硅晶片的化學刻蝕和動力學效應(yīng)

硅的三相、基于酸的濕法蝕刻中的傳輸和動力學效應(yīng)的研究已經(jīng)完成。由反應(yīng)形成的氣泡附著在表面上的隨機位置，表面的一部分被反應(yīng)物遮蔽。這種氣泡掩蔽效應(yīng)被模擬為...

2022-04-15 標簽：蝕刻硅晶片 1258 0

硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括哪些

硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括:對角度聚合的硅晶片進行最終聚合處理，對上述最終聚合的硅晶片進行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進行SC-...

2022-04-13 標簽：蝕刻清洗硅晶片 1253 0

關(guān)于兩種蝕刻方式介紹

干式蝕刻是為對光阻上的圖案忠實地進行高精密加工的過程，故選擇材料層與光阻層的蝕刻速率差（選擇比）較大、且能夠確保蝕刻的非等向性（主要隨材料層的厚度方向進...

2024-04-18 標簽：蝕刻 1247 0

金屬蝕刻殘留物對對等離子體成分和均勻性的影響

本文研究了金屬蝕刻殘留物，尤其是鈦和鉭殘留物對等離子體成分和均勻性的影響。通過所謂的漂浮樣品的x射線光電子能譜分析來分析室壁，并且通過光發(fā)射光譜來監(jiān)測C...

2022-05-05 標簽：等離子蝕刻晶片 1247 0

關(guān)于數(shù)字處理技術(shù)部分的路線圖介紹

EUV 超薄 （≤10nm）尺度的光刻膠：隨著特征尺寸的縮小，光刻膠分子成分成為特征尺寸的一部分。構(gòu)成光刻膠的分子必須是單組分、小的構(gòu)建塊，以防止聚...

2023-11-06 標簽：處理器CMOS存儲器 1232 0

使用晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)

本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)的簡單技術(shù)，通過使用(110)Si的取向相關(guān)蝕刻，可能在硅中產(chǎn)生具有垂直側(cè)壁的溝槽，與該技術(shù)一...

2022-05-05 標簽：處理技術(shù)蝕刻晶片 1227 0

半導(dǎo)體蝕刻工藝科普

過度蝕刻暴露硅晶圓表面可能會導(dǎo)致表面粗糙。當硅表面在HF過程中暴露于OH離子時，硅表面可能會變得粗糙。

2024-11-05 標簽：硅晶圓蝕刻光刻膠 1212 0

異質(zhì)結(jié)太陽能電池中氫化本征非晶硅的設(shè)計

在硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池（SHJ）中，pn結(jié)由兩種不同形貌的硅形成，即一種是n型晶體硅（c-Si），另一種是p摻雜（III族）元素摻雜）非晶硅（a-Si）。...

2023-06-13 標簽：太陽能蝕刻電池 1177 0

使用KOH各向異性蝕刻Si的光學器件的單掩模微制造（下）

接上回的實驗演示 ? 實驗演示? 非球面的制造包括以下步驟: 1.光刻掩模的設(shè)計和圖案到沉積在硅晶片上的氧化層的轉(zhuǎn)移； 2.KOH蝕刻以形成金字塔形凹坑...

2022-05-11 標簽：光學蝕刻蝕刻工藝 1172 0

濕法蝕刻的GaAs表面研究

為了能夠使用基于 GaAs 的器件作為化學傳感器，它們的表面必須進行化學改性。GaAs 表面上液相中分子的可重復(fù)吸附需要受控的蝕刻程序。應(yīng)用了幾種分析方...

2022-03-31 標簽：傳感器蝕刻GaAs 1167 0

降低半導(dǎo)體金屬線電阻的沉積和蝕刻技術(shù)

銅的電阻率取決于其晶體結(jié)構(gòu)、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統(tǒng)上，銅(Cu)線的形成是通過使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中...

2023-09-22 標簽：半導(dǎo)體蝕刻蝕刻工藝 1162 0

一文解析MEMS工藝的部分關(guān)鍵技術(shù)

MEMS是Micro Electro Mechanical Systems（微機電系統(tǒng)）的縮寫，具有微小的立體結(jié)構(gòu)（三維結(jié)構(gòu)），是處理各種輸入、輸出信號...

2023-10-12 標簽：mems晶圓芯片制造 1157 0

高速pcb設(shè)計11個布線技巧

混合信號電路需要在單點連接模擬地和數(shù)字地。在原理圖，還是建議在模擬和數(shù)字部分之間放置鐵氧體磁珠或0Ω電阻。 數(shù)字地和模擬地的合并應(yīng)靠近集成電路放置...

2023-10-07 標簽：pcb天線阻抗 1153 0

使用蝕刻掩模材料在InP襯底中實現(xiàn)V形槽

p-i-n光電探測器封裝中最具挑戰(zhàn)性的任務(wù)之一是將光纖耦合到探測器。由于探測器和光纖的尺寸都非常小，精確和準確的對準非常關(guān)鍵。如今，在大多數(shù)情況下，這是...

2022-05-11 標簽：材料蝕刻掩模 1142 0

干法刻蝕的概念、碳硅反應(yīng)離子刻蝕以及ICP的應(yīng)用

碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中...

2025-01-22 標簽：等離子體蝕刻ICP 1125 0

MACE工藝制備黑硅的表面形態(tài)學和光學性能研究

本文研究了用兩步金屬輔助化學蝕刻(MACE)工藝制備的黑硅（b-Si）的表面形態(tài)學和光學性能，研究了銀膜低溫退火和碳硅片蝕刻時間短的兩步MACE法制備硼...

2022-03-29 標簽：工藝蝕刻晶片 1096 0

印制電路噴淋蝕刻精細線路流體力學模型分析

在精細印制電路制作過程中，噴淋蝕刻是影響產(chǎn)品質(zhì)量合格率重要的工序之一。現(xiàn)有很多的文章對精細線路的蝕刻做了大量的研究，但是大多數(shù)都只停留在表象的研究中，并...

2023-10-17 標簽：印制電路蝕刻流體力學 1070 0

CLL技術(shù)應(yīng)用于新材料和系統(tǒng)的制造和研究

化學提升光刻(CLL)是一種減法軟光刻技術(shù)，它使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)標記來繪制功能分子的自組裝單層，應(yīng)用范圍從生物分子圖案到晶體管制造。在此我們...

2022-06-28 標簽：半導(dǎo)體光刻蝕刻 967 0