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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體材料

半導(dǎo)體材料

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半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。

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半導(dǎo)體材料資訊

8月1日快訊:光速被“降服”/棱鏡門升級(jí)

棱鏡門再次升級(jí),揭秘者斯諾登突然打破沉默再度爆猛料,美國(guó)國(guó)家安全局(NSA)所開發(fā)的一個(gè)互聯(lián)網(wǎng)監(jiān)視系統(tǒng)“Xkeyscore”能夠隨時(shí)查看各類隱私信息.我...

2013-08-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料棱鏡門電子快訊 2554 0

立方砷化硼有望成為下一代電子產(chǎn)品的候選材料

同時(shí)具有高電子和空穴遷移率以及高導(dǎo)熱率的半導(dǎo)體材料有益于提升微電子和光電子器件的性能(1,2)。然而,到目前為止,仍然沒有確認(rèn)同時(shí)具有高遷移率和熱導(dǎo)率的材料。

2022-09-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料晶格熱導(dǎo)率 2484 0

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展已成為半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)突破的關(guān)鍵環(huán)節(jié)

全球SiC的產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美國(guó)、歐洲、日本三足鼎立的態(tài)勢(shì)。美國(guó)的科銳、德國(guó)的英飛凌、日本的羅姆這三家公司占據(jù)了全球SiC市場(chǎng)約70%的份額,其中科銳、羅姆...

2020-09-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體半導(dǎo)體材料 2476 0

半導(dǎo)體發(fā)展:半導(dǎo)體材料將走向“納米化”

半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。伴隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)的壯大,半導(dǎo)體材料也不斷獲得突破。半導(dǎo)體納米科學(xué)技術(shù)的應(yīng)用,將從原子、分子、納米尺度水平上,控制和制...

2012-02-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 2476 0

各大展會(huì)延期、停辦,LED企業(yè)的“求生道”

4月16日,投資臺(tái)灣事務(wù)所再通過 LED 磊晶廠龍頭晶電、半導(dǎo)體測(cè)試大廠欣銓、全智科技、誠(chéng)遠(yuǎn)科技關(guān)于參與臺(tái)商回臺(tái)、根留臺(tái)灣地區(qū)的方案,共加碼超過 172...

2020-05-15 標(biāo)簽:led半導(dǎo)體材料5G網(wǎng)絡(luò) 2441 0

氧化鎵-新一代功率器件半導(dǎo)體材料

β-Ga2O3相對(duì)較低的遷移率使其能夠表現(xiàn)出比SiC和GaN更好的性能。從熔體中生長(zhǎng)的材料的特性使得以低于塊狀氮化鎵、碳化硅和金剛石的成本制造高質(zhì)量晶體...

2023-01-03 標(biāo)簽:晶圓功率器件半導(dǎo)體材料 2434 0

威頓晶磷完成億元級(jí)Pre-IPO輪融資

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中國(guó)本土的半導(dǎo)體市場(chǎng)需求占全球的1/3,隨著國(guó)內(nèi)新建晶圓廠陸續(xù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),配套半導(dǎo)體材料也迎來(lái)高速增長(zhǎng)。目前國(guó)內(nèi)85%半導(dǎo)體材料需要依靠進(jìn)口,國(guó)產(chǎn)替代空間巨大。

2023-08-26 標(biāo)簽:光伏晶圓廠半導(dǎo)體材料 2421 0

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碳化硅(SiC)在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)非常出色,這得益于其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)。以下是對(duì)碳化硅在高溫環(huán)境下表現(xiàn)的分析: 一、高溫穩(wěn)定性 碳化硅具有極高的熔點(diǎn)...

2024-11-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 2395 0

韓國(guó)中小型半導(dǎo)體材料和零部件制造商競(jìng)爭(zhēng)力有所提高

據(jù)韓媒businesskorea報(bào)道,日本去年宣布對(duì)韓國(guó)企業(yè)實(shí)施出口限制,引發(fā)了韓國(guó)中小型半導(dǎo)體材料和零部件制造商的擔(dān)憂。

2020-10-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料零部件 2375 0

半導(dǎo)體:現(xiàn)代電子技術(shù)的基石與多領(lǐng)域應(yīng)用

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2024-02-20 標(biāo)簽:集成電路二極管晶體管 2362 0

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事實(shí)上,將體溫發(fā)電與可穿戴設(shè)備相結(jié)合直至今天仍是一項(xiàng)創(chuàng)新之舉。 1998 年,日本著名制表公司精工(SEIKO)曾發(fā)布過一款由體溫供電的石英表 Seik...

2021-05-13 標(biāo)簽:led燈電壓半導(dǎo)體材料 2325 0

最新材料碳化硅(SiC) MOSFET已發(fā)布

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中國(guó)在碳化硅襯底領(lǐng)域的布局顯示出了其對(duì)半導(dǎo)體材料自主供應(yīng)鏈建設(shè)的重視。隨著全球?qū)Ω咝?、高耐用性電子器件需求的增加,碳化硅襯底由于其在高溫、高電壓和高頻...

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天津市成像與感知微電子技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室舉辦第一屆第五次學(xué)術(shù)委員會(huì)會(huì)議

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霍爾傳感器芯片該如何選型

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長(zhǎng)光華芯出售設(shè)備與惟清半導(dǎo)體共建碳化硅項(xiàng)目

據(jù)悉,此次股權(quán)交易涉及到77臺(tái)半導(dǎo)體工藝及制程相關(guān)的機(jī)器設(shè)備,包括半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)、晶圓制造、芯片解析等多個(gè)環(huán)節(jié)所需的生產(chǎn)工具和輔助系統(tǒng)。該批設(shè)備是長(zhǎng)光華...

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