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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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利用氮化鎵場效應(yīng)晶體管和LM5113半橋驅(qū)動器實現(xiàn)的功率及效率
但如何能夠產(chǎn)生所要求的快速變化、帶寬處于數(shù)十兆赫茲（MHz）范圍的供電電壓？我們可以通過不同的方法來實現(xiàn)。其中一個方法是使用如圖2所示的混合式線性放大器...
氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)開發(fā)的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)
氮化鎵(GaN)功率器件以離散形式已在電源充電器的應(yīng)用領(lǐng)域得到廣泛采用。在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，GaN高遷移率電子晶體管(HEMT)的諸多材料和器件優(yōu)勢也推動...
制造大直徑GaN襯底的要點（鈉熔劑法） 豐田合成表示，6英寸功率半導(dǎo)體氮化鎵襯底的研發(fā)得益于早期LED氮化鎵襯底技術(shù)的積累。
2022-11-18 標(biāo)簽：氮化鎵 2941 0
氮化鎵（GaN）MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）管驅(qū)動芯片是一種新型的電子器件，它采用氮化鎵材料作為通道和底層襯底，具有能夠承受高功率、高頻率和高溫度的特性。...
氮化鎵 （GaN） 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關(guān)...
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢
設(shè)計出色功效的電子應(yīng)用時，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的器件。與電子開關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術(shù)具有...
2023-10-12 標(biāo)簽：SiC氮化鎵電子開關(guān) 2901 1
基于增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?技術(shù)）的電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計
基于增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?技術(shù)）的電源轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點，其現(xiàn)有數(shù)據(jù)中心和集中于低至1VDC負(fù)載電壓的48 VDC輸入電壓所用的電信架構(gòu)解決方案。
2021-01-20 標(biāo)簽：服務(wù)器電源轉(zhuǎn)換器氮化鎵 2881 0
DC/DC轉(zhuǎn)換器 EMI的工程師指南-第1部分，規(guī)范和測量
多數(shù)電源應(yīng)用必須減少電磁干擾 （EMI） 以滿足相關(guān)要求，系統(tǒng)設(shè)計人員必須嘗試各種方法來減少傳導(dǎo)和輻射發(fā)射。
2019-08-09 標(biāo)簽：emiDC-DC轉(zhuǎn)換器電磁干擾 2880 0
安森美半導(dǎo)體GaN晶體管——追求更快、更智能和更高能效
氮化鎵(GaN)，作為時下新興的半導(dǎo)體工藝技術(shù)，提供超越硅的多種優(yōu)勢。與硅器件相比，GaN在電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度上實現(xiàn)了性能的飛躍，廣泛應(yīng)用于功率因數(shù)...
近幾十年來，電力電子設(shè)備發(fā)展迅速，主要是由于半導(dǎo)體開關(guān)速度越來越快，這使得設(shè)計更小的電力存儲組件（如電容器和電感）成為可能。結(jié)合更高的效率，這可以實現(xiàn)更...
氮化鎵集成電路縮小電動自行車和無人機(jī)的電機(jī)驅(qū)動器
基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計EPC9173無論是在尺寸、性能、續(xù)航里程、精度和扭矩方面，優(yōu)化了電機(jī)系統(tǒng)且簡化設(shè)計和加快產(chǎn)品推出市場的時間。我們可以把這...
2022-06-06 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵電機(jī)驅(qū)動器 2806 0
同為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵時常被人用來與碳化硅作比較，雖然沒有碳化硅發(fā)展的時間久，但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、飽和電子漂移速度...
SIC比SI有什么優(yōu)勢？碳化硅優(yōu)勢的實際應(yīng)用
SiC的導(dǎo)熱性大約是Si的三倍，并且將其他特性的所有優(yōu)點結(jié)合在一起。導(dǎo)熱率是指熱量從半導(dǎo)體結(jié)傳遞到外部環(huán)境的速度。這意味著SiC器件可以在高達(dá)200°C...
電機(jī)驅(qū)動中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景
通過采用電子馬達(dá)驅(qū)動器或“電壓源逆變器”可實現(xiàn)對電機(jī)的增強(qiáng)型控制，此類驅(qū)動器通常會產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動器采用...
2021-04-28 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動功率器件氮化鎵 2755 0
驗證電源半橋拓?fù)涫欠裾_交叉導(dǎo)通的常用方法是使用兩個探針同時驗證高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動信號之間的死區(qū)時間。
2021-01-08 標(biāo)簽：開關(guān)電源晶體管氮化鎵 2738 0
可換成氮化鎵就不一樣了，單車變轎車，開關(guān)頻率得到大幅提升，損耗還更小。如此一來，充電器就能用上體積更小的變壓器、電容、電感。。。。。。從而有效縮小充電器...
Power Integrations宣布了其最新的MinE-CAP技術(shù)，該技術(shù)是具有通用輸入的高功率密度AC / DC轉(zhuǎn)換器（電源）的解決方案。除了將高...
碳化硅基氮化鎵功率放大器和mMIMO天線在部署5G服務(wù)中的應(yīng)用
為了能夠滿足這些新應(yīng)用程序所需必要的網(wǎng)絡(luò)吞吐量和可靠性，則需要運(yùn)用新的技術(shù)。實現(xiàn)下一層級互聯(lián)互通的部分問題在于，在為同一區(qū)域內(nèi)的一個量級或更多附加用戶設(shè)...
硅材料的功率半導(dǎo)體器件已被廣泛應(yīng)用于大功率開關(guān)中，如電源、電機(jī)控制、工廠自動化以及部分汽車電子器件。這些硅材料功率半導(dǎo)體器件都著重于減少功率損耗。在這些...
2023-11-09 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵功率半導(dǎo)體 2701 0
隨著半導(dǎo)體化合物持續(xù)發(fā)展，相較第一代硅基半導(dǎo)體和第二代砷化鎵等半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高工作溫度等優(yōu)點。以SiC和G...
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