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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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初級主控芯片來自智融，型號為SW1106，是一顆支持增強型氮化鎵開關管直驅的高頻反激準諧振控制器，芯片內部集成氮化鎵驅動器，驅動電壓為6V，可直接驅動增...
2022-09-13 標簽：氮化鎵 2176 0
工程師兩難之氮化鎵GaN還是碳化硅SiC？到底該pick誰？
作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界，特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導體，是因為...
ST推出內置氮化鎵MOS的緊湊型控制芯片VIPERGAN65，尺寸為5*6mm，支持PD快充和緊湊型電源，提供OVP、OTP、OLP、Brown-in、...
隨著氮化鎵技術的不斷發(fā)展，氮化鎵也應用在了很多新興領域，充電頭網(wǎng)此次選取了手機、車充、PC電源、服務器電源、筆記本適配器、戶外電源等新場景，幫助大家掌握...
叉車應用的逆變器由 24 V 至 120 V 之間的直流電壓供電，可提供高達 900 ARMS 電機相電流。通常，每個生產商都有一個平臺方法，并銷售按電...
VIPERGAN50是VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達50 W功率的產品。這也是我們首款采用氮化鎵(GaN)晶體管...
在第 8 部分，我們將探討隔離式 DC/DC 電路的共模噪聲抑制方法。工作在高輸入電壓下的轉換器（例如，電動汽車車載充電系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)和射頻功放...
隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導體技術的時機已經成熟。傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT的性能現(xiàn)在接近材料的...
半導體材料是半導體產業(yè)的核心，它是制造電子和計算機芯片的基礎。半導體材料的種類繁多，不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現(xiàn)代半導體產業(yè)中常用的半導...
在上周的推文中，我們回顧了半導體材料發(fā)展的前兩個階段：以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代和以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代。（了...
如今，圍繞第三代半導體的研發(fā)和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導體材料能夠滿足未來電子產品在高...
一種是通過生長碳化硅同質外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領域的導電型襯底，外延層上制造各類功率器件； 另一種是通過生長氮化鎵異質外延...
過去在電子工業(yè)中知名的普萊思半導體有限公司，已交付到能夠一次處理7個6英寸的晶片的Aixtron（愛思強）公司，并用于生產高亮度LED。普萊思正在利用自...
氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬、機械穩(wěn)定的寬帶隙半導體?；贕aN的功率器件具有更高的擊穿強度、更快的開關速度、更高的導熱性和更低的導通電阻，其性能明顯...
氮化鎵工藝技術是什么意思？ 氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常...
氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料，上世紀90年代就已經有了氮化鎵的應用，這些年來氮化鎵已經成為了全球半導體研究的熱點，被譽為第三代半導體，其具有更...
氮化鎵功率芯片功率曲線分析 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉換和功率放大的半導體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實...
本文研究了四個經常被忽略的因素對基于GaN的全橋逆變器損耗模型的影響：器件的[寄生電容]()、時變功耗（Ploss）下的結溫度（*T*~j~）動力學、殼...
氮化鎵（GaN）為從RF-IC到眾多功率控制IC（例如通信，能源和軍事應用中使用的大功率HEMT）等各種模擬微芯片提供了顯著的性能優(yōu)勢。GaN還是高能效...
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