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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。
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霍爾傳感器在汽車電子、工業(yè)控制、電力與新能源、家電及消費(fèi)類產(chǎn)品中的應(yīng)用
根據(jù)霍爾效應(yīng)用半導(dǎo)體材料制成的元件叫霍爾元件。它具有對(duì)磁場(chǎng)敏感、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、頻率響應(yīng)寬、輸出電壓變化大和使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。因此,在測(cè)量、自動(dòng)化、計(jì)...
2023-06-01 標(biāo)簽:霍爾傳感器半導(dǎo)體材料工業(yè)控制 2213 0
贏得諾獎(jiǎng)的世上第一批富勒烯樣品如今只能被放在廁所里?
英國薩塞克斯大學(xué)化學(xué)系保留著一批珍貴的樣品:第一批富勒烯。這是諾獎(jiǎng)得主哈羅德?克羅托的遺物,見證了他經(jīng)歷被潛在合作者拒絕、申請(qǐng)經(jīng)費(fèi)卡殼、研究差點(diǎn)被搶發(fā),...
2021-05-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料 2200 0
淺析現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料
硅是最常見的半導(dǎo)體材料,它具有穩(wěn)定性好、成本低、加工工藝成熟等優(yōu)點(diǎn)。硅材料可以制成單晶硅、多晶硅、非晶硅等形式,其中單晶硅在制造集成電路方面應(yīng)用最廣泛。...
2023-11-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體材料氮化鎵 2199 0
日本與韓國就關(guān)于半導(dǎo)體材料協(xié)商失敗將進(jìn)行第二輪
據(jù)日本共同社報(bào)道,因日本加強(qiáng)對(duì)韓出口半導(dǎo)體材料的管制,韓國此前向世界貿(mào)易組織(WTO)提起了訴訟。當(dāng)?shù)貢r(shí)間 11 日,日韓兩國在 WTO 總部瑞士日內(nèi)瓦...
2019-10-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料 2191 0
SK海力士公布了其在2020年創(chuàng)造社會(huì)價(jià)值方面取得的成果
得益于半導(dǎo)體市況較去年有所改善,間接經(jīng)濟(jì)貢獻(xiàn)成果創(chuàng)造的社會(huì)價(jià)值相比2019年實(shí)現(xiàn)同比增長(zhǎng)32%(1.3143萬億韓元)。但是,由于溫室氣體排放等環(huán)境因素...
2021-05-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料固態(tài)硬盤SK海力士 2189 0
近期,SEMI機(jī)構(gòu)公布數(shù)據(jù)中看到,2011年全世界半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的銷售額達(dá)到478.6億美元,比2010年增長(zhǎng)6.7%。其中中國內(nèi)地的半導(dǎo)體材料市場(chǎng)銷售...
2012-10-19 標(biāo)簽:多晶硅半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體封裝 2172 0
2016年對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)來說是風(fēng)起云涌。為了度過難關(guān),各大企業(yè)不是一頭扎進(jìn)了瘋狂的并購潮,就是加大力度進(jìn)行技術(shù)研發(fā)。今天就讓我們來看一看2016年半導(dǎo)體材...
2017-01-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料石墨烯碳納米晶體管 2075 0
晶體管電流放大器的原理 晶體管在功放電路中的應(yīng)用實(shí)例
晶體管電流放大器的原理 晶體管是一種半導(dǎo)體器件,能夠?qū)﹄娏鬟M(jìn)行控制和放大。晶體管的工作原理基于半導(dǎo)體材料的PN結(jié)特性。PN結(jié)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成...
FLOSFIA 的氧化鎵功率器件使用一種稱為α-Ga2O3的材料。氧化鎵具有不同晶形的β-Ga2O3,結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定。然而,由于α型在帶隙等特性方面優(yōu)越(S...
