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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

《巴倫周刊》專訪納微半導(dǎo)體CEO:氮化鎵功率芯片行業(yè)將開啟光明未來

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納微半導(dǎo)體正在與特殊目的收購公司Live Oak Acquisition Corp. II進(jìn)行合并上市流程。

2021-08-26 標(biāo)簽:氮化鎵電動(dòng)車充電器功率半導(dǎo)體 1160 0

碳化硅和氮化鎵:兩種半導(dǎo)體的故事

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在過去的幾十年中,全球SiC 和 GaN領(lǐng)域的特點(diǎn)是發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高以及有望實(shí)現(xiàn)數(shù)十億美元的收入。第一個(gè)商用 SiC 器件于 2001 年以德國...

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納微半導(dǎo)體下一代GaNFast?氮化鎵技術(shù)為三星打造超快“加速充電”

加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NV...

2024-02-22 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅功率芯片 1159 0

氮化鎵,并網(wǎng)轉(zhuǎn)換器vista

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多年來,設(shè)計(jì)人員一直在描述氮化鎵 (GaN) 有助于在電網(wǎng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)前所未有的功率密度、系統(tǒng)可靠性和成本水平的未來。工程師不僅在尋找設(shè)備或技術(shù)成熟度——...

2022-08-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體氮化鎵 1159 0

納微十載征程,引領(lǐng)功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展

在功率半導(dǎo)體行業(yè),納微半導(dǎo)體以其對(duì)氮化鎵和碳化硅功率芯片的深入研究和創(chuàng)新,贏得了行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。值此成立十周年之際,納微半導(dǎo)體回顧了其一路走來的輝煌歷...

2024-02-21 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體 1158 0

納微半導(dǎo)體下一代氮化鎵功率芯片全力支持OPPO Reno7 Pro英雄聯(lián)盟手游限定版50W餅干充電器成功發(fā)布

氮化鎵是下一代功率半導(dǎo)體技術(shù),運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅快20倍,和傳統(tǒng)硅充電器相比,氮化鎵充電器在一半的尺寸和重量下,能實(shí)現(xiàn)3倍功率或3倍的充電速度。

2022-01-12 標(biāo)簽:充電器氮化鎵納微半導(dǎo)體 1154 0

碳化硅與氮化鎵的未來將怎樣共存

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在這個(gè)電子產(chǎn)品更新?lián)Q代速度驚人的時(shí)代,半導(dǎo)體市場(chǎng)的前景無疑是光明的。新型功率半導(dǎo)體材料,比如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),因其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)正成為行業(yè)...

2024-04-07 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅 1154 0

中科院微電子所在硅基氮化鎵橫向功率器件的動(dòng)態(tài)可靠性研究方面獲進(jìn)展

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提升硅基氮化鎵橫向功率器件可靠性的難點(diǎn)在于如何準(zhǔn)確測(cè)試出器件在長期高壓大電流應(yīng)力工作下的安全工作區(qū),如何保證器件在固定失效率下的壽命。硅基氮化鎵橫向功率...

2023-06-08 標(biāo)簽:電流功率器件氮化鎵 1154 0

數(shù)字控制 GaN 應(yīng)用已做好準(zhǔn)備

在英語里,ready是很有意思的一個(gè)詞,它在不同的語境下會(huì)有完全不同的意思。有一大屋子女兒時(shí),ready的意思就是為做好準(zhǔn)備而準(zhǔn)備;而準(zhǔn)備的時(shí)間絕不會(huì)少...

2017-04-18 標(biāo)簽:數(shù)字電源氮化鎵 1152 0

VisIC Technologies為大功率氮化鎵牽引逆變器鋪平了道路

因此,VisIC Technologies 已經(jīng)證明其 D3GaN(直接驅(qū)動(dòng)耗盡型氮化鎵)半導(dǎo)體技術(shù)非常適合最具挑戰(zhàn)性的大功率汽車應(yīng)用??焖匍_關(guān)應(yīng)用中需...

2023-02-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體大功率氮化鎵 1150 0

高壓氮化鎵的未來,您能想象得到嗎?

