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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵（GaN）是一種具有寬帶隙的半導(dǎo)體，其開(kāi)關(guān)速度比硅元件快20倍，并且可以處理高達(dá)三倍的功率密度。如果在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的PFC和轉(zhuǎn)換器級(jí)中使用GaN開(kāi)關(guān)...
2023-04-04 標(biāo)簽：氮化鎵GaN電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 2390 0
引言 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種具有重要應(yīng)用前景的第三代半導(dǎo)體材料。它們具有高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，被廣泛...
2024-09-02 標(biāo)簽：電子器件半導(dǎo)體材料氮化鎵 2342 0
氮化鎵半導(dǎo)體芯片（GaN芯片）和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片在組成材料、性能特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在著明顯的區(qū)別。本文將從這幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首先，氮化鎵半...
解讀納微電機(jī)驅(qū)動(dòng)專用型GaNSense氮化鎵功率芯片
據(jù)估計(jì)，電動(dòng)機(jī)和驅(qū)動(dòng)器消耗的電力約占全球總發(fā)電量的 45%，相當(dāng)于每年超過(guò) 12,000 太瓦時(shí)（TWh）的電力，約為全球最大的新疆 5GW 太陽(yáng)能發(fā)電...
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)...
2023-02-10 標(biāo)簽：無(wú)線通信氮化鎵半導(dǎo)體制造 2327 0
氮化鎵晶體管型號(hào)參數(shù)主要包括電壓限值、電流密度、功率密度、效率、溫度系數(shù)、漏電流、漏電壓、抗電磁干擾能力等。
**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通...
幾種led襯底的主要特性對(duì)比 氮化鎵同質(zhì)外延的難處
GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。其中，襯底是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底，GaN自然是最適合用來(lái)作為GaN外延...
大多數(shù)iii\-氮化物的蝕刻目前是通過(guò)干燥工藝完成的。雖然干蝕刻具有許多理想的特性，包括高蝕刻率和獲得垂直壁的能力，但干蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子致?lián)p...
簡(jiǎn)單回顧氮化鎵與硅基MOS管相比，氮化鎵結(jié)構(gòu)的特性。然后從消費(fèi)類、工業(yè)領(lǐng)域以及汽車領(lǐng)域介紹了氮化鎵器件的應(yīng)用技術(shù)情況，重點(diǎn)介紹了氮化鎵當(dāng)前的主要應(yīng)用領(lǐng)域...
氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢(shì)，如寬能隙和高電子遷移率。當(dāng)用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時(shí)，這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槠錈o(wú)反向恢復(fù)...
GaN將徹底改變數(shù)據(jù)中心電源 數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)是下一個(gè)角逐點(diǎn)
高可靠性，高性能氮化鎵功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供應(yīng)商Transphorm與貝爾集團(tuán)（Bel Group）聯(lián)合宣布Bel的鈦效率電源中使用了六個(gè)Transphorm的...
2021-01-22 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 2254 0
深度拆解：納微NV6136A助力打造聯(lián)想超薄餅干65W氮化鎵充電器
同時(shí)充電器具有65W主流輸出功率，功率密度高達(dá)1.39W/cm3，并且兼容PD3.0、QC3.0以及PPS三大快充協(xié)議，成為快充界的“卷王擔(dān)當(dāng)”。下面來(lái)...
氮化鎵是一種無(wú)機(jī)化合物，化學(xué)式為GaN，它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學(xué)性質(zhì)，使其在科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用。 氮化鎵是...
氮化鎵是半導(dǎo)體與微電子產(chǎn)業(yè)的新星，其高電子能量的特性使其擁有極高的電能轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)秀的高頻特性。業(yè)界已經(jīng)公認(rèn)氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體器件產(chǎn)品將統(tǒng)治微波放大...
如何最大限度地?cái)U(kuò)大基于氮化鎵 (GaN) 功率放大器的雷達(dá)系統(tǒng)的探測(cè)距離
雷達(dá)已成為軍事監(jiān)視、空中交通管制、太空任務(wù)和汽車安全等無(wú)數(shù)應(yīng)用領(lǐng)域不可或缺的設(shè)備。對(duì)于設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，最具挑戰(zhàn)性的情況是遠(yuǎn)程雷達(dá)，因?yàn)樵谶@種情況下，返回信...
GaN 是一種優(yōu)異的直接帶隙半導(dǎo)體材料，室溫下禁帶寬度為3.4 eV，具有優(yōu)良的光電性能、熱穩(wěn)定性及化學(xué)穩(wěn)定性，是制作高亮度藍(lán)綠發(fā)光二極管( LED) ...
氮化鎵(GaN) 是一種寬禁帶的直接帶隙半導(dǎo)體，它有著很寬的直接帶隙，很高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，很高的熱導(dǎo)率和非常好的物理、化學(xué)穩(wěn)定性。正因其各方面都有著非常好的...
2023-07-27 標(biāo)簽：氮化鎵半導(dǎo)體芯片GaN技術(shù) 2207 0
電子元件是電子設(shè)備和系統(tǒng)產(chǎn)品的最基本組成部分，其性能和可靠性對(duì)電子設(shè)備和系統(tǒng)的安全可靠運(yùn)行至關(guān)重要。
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