下一代GaNFast氮化鎵技術(shù)為三星打造超快“加速充電”(SFC)

加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）宣布其GaNFast氮化鎵功率芯片為三星全新發(fā)布的“AI機皇”—— Galaxy S24智能手機打造25W超快“加速充電”。

作為新一代三星旗艦，Galaxy S24配備了一塊2340 x 1080（FHD+）分辨率的第二代動態(tài)AMOLED屏，最高刷新率可達120Hz。Galaxy S24還集成了創(chuàng)新實用的人工智能功能，為用戶的交流、創(chuàng)作和發(fā)現(xiàn)世界的方式提供更多可能。Galaxy的人工智能功能，如實時翻譯、聊天助理以及和谷歌合作的全新“圈選搜索”功能，為S24用戶帶來全新的智能手機體驗。

由納微半導體助力打造的25W GaNFast充電器，僅需30分鐘就能為Galaxy S24所配備的4000mAh電池充至一半電量，并支持USB PD 3.0（Type-C）協(xié)議，能與其他三星產(chǎn)品如Galaxy Buds2、Galaxy Z Fold5、Galaxy Flip和Galaxy A23等兼容，為它們提供高達25W的充電功率。

基于可持續(xù)發(fā)展的環(huán)保理念，該25W充電器在待機模式下的功耗降低了75%。納微半導體的GaNFast技術(shù)運用在高頻反激（HFQR）拓撲中，運行頻率達150kHz，比標準硅設(shè)計快3倍，同時與傳統(tǒng)充電器設(shè)計相比，體積縮小了30%。

納微半導體全球高級銷售副總裁David Carroll

“我們很高興能夠與三星進一步深入合作，與他們一同開發(fā)突破性的手機充電技術(shù)。

納微半導體的GaNFast氮化鎵功率芯片助力三星打造緊湊輕量、能效更高的25W充電器，可為全新的Galaxy S24和三星其他系列的手機和配件帶來快速充電。”

審核編輯：劉清