少的蝕刻時間將提高制造過程的生產(chǎn)率，該方法從圖案化氮化...

2022-05-05 標(biāo)簽：工藝蝕刻氧化物 1781 0

濕式化學(xué)蝕刻法制備硅片微孔

微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨(dú)特的性質(zhì)，特別是，當(dāng)用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的共振。然而，...

2023-05-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 1772 0

利用原子力顯微鏡測量硅蝕刻速率

本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。...

2022-04-22 標(biāo)簽：蝕刻測量顯微鏡 1745 0

AlGaN/GaN的光電化學(xué)蝕刻工藝

2022-07-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻GaN 1700 0

多晶硅蝕刻殘留物的的形成機(jī)理

為了闡明蝕刻殘留物的形成機(jī)理，研究了氯/氦-氧、溴化氫/氦-氧和溴化氫/氯等不同氣體混合物的影響，我們發(fā)現(xiàn)在氧的存在下，蝕刻殘留物形成良好，這表明蝕刻殘...

2022-05-06 標(biāo)簽：多晶硅蝕刻 1660 0

針對去離子水在晶片表面處理的應(yīng)用的研究

隨著半導(dǎo)體科技的發(fā)展，在固態(tài)微電子器件制造中，人們對清潔基底表面越來越重視。濕法清洗一般使用無機(jī)酸、堿和氧化劑，以達(dá)到去除光阻劑、顆粒、輕有機(jī)物、金屬污...

2023-06-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 1659 0

一種強(qiáng)有力的各向異性濕法化學(xué)刻蝕技術(shù)

我們展示了在c平面藍(lán)寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結(jié)晶蝕刻，蝕刻速率高達(dá)3.2mm/min。晶體...

2022-04-14 標(biāo)簽：工藝氮化鎵蝕刻 1634 0

混合鋁蝕刻劑的化學(xué)特性分析

摘要 我們?nèi)A林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對工藝條件變化的敏感性，以確定該蝕刻劑系統(tǒng)在純鋁電路光刻制造中的潛在生產(chǎn)應(yīng)用。溫度變化...

2022-01-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體印刷電路蝕刻 1631 0

硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用

本文研究了硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用，新的氧化物選擇性模式，概述了通過將無水高頻與控制量的水蒸汽混合而產(chǎn)生高頻蒸汽蝕刻劑的實(shí)現(xiàn)方法，描述了一...

2022-04-11 標(biāo)簽：晶硅蝕刻氧化物 1618 0

PCB工藝制程解析

PCB加工十幾道工序會，不可避免的會存在加工誤差，PCB制造行業(yè)采用的標(biāo)準(zhǔn)通常是指標(biāo)準(zhǔn)的ISO、UL、等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。華秋PCB可實(shí)現(xiàn)的線寬公差范圍在±15...

2023-09-06 標(biāo)簽：pcb電路板蝕刻 1600 0

使用n型GaSb襯底優(yōu)化干法和濕法蝕刻工藝

基本化學(xué)成分以Cl2為基礎(chǔ)，外加用于側(cè)壁鈍化的N2。優(yōu)化的ICP蝕刻工藝能夠產(chǎn)生具有光滑側(cè)壁的高縱橫比結(jié)構(gòu)。使用670nm波長的激光進(jìn)行原位反射監(jiān)測，以...

2022-05-11 標(biāo)簽：工藝蝕刻 1592 0

硅片透蝕MACE化學(xué)鍍金工藝優(yōu)化方案

硅(Si)的深度蝕刻對于廣泛的應(yīng)用是非常理想的。在這種情況下，通過長時間的金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)和短時間的氫氧化鉀蝕刻，證明了通過蝕刻375微米厚...

2022-07-14 標(biāo)簽：晶圓蝕刻硅晶片 1576 0

PCB電路板和芯板的制作

PCB制作第一步是整理并檢查PCB布局（Layout）。PCB制作工廠收到PCB設(shè)計(jì)公司的CAD文件，由于每個CAD軟件都有自己獨(dú)特的文件格式，所以PC...

2023-10-20 標(biāo)簽：pcb電路板蝕刻 1568 0

超聲波頻率對化學(xué)蝕刻過程的影響實(shí)驗(yàn)報(bào)告

超聲增強(qiáng)化學(xué)腐蝕被用來制作多孔硅層，通過使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制備多孔硅層，發(fā)現(xiàn)超聲波改善了p型硅上多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用這種方法可...

2022-05-06 標(biāo)簽：超聲波蝕刻蝕刻工藝 1565 0

各種疊層結(jié)構(gòu)的PCB圖內(nèi)部架構(gòu)設(shè)計(jì)

今天畫了幾張多層PCB電路板內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖，用立體圖形展示各種疊層結(jié)構(gòu)的PCB圖內(nèi)部架構(gòu)。

2024-01-02 標(biāo)簽：pcb蝕刻過孔 1506 0

硝酸濃度對硅晶片總厚度和重量損失的影響

新的微電子產(chǎn)品要求硅(Si)晶片變薄到厚度小于150 μm。機(jī)械研磨仍然會在晶片表面產(chǎn)生殘余缺陷，導(dǎo)致晶片破裂，表面粗糙。因此，化學(xué)蝕刻方法主要用于生產(chǎn)...

2022-06-14 標(biāo)簽：集成電路蝕刻晶片 1473 0