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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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《巴倫周刊》專訪納微半導(dǎo)體CEO:氮化鎵功率芯片行業(yè)將開啟光明未來
納微半導(dǎo)體正在與特殊目的收購公司Live Oak Acquisition Corp. II進(jìn)行合并上市流程。
2021-08-26 標(biāo)簽:氮化鎵電動(dòng)車充電器功率半導(dǎo)體 1160 0
在過去的幾十年中,全球SiC 和 GaN領(lǐng)域的特點(diǎn)是發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高以及有望實(shí)現(xiàn)數(shù)十億美元的收入。第一個(gè)商用 SiC 器件于 2001 年以德國...
納微半導(dǎo)體下一代GaNFast?氮化鎵技術(shù)為三星打造超快“加速充電”
加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NV...
多年來,設(shè)計(jì)人員一直在描述氮化鎵 (GaN) 有助于在電網(wǎng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)前所未有的功率密度、系統(tǒng)可靠性和成本水平的未來。工程師不僅在尋找設(shè)備或技術(shù)成熟度——...
2022-08-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體氮化鎵 1159 0
納微十載征程,引領(lǐng)功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展
在功率半導(dǎo)體行業(yè),納微半導(dǎo)體以其對(duì)氮化鎵和碳化硅功率芯片的深入研究和創(chuàng)新,贏得了行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。值此成立十周年之際,納微半導(dǎo)體回顧了其一路走來的輝煌歷...
2024-02-21 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體 1158 0
納微半導(dǎo)體下一代氮化鎵功率芯片全力支持OPPO Reno7 Pro英雄聯(lián)盟手游限定版50W餅干充電器成功發(fā)布
氮化鎵是下一代功率半導(dǎo)體技術(shù),運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅快20倍,和傳統(tǒng)硅充電器相比,氮化鎵充電器在一半的尺寸和重量下,能實(shí)現(xiàn)3倍功率或3倍的充電速度。
2022-01-12 標(biāo)簽:充電器氮化鎵納微半導(dǎo)體 1154 0
在這個(gè)電子產(chǎn)品更新?lián)Q代速度驚人的時(shí)代,半導(dǎo)體市場(chǎng)的前景無疑是光明的。新型功率半導(dǎo)體材料,比如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),因其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)正成為行業(yè)...
中科院微電子所在硅基氮化鎵橫向功率器件的動(dòng)態(tài)可靠性研究方面獲進(jìn)展
提升硅基氮化鎵橫向功率器件可靠性的難點(diǎn)在于如何準(zhǔn)確測(cè)試出器件在長期高壓大電流應(yīng)力工作下的安全工作區(qū),如何保證器件在固定失效率下的壽命。硅基氮化鎵橫向功率...
數(shù)字控制 GaN 應(yīng)用已做好準(zhǔn)備
在英語里,ready是很有意思的一個(gè)詞,它在不同的語境下會(huì)有完全不同的意思。有一大屋子女兒時(shí),ready的意思就是為做好準(zhǔn)備而準(zhǔn)備;而準(zhǔn)備的時(shí)間絕不會(huì)少...
VisIC Technologies為大功率氮化鎵牽引逆變器鋪平了道路
因此,VisIC Technologies 已經(jīng)證明其 D3GaN(直接驅(qū)動(dòng)耗盡型氮化鎵)半導(dǎo)體技術(shù)非常適合最具挑戰(zhàn)性的大功率汽車應(yīng)用??焖匍_關(guān)應(yīng)用中需...
你可以想象有這樣一個(gè)世界,在這個(gè)世界中,你不需要建造這么多發(fā)電廠,來滿足不斷躥升的數(shù)字需求。在這個(gè)世界中,工業(yè)、企業(yè)計(jì)算、電信和可再生能源系統(tǒng)的運(yùn)行速度...
本周,半導(dǎo)體行業(yè)最引人關(guān)注的新聞非中國限制鎵和鍺及其某些化合物出口莫屬了。
“在2024財(cái)年第二季度,我們看到了強(qiáng)勁的環(huán)比和同比產(chǎn)品銷售增長,同時(shí),毛利率同比增長了近一倍。我們對(duì)產(chǎn)品線的持續(xù)增長和設(shè)計(jì)勝利感到高興,大功率設(shè)計(jì)的成...
德州儀器日本會(huì)津工廠啟動(dòng)氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)
德州儀器(TI)宣布,其位于日本會(huì)津的工廠已正式啟動(dòng)氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)。這一舉措,加上TI在德克薩斯州達(dá)拉斯已有的GaN制造業(yè)務(wù),將使TI...
氮化鎵正取代硅,越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 ? 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密...
2023-04-19 標(biāo)簽:氮化鎵 1134 0
Transphorm和貿(mào)澤電子宣布達(dá)成全球分銷協(xié)議
Transphorm Inc.今天宣布,它已與貿(mào)澤電子(Mouser Electronics Inc.)簽署全球分銷協(xié)議,授權(quán)該公司在全球經(jīng)銷其最新的半...
毫無疑問,5G更高的帶寬、更低的延遲和更高的可用性使其非常適合一系列應(yīng)用。然而,較高頻段,特別是毫米波 (mmWave),也給實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn)帶來了挑戰(zhàn)。因...
韓國成功開發(fā)出一種能夠替代氮化鎵生產(chǎn)藍(lán)光LED的新型LED材料 生產(chǎn)成本將更低
據(jù)BusinessKorea報(bào)道,韓國科技研究院KIST于3月8日宣布研究院的一個(gè)團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)出一種能夠替代氮化鎵生產(chǎn)藍(lán)光LED的新型LED材料。據(jù)悉,...
2月20日消息,據(jù)外媒報(bào)道,當(dāng)?shù)貢r(shí)間周一,美國政府表示,作為美國《芯片與科學(xué)法案》的一部分,它打算向芯片制造商格芯提供15億美元資金,用于支持該公司擴(kuò)大...
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