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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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淺談采埃孚的IGBT功率器件數(shù)字孿生技術(shù)
該方法創(chuàng)建了基于Ansys Twin Builder軟件的熱降階模型,并和CFD的3D熱仿真進行了對比。簡化的ROM降階模型在所有的計算結(jié)果中都獲得了可...
介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、結(jié)構(gòu)、特性和可靠性技術(shù),器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導(dǎo)體器件,包括二極管、晶閘管、MOSFET、IG...
功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)選型避坑指南
動態(tài)特性是功率器件的重要特性,在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學(xué)術(shù)研究等各個環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是相關(guān)工作的必備一環(huán),主要采用...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET測試系統(tǒng)分立器件 670 0
功率電子產(chǎn)品的應(yīng)用已擴展到相當(dāng)多的行業(yè),如汽車,航空航天和軍事行業(yè)。高功率電子設(shè)備需要能夠適應(yīng)更高的使用溫度(>250°C),這大大增加了對設(shè)備材...
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,傳統(tǒng)的硅基功率器件因其物理特性的限制,已經(jīng)逐漸難以滿足日益增長的高性能、高效率、高可靠性的應(yīng)用需求。在這一背景下,碳化硅(S...
新能源汽車功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測技術(shù)研究
提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導(dǎo)通壓降及電流在線檢測電路,設(shè)計了兼具結(jié)溫監(jiān)測功能的驅(qū)動電路,并提出了- -種結(jié)溫反推方法,提升了結(jié)...
“光伏”是當(dāng)下新能源行業(yè)的熱門話題。隨著全球能源危機不斷加劇,太陽能作為一種綠色、可再生的能源逐漸受到人們的關(guān)注。在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,光伏逆變器的作用不...
相比于目前常見的寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN,Ga2O3的Baliga品質(zhì)因數(shù)更大、預(yù)期生長成本更低,在高壓、大功率、高效率、小體積電子器件方面更具潛力。
浮思特 | 第四代場阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能
由于其低導(dǎo)通損耗和開關(guān)能量損耗,IGBT廣泛應(yīng)用于高功率應(yīng)用領(lǐng)域,如電源、馬達驅(qū)動逆變器和電動汽車等。對更先進功率器件的需求促使了新型硅基開發(fā)及寬禁帶材...
為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關(guān)斷特性及短路特性之間的矛盾,提高器件的綜合性能和可靠性,在IGBT中引入了一種電子注入增強效應(yīng)(Injection Enha...
大聯(lián)大品佳集團推出基于Infineon核心技術(shù)的 48V EEA方案 引領(lǐng)未來
品佳集團推出基于Infineon技術(shù)的48V EEA方案,兼容12V與48V平臺,支持多種負(fù)載類型,具備高安全性、靈活性和可擴展性,滿足新型電動汽車的多...
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