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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1828個(gè) 瀏覽：92582次 帖子：50個(gè)

      功率器件技術(shù)

      功率器件封裝和適當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)的重要性

      功率器件封裝和適當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)的重要性

      高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對(duì)持續(xù)創(chuàng)新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無(wú)法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成...

      2023-07-10 標(biāo)簽：MOSFET封裝功率器件 549 0

      功率二極管和功率晶體管的國(guó)內(nèi)外研究總結(jié)

      對(duì) Ga2O3外延材料、功率二極管和功率晶體管的國(guó)內(nèi)外最新研究進(jìn)行了概括總結(jié)，展望了Ga2O3在未來(lái)的應(yīng)用與發(fā)展前景。

      2023-03-30 標(biāo)簽：功率器件氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 547 0

      南芯POWERQUARK?系列AC/DC轉(zhuǎn)換器解決方案

      南芯POWERQUARK?系列AC/DC轉(zhuǎn)換器解決方案

      功率密度的大幅提升離不開(kāi)第三代半導(dǎo)體的助力，氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，它可在更高的頻率下運(yùn)行，且具有更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的功耗。2018年前后...

      2023-11-15 標(biāo)簽：MOS功率器件氮化鎵 546 0

      新型功率器件的老化測(cè)試方法

      新型功率器件的老化測(cè)試方法

      隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，這些器件在長(zhǎng)期連續(xù)使用后會(huì)出現(xiàn)老化現(xiàn)...

      2025-06-03 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵碳化硅 524 0

      YAGEO與Pulse產(chǎn)品在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的應(yīng)用

      隨著物聯(lián)網(wǎng)（IoT）技術(shù)的快速發(fā)展，設(shè)備之間的高效、可靠連接成為關(guān)鍵課題。在物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中，集成連接器模塊、功率器件與保護(hù)器件的協(xié)同應(yīng)用，不僅能確保數(shù)據(jù)與...

      2025-04-25 標(biāo)簽：物聯(lián)網(wǎng)保護(hù)器件功率器件 522 0

      碳化硅功率器件市場(chǎng)前景！

      在過(guò)去幾年中，半導(dǎo)體行業(yè)出現(xiàn)了新一代高功率開(kāi)關(guān)，并開(kāi)始商業(yè)化。使用基于碳化硅（SiC）的器件有望顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，并允許比目前使用純硅（Si）器件更高的...

      2022-11-29 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 515 0

      應(yīng)用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級(jí)熱性能總結(jié)

      應(yīng)用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級(jí)熱性能總結(jié)

      德州儀器（TI）提供的一種新的驅(qū)動(dòng)器集成氮化鎵（GaN）功率級(jí)產(chǎn)品系列已在一個(gè)低成本、緊湊的四扁平無(wú)引腳（QFN）封裝中實(shí)現(xiàn)，該封裝尺寸為12mm x ...

      2025-02-25 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器封裝功率器件 511 0

      GaN與SiC功率器件深度解析

      GaN與SiC功率器件深度解析

      本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。...

      2025-05-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 510 0

      東芝半導(dǎo)體無(wú)繩吸塵器解決方案

      東芝半導(dǎo)體無(wú)繩吸塵器解決方案

      近年來(lái)，家居清潔產(chǎn)品正朝著無(wú)線化、智能化和高效能的方向快速發(fā)展。無(wú)繩吸塵器憑借其便捷性和靈活性，已成為市場(chǎng)主流。然而，為了滿足用戶對(duì)更長(zhǎng)續(xù)航、更強(qiáng)動(dòng)力和...

      2025-05-24 標(biāo)簽：MOSFET東芝吸塵器 491 0

      平面全屬化封裝技術(shù)

      平面全屬化封裝技術(shù)

      圖2給出了一個(gè)集成模塊的剖面圖，應(yīng)用了嵌入功率器件的多層集成封裝技術(shù)。包括：散熱板、基板、絕緣傳熱材料、功率母線、功率器件、銅層、陶瓷、集成無(wú)源模塊、金...

