TriQuint加速氮化鎵的供應(yīng)速度，推出卓越新產(chǎn)品和代工服務(wù)

技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：TQNT），今天發(fā)布了15款新型氮化鎵（ GaN ）放大器和晶體管以及兩套全新的氮化...

2013-07-01 標(biāo)簽：氮化鎵TriQuint 1274 0

MACOM展示“射頻能量工具包”：通過將高性能、高成本效益的硅基氮化鎵射頻系統(tǒng)用于商業(yè)應(yīng)用，幫助客戶縮

2017年6月6日，馬薩諸塞州洛厄爾 – MACOM Technology Solutions Inc.（“MACOM”）今日宣布推出一款開發(fā)工具包，旨...

2017-06-12 標(biāo)簽：射頻氮化鎵macom 1271 0

AirFuel頒發(fā)技術(shù)領(lǐng)袖獎 表彰無線電力行業(yè)杰出貢獻(xiàn)者

2019年3月12日，由新一代無線充電技術(shù)領(lǐng)軍者AirFuel無線充電聯(lián)盟與天地互連聯(lián)合舉辦的“第二屆無線充電大會暨開發(fā)者論壇”在深圳蛇口南海希爾頓酒店...

2019-03-22 標(biāo)簽：氮化鎵無線充電Energous 1270 0

碳化硅和氮化鎵技術(shù)正在徹底改變汽車、工業(yè)、航空航天和國防領(lǐng)域的電源應(yīng)用

半導(dǎo)體器件的最終應(yīng)用領(lǐng)域?qū)﹄娫磻?yīng)用的硅替代品的要求越來越高： 硅 Mosfets 的開關(guān)電阻太高，無法達(dá)到 SiC（碳化硅）提供的 99% 的轉(zhuǎn)換效率。...

2022-08-04 標(biāo)簽：電源半導(dǎo)體氮化鎵 1268 0

Cambridge GaN Devices 在 2023 年 APEC 大會上展示電力電子裝置的可持續(xù)未來

3 月 19 日星期日至 3 月 23 日星期四，佛羅里達(dá)州奧蘭多橘郡會議中心 【2023年3月13日，英國劍橋訊】Cambridge GaN Devi...

2023-03-14 標(biāo)簽：電源氮化鎵HEMT 1265 0

科雅PD快充專用薄膜電容器的優(yōu)點

PD快充的出現(xiàn)，讓我們手機充電器越來越小，但充電速度越來越快，甚至一個充電器可以滿足手機、平板電腦、筆記本電腦的充電需求。

2025-07-04 標(biāo)簽：適配器氮化鎵PD快充 1261 0

康佳訂購AIXTRON MOCVD系統(tǒng)進(jìn)入Micro LED試生產(chǎn)

與現(xiàn)有的LCD和OLED技術(shù)相比，Micro LED為消費類移動產(chǎn)品以及高端電視顯示器的設(shè)計提供了新的機遇。

2020-03-18 標(biāo)簽：顯示器氮化鎵康佳 1259 0

小體積30W氮化鎵PD參考設(shè)計,CX75GE030DI合封芯片來助力！

高集成30W氮化鎵合封芯片CX75GE030DI助力充電器輕松實現(xiàn)簡化電源設(shè)計，CX75GE030DI內(nèi)部集成了氮化鎵功率管控制和驅(qū)動電路芯片，外圍精簡...

2023-10-19 標(biāo)簽：芯片充電器氮化鎵 1256 0

功率電子元件市場走俏，日廠商聯(lián)手搶攻

隨著市場對混合動力/電動車的需求不斷增加，晶片產(chǎn)業(yè)對功率電子元件市場的期望也越來越高；市場研究機構(gòu) IHS 指出，來自電源供應(yīng)器、太陽光電逆變器（PV）...

2013-08-05 標(biāo)簽：元器件氮化鎵碳化硅 1253 0

中國降價影響美臺三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)利潤

有報道稱，兩年前，第三代半導(dǎo)體概念曾成為市場熱點，不僅中國大陸股市大幅上漲，還推動臺灣地區(qū)同類企業(yè)股價攀升。然而，近兩年來，美臺相關(guān)企業(yè)業(yè)績表現(xiàn)與預(yù)期相去甚遠(yuǎn)。

2024-05-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1252 0

安世半導(dǎo)體再獲功率器件行業(yè)大獎！

由世紀(jì)電源主辦的第十三屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇在已于2月25日在深圳成功落下帷幕。在論壇同期舉辦的 2022 電源行業(yè)配套品牌頒獎晚會評選中，Nexper...

2023-03-06 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 1248 0

GaN:RX65T300 HS2A,240mΩ的原理、特點及優(yōu)勢

GaN:RX65T300 HS2A是一種基于氮化鎵技術(shù)的功率器件，具有較低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗、高的開關(guān)速度和可靠性。其特點和優(yōu)勢如下：1. 低導(dǎo)通電阻...

2023-04-20 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 1248 0

聚能創(chuàng)芯完成1.7億元A輪融資

近日，青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司（以下簡稱“聚能創(chuàng)芯”）完成了一項重大里程碑，成功募集1.7億元人民幣的A輪融資。這一重要融資不僅為聚能創(chuàng)芯的快速發(fā)展注...

2024-01-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 1245 0

大功率器件氮化鎵芯片系列產(chǎn)品KT65C1R070D、KT65C1R120D

Keep Tops繼年初推出KT65C1R200D 等氮化鎵功率器件后；最近再次推出KT65C1R070D、KT65C1R120D系列氮化鎵功率芯片，K...

2023-09-20 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵功率芯片 1244 0