英諾芯半導(dǎo)體IN3261G+IN1305M :33W氮化鎵

IN3261G+IN1305M同步是目前市面上最簡(jiǎn)潔的33W PD充電器方案之一 IN3261G IN3262G為高性能多模式 PWM?反激式控制器。該...

2023-05-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 1209 0

小米11攜55W氮化鎵充電器全球上市，納微氮化鎵技術(shù)走向世界

氮化鎵（GaN）是第三代半導(dǎo)體技術(shù)，其運(yùn)行速度比舊的慢速硅（Si）快20倍，并且可以以三分之一的體積和重量，實(shí)現(xiàn)高達(dá)三倍的功率或充電速度。

2021-03-15 標(biāo)簽：充電器半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵 1207 0

國(guó)星半導(dǎo)體氮化鎵專利已申請(qǐng)200多篇 正積極進(jìn)行第三代半導(dǎo)體相關(guān)的技術(shù)儲(chǔ)備

近日，國(guó)星光電在深交所互動(dòng)易平臺(tái)上回答了投資者的問(wèn)題時(shí)表示，硅基AlGaN垂直結(jié)構(gòu)近紫外大功率LED外延、芯片與封裝研究及應(yīng)用”及公司參與申報(bào)的“彩色M...

2020-02-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵國(guó)星光電 1207 0

氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成C+輪數(shù)億元融資

近日，第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成C+輪數(shù)億元融資，這是晶湛公司繼2022年完成2輪數(shù)億元融資以來(lái)的又一融資進(jìn)展。

2023-12-09 標(biāo)簽：新能源汽車半導(dǎo)體氮化鎵 1206 0

英飛凌科技完成對(duì)GaN Systems Inc.的收購(gòu)

英飛凌科技集團(tuán)今天宣布，對(duì)GaN Systems Inc.的收購(gòu)已經(jīng)完成。這家總部位于渥太華的公司提供廣泛的氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換解決方案和尖端應(yīng)用專...

2023-10-25 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體英飛凌科技 1206 0

納微半導(dǎo)體閃亮登場(chǎng)慕尼黑上海電子展，氮化鎵最新工業(yè)級(jí)應(yīng)用產(chǎn)品首次公開(kāi)亮相

DUBLIN， IRELAND —（PRWeb） 納微半導(dǎo)體宣布，在為期三天的2021年慕尼黑上海電子展上，成功完成一系列GaNFast? 大功率氮化鎵...

2021-04-27 標(biāo)簽：氮化鎵慕尼黑上海電子展納微半導(dǎo)體 1204 0

英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心正式啟用

11月20日，英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心正式啟用 將打造成為新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)基地同時(shí)開(kāi)展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問(wèn)題研究提升氮化鎵材料與器...

2023-11-22 標(biāo)簽：氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體英諾賽科 1191 0

三代半導(dǎo)體材料的區(qū)別是什么

研究機(jī)構(gòu)：“全球碳化硅、氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)2022年將達(dá)到18.4億美元，2025年會(huì)進(jìn)一步增長(zhǎng)到52.9億美元”。那么什么是半導(dǎo)體？

2022-12-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1189 0

科銳推進(jìn)建造全球最大SiC器件制造工廠和擴(kuò)大SiC產(chǎn)能

科銳目前正在美國(guó)紐約州Marcy建造全球最大的碳化硅 （SiC） 制造工廠。這一全新的、采用領(lǐng)先前沿技術(shù)的功率和射頻制造工廠將滿足車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)和200mm工藝。

2020-08-31 標(biāo)簽：氮化鎵科銳半導(dǎo)體制造 1189 0

Panasonic 高效GaN 電源解決方案 登陸Mouser

2016年3月29日 – 貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開(kāi)始分銷Panasonic氮化鎵（GaN）解決方案。為滿足現(xiàn)代電源的...

2016-03-29 標(biāo)簽：晶體管Mouser氮化鎵 1185 0

馬瑞利與Transphorm達(dá)成戰(zhàn)略合作 將進(jìn)一步完善新能源汽車技術(shù)領(lǐng)域的布局

日前，汽車零部件供應(yīng)商MARELLI（馬瑞利）與半導(dǎo)體公司Transphorm達(dá)成戰(zhàn)略合作。前者將獲得電動(dòng)和混合動(dòng)力車輛領(lǐng)域的的動(dòng)力總成逆變器開(kāi)發(fā)技術(shù)，...

2020-03-10 標(biāo)簽：新能源汽車氮化鎵Transphorm 1178 0

GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上

近期，大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上

2024-01-15 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵GaN 1177 0

德州儀器擴(kuò)大氮化鎵半導(dǎo)體制造規(guī)模

近日，德州儀器（TI）宣布了一個(gè)重要的產(chǎn)能提升計(jì)劃。公司在日本會(huì)津工廠的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體已經(jīng)正式投產(chǎn)。

2024-11-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體德州儀器氮化鎵 1174 0

GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)

每個(gè)世紀(jì)在人類努力的各個(gè)領(lǐng)域都有其重大發(fā)明。對(duì)于電力電子而言，21世紀(jì)正在加速發(fā)現(xiàn)寬帶隙。在過(guò)去的二十年里，研究人員和大學(xué)已經(jīng)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn)...

2022-07-27 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 1174 0

Nexperia斥資2億美元,布局未來(lái)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

在全球電氣化和數(shù)字化浪潮不斷加速的今天，半導(dǎo)體技術(shù)作為其核心驅(qū)動(dòng)力，正迎來(lái)前所未有的發(fā)展機(jī)遇。近日，全球知名半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）宣...

2024-06-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1171 0

GaN紫外傳感器的6中類型介紹

氮化鎵（GaN）是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，禁帶寬度為3.4eV，對(duì)應(yīng)截至波長(zhǎng)365nm，對(duì)可見(jiàn)光無(wú)響應(yīng)，克服了硅基紫外傳感器對(duì)可見(jiàn)光有強(qiáng)烈響應(yīng)，且紫外靈...

2023-01-12 標(biāo)簽：傳感器氮化鎵GaN 1167 0