你可以想象有這樣一個(gè)世界,在這個(gè)世界中,你不需要建造這么多發(fā)電廠,來滿足不斷躥升的數(shù)字需求。在這個(gè)世界中,工業(yè)、企業(yè)計(jì)算、電信和可再生能源系統(tǒng)的運(yùn)行速度...

2017-04-18 標(biāo)簽:氮化鎵GaNlmg3410 1149 0

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電源適配器(Power adapter)是小型便攜式電子設(shè)備及電子電器的供電電源變換設(shè)備,一般由外殼、變壓器、電感、電容、控制IC、PCB板等元器件組成。

2022-10-21 標(biāo)簽:電源適配器氮化鎵GaN 1148 0

中美半導(dǎo)體攻防戰(zhàn)恐將陷入兩難境地

本周,半導(dǎo)體行業(yè)最引人關(guān)注的新聞非中國限制鎵和鍺及其某些化合物出口莫屬了。

2023-07-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體EDA工具DRAM芯片 1148 0

?GaN先驅(qū)尋求被收購

“在2024財(cái)年第二季度,我們看到了強(qiáng)勁的環(huán)比和同比產(chǎn)品銷售增長,同時(shí),毛利率同比增長了近一倍。我們對(duì)產(chǎn)品線的持續(xù)增長和設(shè)計(jì)勝利感到高興,大功率設(shè)計(jì)的成...

2023-11-12 標(biāo)簽:晶體管功率器件氮化鎵 1141 0

德州儀器日本會(huì)津工廠啟動(dòng)氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)

德州儀器(TI)宣布,其位于日本會(huì)津的工廠已正式啟動(dòng)氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)。這一舉措,加上TI在德克薩斯州達(dá)拉斯已有的GaN制造業(yè)務(wù),將使TI...

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氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

氮化鎵正取代硅,越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 ? 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密...

2023-04-19 標(biāo)簽:氮化鎵 1134 0

Transphorm和貿(mào)澤電子宣布達(dá)成全球分銷協(xié)議

Transphorm Inc.今天宣布,它已與貿(mào)澤電子(Mouser Electronics Inc.)簽署全球分銷協(xié)議,授權(quán)該公司在全球經(jīng)銷其最新的半...

2019-09-19 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅貿(mào)澤電子 1133 0

GaN 技術(shù)能否縮小 5G 毫米波的性能差距?

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毫無疑問,5G更高的帶寬、更低的延遲和更高的可用性使其非常適合一系列應(yīng)用。然而,較高頻段,特別是毫米波 (mmWave),也給實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn)帶來了挑戰(zhàn)。因...

2023-10-10 標(biāo)簽:射頻氮化鎵GaN 1131 0

韓國成功開發(fā)出一種能夠替代氮化鎵生產(chǎn)藍(lán)光LED的新型LED材料 生產(chǎn)成本將更低

據(jù)BusinessKorea報(bào)道,韓國科技研究院KIST于3月8日宣布研究院的一個(gè)團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)出一種能夠替代氮化鎵生產(chǎn)藍(lán)光LED的新型LED材料。據(jù)悉,...

2020-03-10 標(biāo)簽:led氮化鎵 1128 0

最高額!芯片制造商格芯將獲美國15億美元補(bǔ)貼

2月20日消息,據(jù)外媒報(bào)道,當(dāng)?shù)貢r(shí)間周一,美國政府表示,作為美國《芯片與科學(xué)法案》的一部分,它打算向芯片制造商格芯提供15億美元資金,用于支持該公司擴(kuò)大...

2024-02-20 標(biāo)簽:芯片制造氮化鎵 1128 0

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無刷電機(jī) FOC IGBT 逆變器 文心一言 5G 英飛凌 羅姆
直流電機(jī) PID MOSFET 傳感器 人工智能 物聯(lián)網(wǎng) NXP 賽靈思
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瑞薩 沁恒股份 全志 國民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯??萍?/a> Altium
德州儀器 Vishay Micron Skyworks AMS TAIYOYUDEN 納芯微 HARTING
adi Cypress Littelfuse Avago FTDI Cirrus LogIC Intersil Qualcomm
st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂鑫 Realtek ERNI電子
TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
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MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
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