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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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技術(shù)資料#UCC24612 高頻多模同步整流控制器
UCC24612 是一款高性能同步整流器控制器和驅(qū)動(dòng)器,適用于標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平 N 溝道 MOSFET 功率器件。通過(guò)實(shí)現(xiàn)近乎理想的二極管仿真UCC246...
基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開(kāi)關(guān)器件綜述
拿到一個(gè)ST的宣傳材料,該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過(guò)渡到全SiC的中間方案,也找了文章了解了一下原理。資料有限,標(biāo)題的問(wèn)題沒(méi)找到答案。有...
惡劣環(huán)境電力電子系統(tǒng)中碳化硅功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用
近年來(lái),隨著功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,功率器件封測(cè)設(shè)備和材料在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的作用越來(lái)越重要,國(guó)內(nèi)也涌現(xiàn)出了一大批優(yōu)秀企業(yè)。
包括器件固有可靠性和使用可靠性。固有可靠性問(wèn)題包括安全工作區(qū)、閂鎖效應(yīng)、雪崩耐量、短路能力及功耗等,使用可靠性問(wèn)題包括并聯(lián)均流、軟關(guān)斷、電磁干擾及散熱等。
提高功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試效率的7個(gè)方法
對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán),測(cè)試結(jié)果用于驗(yàn)證、評(píng)價(jià)、對(duì)比功率器件的動(dòng)態(tài)特性。
2023-07-10 標(biāo)簽:泰克驅(qū)動(dòng)電路功率器件 839 0
碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用及發(fā)展
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其獨(dú)特的物理特性,如高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等,在功率器件領(lǐng)域展...
深度解析通用汽車奧特能無(wú)線電池管理系統(tǒng)及應(yīng)用框圖
電池包還可根據(jù)軸距允許的電池外殼尺寸在每層裝入6塊到12塊不等的電池模組,使得車輛上裝載的總電池模組數(shù)量從最少6塊(6x1層),到多達(dá)24塊(12x2層...
2023-10-24 標(biāo)簽:輸出電壓電池管理系統(tǒng)功率器件 827 0
金屬基板 | 全球領(lǐng)先技術(shù)DOH工藝與功率器件IGBT熱管理解決方案
DOH:DirectonHeatsink,熱沉。DOH工藝提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升,解決孔洞和裂紋問(wèn)題提升產(chǎn)品良率及...
碳化硅二極管的優(yōu)勢(shì) 1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性 寬禁帶材料可提高器件的工作溫度,6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高...
適用微型逆變器500-1000W控制板應(yīng)用方案,包含MCU設(shè)計(jì)參考例程,上海貝嶺功率mos,igbt,ldo,運(yùn)放,比較器,存儲(chǔ)器等在逆變器產(chǎn)品應(yīng)用的方案。
上述公式是穩(wěn)態(tài)工作時(shí),功率器件上的電壓、電流應(yīng)力。選擇功率器件時(shí),其電壓耐量可放一個(gè)合適的余量(保證最壞情況下的電壓峰值不超過(guò)此值),電流耐量則得按器件...
2023-04-28 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源BUCK變換器 822 0
功率器件開(kāi)關(guān)速度對(duì)傳導(dǎo)、輻射產(chǎn)生的認(rèn)識(shí)
高頻變化的電流在電感上產(chǎn)生電磁能量收放,這種磁場(chǎng)是空間發(fā)散的,不受控集中時(shí),會(huì)對(duì)空間別的線路產(chǎn)生d電-d磁-d電的干擾,應(yīng)盡量做小線路中分布電感。
簡(jiǎn)介: 單個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu),導(dǎo)通和斷開(kāi)兩種狀態(tài),不具備放大,單向?qū)ǎ? 無(wú)外部電流、電壓控制,就是0和1的狀態(tài),電壓電流較小。 應(yīng)用: 各種電子設(shè)備...
新型SIC功率芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及制造技術(shù)
柵極電壓。上升過(guò)程,P阱中電子流向溝道,空穴流出P阱,在流經(jīng)P阱電阻及P型歐姆接觸電阻時(shí),P阱瞬態(tài)電位上升,等效閾值電壓升高; 漏極電壓下...
汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件,能夠適應(yīng)更高的電壓,擁有更快的開(kāi)關(guān)速度,并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗,而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率...
功率MOSFET是較常使用的一類功率器件?!癕OSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的...
2023-02-15 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 808 0
芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測(cè)和絕緣監(jiān)測(cè)。該應(yīng)用場(chǎng)景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能,使之...
2023-08-16 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC MOSFET 804 0
基于環(huán)流系統(tǒng)的碳化硅功率器件可靠性研究
近日,在西安·曲江國(guó)際會(huì)議中心舉辦的2024中國(guó)電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨中國(guó)電源學(xué)會(huì)第二十七屆學(xué)術(shù)年會(huì)及展覽會(huì)(CPEEC & CPSSC 20...
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