2022-07-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料新材料氧化鎵 2047 0
愛發(fā)科王禹:碳化硅功率器件制造工藝設(shè)備技術(shù)進(jìn)展
面向未來智能社會(huì)所需的信息通信,電力電子,自動(dòng)駕駛等領(lǐng)域,近年來第三代功率半導(dǎo)體材料(SiC,GaN等)具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能...
2023-09-28 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料碳化硅 2046 0
顯示驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)業(yè)進(jìn)口論壇順利召開
來源:21ic電子網(wǎng) 2020年9月11日,上達(dá)電子江蘇邳州COF項(xiàng)目投產(chǎn)儀式、2020中國邳州半導(dǎo)體材料投資推介會(huì)暨顯示驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)業(yè)進(jìn)口替代專家論壇順...
2020-09-15 標(biāo)簽:顯示面板半導(dǎo)體材料上達(dá)電子 2046 0
作為產(chǎn)業(yè)上游關(guān)鍵,國產(chǎn)半導(dǎo)體材料進(jìn)展如何?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,2023年中國半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模為146億元,同比增長(zhǎng)12%;2016-2023年復(fù)合增長(zhǎng)率為10%,高于同...
2024-10-12 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體設(shè)備 2038 0
擁有半導(dǎo)體“野心”的國家開始意識(shí)到“偏科”可能是致命的,“設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)全都要”才是最為穩(wěn)妥的解決方案,從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)的先進(jìn)工藝制程端到端能力必須握在自己手上。
2021-04-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體臺(tái)積電半導(dǎo)體材料 2020 0
美國伊利諾伊大學(xué)的研究人員發(fā)明了一種化學(xué)腐蝕新技術(shù),可以在砷化鎵(GaAs)中生成圖形化陣列。該技術(shù)使高端光電裝置的制備變得更容易。
2012-02-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 1995 1
晶體管基本原理與工作機(jī)制 如何選擇適合的晶體管型號(hào)
晶體管基本原理與工作機(jī)制 晶體管的發(fā)明標(biāo)志著電子技術(shù)的重大突破,它使得電子設(shè)備小型化、集成化成為可能。晶體管的工作原理基于半導(dǎo)體材料的PN結(jié)特性。 1....
研究人員開發(fā)出了一種超級(jí)半導(dǎo)體材料
研究人員正在探索用于紅外探測(cè)器應(yīng)用的鋁和碳納米管。他們知道,在小的貴金屬顆粒(例如,金,銀,鉑)上照射光會(huì)引起所謂的等離子體效應(yīng),其中材料上的電荷以一種...
2022-07-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料計(jì)算機(jī)芯片 1963 0
氮化鎵(GaN)主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料,是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成...
2023-02-07 標(biāo)簽:芯片設(shè)計(jì)半導(dǎo)體材料氮化鎵 1960 0
有一種新開發(fā)的半導(dǎo)體材料輝鉬礦(molybdenite,MoS2),其功耗據(jù)說僅有硅材料的十萬分之一,又能用以制作出尺寸更小的晶體管
2011-02-24 標(biāo)簽:瑞士半導(dǎo)體材料輝鉬礦 1936 0
高科技半導(dǎo)體材料公司安集科技發(fā)布2022第一季度報(bào)告
高科技半導(dǎo)體材料公司安集微電子科技(上海)股份有限公司發(fā)布2022第一季度報(bào)告,具體內(nèi)容如下。 一、 主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù) (一)主要會(huì)計(jì)數(shù)據(jù)和財(cái)務(wù)指標(biāo) 單位:...
2022-06-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料安集科技 1931 0
富士膠片加碼半導(dǎo)體材料業(yè)務(wù),三年內(nèi)投資700億日元
日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道,富士膠片將在截至2024年3月的三年內(nèi),向其半導(dǎo)體材料業(yè)務(wù)投資700億日元(6.37億美元),以應(yīng)對(duì)5G和人工智能全球芯片需求激增的需...
2021-08-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料光刻膠富士膠片 1918 0
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