      2023-08-24 標(biāo)簽：模塊封裝技術(shù)功率器件 489 0

      功率器件在靜止變頻技術(shù)中的應(yīng)用

      功率器件在靜止變頻技術(shù)中的應(yīng)用主要有三個(gè)方面：首先，功率器件可以用來(lái)控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速，從而實(shí)現(xiàn)變頻控制；其次，功率器件可以用來(lái)控制電機(jī)的功率，從而實(shí)現(xiàn)節(jié)能...

      2023-02-16 標(biāo)簽：功率器件變頻技術(shù)控制電機(jī) 479 0

      電源IC U5402的典型應(yīng)用和主要特點(diǎn)

      電源ic U5402通過(guò)硬件電路實(shí)現(xiàn)雙通道輸入的信號(hào)互鎖，確保高低側(cè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)無(wú)法同時(shí)導(dǎo)通，避免功率器件（如MOSFET/IGBT）因直通電流導(dǎo)致短路損壞...

      2025-03-28 標(biāo)簽：MOSFET功率器件電源IC 468 0

      汽車電子系統(tǒng)功率MOSFET的解決方案

      汽車電子系統(tǒng)功率MOSFET的解決方案

      汽車電子MOSFET發(fā)展的一個(gè)最終方向是提高感測(cè)、控制和保護(hù)功率開(kāi)關(guān)的性能。功率器件正集成到智能化車載系統(tǒng)中?，F(xiàn)在在最低功率級(jí)別，MOSFET可以與功率...

      2023-10-20 標(biāo)簽：集成電路MOSFET汽車電子 463 0

      PCB設(shè)計(jì)之熱干擾及抵制

      元器件在工作中都有一定程度的發(fā)熱，尤其是功率較大的器件所發(fā)出的熱量會(huì)對(duì)周邊溫度比較敏感的器件產(chǎn)生干擾，若熱干擾得不到很好的抑制，那么整個(gè)電路的電性能就會(huì)...

      2023-08-04 標(biāo)簽：電路元器件功率器件 457 0

      GaN HEMT憑什么贏得市場(chǎng)青睞

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      硅基半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)多年發(fā)展，其性能逐漸接近極限，在進(jìn)一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。

      2025-02-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 450 0

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      在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測(cè)試（DPT）作為一種關(guān)鍵的測(cè)試方法，為功率器件的動(dòng)態(tài)行為評(píng)估提供了精準(zhǔn)的手段...

      2025-06-05 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器功率器件功率半導(dǎo)體 447 0

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      碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體，用于制造電動(dòng)汽車、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。

      2023-10-17 標(biāo)簽：MOSFET逆變器IGBT 441 0

      國(guó)內(nèi)SiC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展 sic半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

      碳化硅市場(chǎng)產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅件研發(fā)和封裝測(cè)試四個(gè)部分，分別占市場(chǎng)總成本的45%15%、25%、 15%。 海外以IDM為主要...

      2022-12-28 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 433 0

      如何為功率器件找到合適的驅(qū)動(dòng)芯片

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      每一個(gè)功率器件都需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片，合適的驅(qū)動(dòng)芯片總能帶來(lái)事半功倍的效果，為客戶提供全面、高效的產(chǎn)品和解決方案

      2023-12-04 標(biāo)簽：整流器驅(qū)動(dòng)IC功率器件 422 0

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      UCC24610 次級(jí)側(cè)同步整流器控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      這款 GREEN 整流器控制器是一款高性能控制器和驅(qū)動(dòng)器，適用于用于低壓次級(jí)側(cè)同步整流的標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平 N 溝道 MOSFET 功率器件。 控制器...

      2025-03-28 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器整流器 411 0

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        工業(yè)4.0是由德國(guó)政府《德國(guó)2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來(lái)項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國(guó)加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個(gè)國(guó)家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實(shí)現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉市。
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        　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動(dòng)計(jì)算平臺(tái)的基礎(chǔ)，它是一個(gè)開(kāi)放的、可升級(jí)的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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        ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過(guò)轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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        MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時(shí)稱作分頁(yè)內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問(wèn)請(qǐng)求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
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