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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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直擊AI服務(wù)器電源痛點(diǎn)!英諾賽科4.2KW氮化鎵方案在2025慕展驚艷登場
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/章鷹)4月15日到17日,在慕尼黑上海電子展上,功率器件大廠英諾賽科帶來了數(shù)字能源、消費(fèi)電子、汽車電子、機(jī)器人領(lǐng)域最新的氮化鎵器件...
OPPO作為快充行業(yè)的先行者,一直引領(lǐng)著智能手機(jī)的快充市場,最早期的VOOC閃充“充電五分鐘,通話兩小時”深入人心,演進(jìn)自SuperVOOC架構(gòu)的125...
用 Hercules 開發(fā)套件來控制 GaN 功率級——第 2 部分
在我的上一篇博文中,我為大家介紹了一個動手操作項(xiàng)目:用一個氮化鎵 (GaN) 功率級、一個Hercules 微控制器和一個滾輪來調(diào)節(jié)一盞燈的亮度。我講到...
大大減少體積及損耗!羅姆Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”重磅來襲
為進(jìn)一步滿足消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出的更高節(jié)能要求,以實(shí)現(xiàn)社會的可持續(xù)發(fā)展,羅姆開發(fā)出集650V GaN HEMT和柵極驅(qū)動用驅(qū)動器等于一體的Pow...
8日,亞洲充電展(秋季)在福田會展中心順利舉辦。作為充電行業(yè)最具人氣的展會,3天展會帶來過萬人次的流量,吸引了各行業(yè)內(nèi)的專家、采購、工程師來參觀交流。 ...
Wolfspeed的CG2H80060D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備優(yōu)異的性能指標(biāo);CG2H800...
宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出兩款100V eGaN FET,為業(yè)界樹立全新性能基準(zhǔn)
EPC2218(3.2 mΩ、231 Apulsed)和EPC2204(6 mΩ、125 Apulsed)比前代eGaN FET的導(dǎo)通電阻降低了接近20...
2020-09-24 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管氮化鎵激光雷達(dá) 1324 0
不久前,SiC和GaN器件的應(yīng)用還被認(rèn)為是困難的,但到了2018年,這些技術(shù)的優(yōu)勢開始被應(yīng)用到現(xiàn)實(shí)生活中。這項(xiàng)新技術(shù)成功背后的原因是什么? SiC 和 ...
意法半導(dǎo)體推出下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片
2023年12月15日,中國-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片,利用寬...
2023-12-15 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體晶體管 1305 0
由愛戴愛集團(tuán)主辦,《Bodo‘s功率系統(tǒng)》雜志協(xié)辦、上海鷹峰電子科技有限公司、英國Amantys、羅杰斯贊助的PEC-電力電子峰會西安站將于2013年1...
納微半導(dǎo)體與Live Oak II簽訂合并最終協(xié)議,以10.4億美元的企業(yè)價值上市
納微半導(dǎo)體已向戴爾、聯(lián)想、小米、OPPO、LG、亞馬遜、貝爾金等幾十家高端客戶交付了超過1800萬顆GaNFast?功率芯片,沒有收到任何故障報告。
炎熱的夏天,總是需要一些沖散酷暑的小電器,給生活制造驚喜??蛻糇罱鼰豳u的制冷杯,被稱為夏日“行走的小冰箱”,受到了許多上班族和戶外一族的喜愛,充電部分采...
納微半導(dǎo)體發(fā)布了最新的AI人工智能數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖
納微氮化鎵和碳化硅技術(shù)并進(jìn),下一代AI數(shù)據(jù)中心電源功率突破飛升
意法半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體PowerGaN系列首發(fā),讓電源能效更高、體積更纖薄
意法半導(dǎo)體推出了一個新系列—— 氮化鎵(GaN) 功率半導(dǎo)體。該系列產(chǎn)品屬于意法半導(dǎo)體的STPOWER 產(chǎn)品組合,能夠顯著降低各種電子產(chǎn)品的能耗和尺寸。
2021-12-17 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體 1292 0
第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)——氮化鎵、碳化硅
隨著全球進(jìn)入物聯(lián)網(wǎng)、5G、綠色能源和電動汽車時代,能夠充分展現(xiàn)高電壓、高溫和高頻能力、滿足當(dāng)前主流應(yīng)用需求的寬禁帶半導(dǎo)體高能量轉(zhuǎn)換效率半導(dǎo)體材料開始...
全球半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者羅姆公司,即將于2024年8月28日至30日在深圳國際會展中心(寶安新館)盛大亮相,參與備受矚目的2024深圳國際電力元件、可再生...
納微半導(dǎo)體助?摩托羅拉X30 Pro發(fā)布全新125W氮化鎵快充
作為摩托羅拉的最新旗艦?機(jī),X30 Pro搭載了4nm的?通驍龍8+Gen 1處理器,采?6.7英??持144Hz刷新率的OLED顯?屏。值得?提的是,...
2022-11-15 標(biāo)簽:摩托羅拉氮化鎵納微半導(dǎo)體 1287 0
納微半導(dǎo)體與欣銳科技聯(lián)合打造新型研發(fā)實(shí)驗(yàn)室
納微半導(dǎo)體,作為氮化鎵和碳化硅功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者,近日宣布與深圳欣銳科技股份有限公司聯(lián)合打造的新型研發(fā)實(shí)驗(yàn)室正式揭牌。這一創(chuàng)新合作旨在推動電動汽車電源...
2024-01-30 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 1280 0
氮化鎵(GaN)作為現(xiàn)在重要的第三代半導(dǎo)體材料,具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力,能夠...
日本企業(yè)加速氮化鎵半導(dǎo)體生產(chǎn),力推電動汽車?yán)m(xù)航升級
日本公司正積極投入大規(guī)模生產(chǎn)氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體器件,旨在提升電動汽車的行駛里程。盡管氮化鎵與碳化硅(SiC)在電動汽車功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用上競爭...
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