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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

中國(guó)新能源汽車高壓控制器芯片白皮書(shū)

中國(guó)新能源汽車高壓控制器芯片白皮書(shū)

 我們的研究顯示,早期市場(chǎng)的發(fā)展多由政策推動(dòng),隨著三電技術(shù)提升、智能網(wǎng)聯(lián)配置的加持,新能源汽車產(chǎn)品的性價(jià)比得到了極大的提升?!袄m(xù)航里程 +補(bǔ)能體驗(yàn)”的雙...

2023-10-09 標(biāo)簽:新能源汽車控制器功率器件 617 0

如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動(dòng)汽車電池的充電能力

如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動(dòng)汽車電池的充電能力

如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動(dòng)汽車電池的充電能力

2023-11-23 標(biāo)簽:汽車電池功率器件 615 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)時(shí),其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn),為電力電子行業(yè)帶來(lái)了革新性的改變,成為了解決這一問(wèn)題的關(guān)鍵所在。

2024-01-06 標(biāo)簽:功率器件SiC氮化鎵 607 0

半導(dǎo)體設(shè)計(jì)面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)如何破?

半導(dǎo)體設(shè)計(jì)面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)如何破?

基于開(kāi)關(guān)電力電子器件的轉(zhuǎn)換器和逆變器是可再生能源發(fā)電廠和電動(dòng)汽車的關(guān)鍵組件。雖然MOSFET和IGBT都可以用在相關(guān)系統(tǒng)中,但前者的柵極驅(qū)動(dòng)功率較低、開(kāi)...

2024-03-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 603 0

碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

碳化硅(SiC)功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能,封裝技術(shù)至...

2025-02-03 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 595 0

GRGTEST:無(wú)線電通信的核心基石  微波射頻功率器件

GRGTEST:無(wú)線電通信的核心基石 微波射頻功率器件

射頻微波(RF&Microwave)技術(shù)是利用300MHz~300GHz頻段電磁波實(shí)現(xiàn)信息傳輸、能量轉(zhuǎn)換與傳遞的核心技術(shù)。隨著航空航天、無(wú)線通信...

2025-04-09 標(biāo)簽:功率器件無(wú)線電通信微波射頻技術(shù) 591 0

開(kāi)關(guān)電源如何抑制紋波噪聲

低頻紋波是與輸出電路的濾波電容容量相關(guān)。由于開(kāi)關(guān)電源體積的限制,電解電容的容量不可能無(wú)限制地增加,導(dǎo)致輸出低頻紋波的殘留,該輸出紋波頻率隨整流電路方式的...

2023-03-29 標(biāo)簽:變壓器DCDC變換器功率器件 590 0

薩科微sl4056鋰電池充電管理方案

薩科微sl4056鋰電池充電管理方案

深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司技術(shù)骨干來(lái)自清華大學(xué),以新材料新工藝新產(chǎn)品推動(dòng)公司發(fā)展,掌握國(guó)際領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)。薩科微是集電子元器件的設(shè)...

2023-08-16 標(biāo)簽:鋰電池電路圖半導(dǎo)體 589 0

電動(dòng)汽車“千伏”高壓快充架構(gòu)設(shè)計(jì)發(fā)展報(bào)告

高電壓會(huì)導(dǎo)致壓縮機(jī)、PTC和電機(jī)驅(qū)動(dòng)MCU成本增.加,以當(dāng)前較為成熟的2C快充,采用150kW前驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)為例,950V電壓平臺(tái)相比450V電壓平臺(tái)增加成...

2023-03-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車壓縮機(jī)IGBT 579 0

功率器件簡(jiǎn)介 基本電源設(shè)備特性與應(yīng)用

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2022-12-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件 576 0

功率模塊封裝技術(shù)的發(fā)展 電動(dòng)汽車用功率器件解決方案

功率模塊封裝技術(shù)的發(fā)展 電動(dòng)汽車用功率器件解決方案

使用SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通壓降和二極管正向壓降>超低損耗; 使用SiC MOSFET自身體二極管作為FWDi,減低反向恢復(fù)電流和噪聲 ...

2023-06-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車pcb三菱 574 0

碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、特點(diǎn)以及在能源轉(zhuǎn)換中的...

2024-10-30 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 569 0

納微半導(dǎo)體GeneSiC碳化硅MOSFETs為高頻充電樁實(shí)現(xiàn)最佳充電效果

碳化硅(SiC)是一種新的“寬禁帶”功率半導(dǎo)體材料,正在快速取代傳統(tǒng)硅功率芯片,應(yīng)用于可再生能源、儲(chǔ)能、 微網(wǎng)、電動(dòng)汽車和工業(yè)應(yīng)用等高功率、高壓應(yīng)用領(lǐng)域。

2023-06-07 標(biāo)簽:功率器件充電樁碳化硅 568 0

SiC功率器件如何在極端高溫條件下保持穩(wěn)定性能?

SiC功率器件如何在極端高溫條件下保持穩(wěn)定性能?

隨著DC/DC電源轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車車載充電器(OBC)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能逆變器以及牽引逆變器等應(yīng)用對(duì)功率密度的需求日益提高,系統(tǒng)的工作溫度也隨之增...

2025-01-13 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 566 0

超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621展現(xiàn)低功耗特性

超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621展現(xiàn)低功耗特性

#超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621展現(xiàn)低功耗特性#在全負(fù)載范圍內(nèi),相比傳統(tǒng)功率器件,超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621能為用戶節(jié)省更多的電能。...

2025-02-20 標(biāo)簽:MOS功率器件電源管理芯片 556 0

先積產(chǎn)品在家用電器領(lǐng)域的應(yīng)用

先積產(chǎn)品在家用電器領(lǐng)域的應(yīng)用

先積產(chǎn)品在家用電器中的應(yīng)用PRODUCTAPPLICATION據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)分析,2023年家電板塊整體實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健增長(zhǎng),毛利率持續(xù)提升下利潤(rùn)增速更快。2023...

2024-11-07 標(biāo)簽:傳感器家用電器功率器件 555 0

碳化硅功率器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅功率器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅具有比硅更高的熱導(dǎo)率、更寬的能帶寬度和更高的電子飽和漂移速度。這些特性使得SiC功率器件在高溫、高頻以及高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

2024-04-09 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 554 0

大為錫膏 | 倒裝固晶錫膏的區(qū)別

大為錫膏 | 倒裝固晶錫膏的區(qū)別

固晶錫膏是以導(dǎo)熱率為40W/M.K左右錫銀銅等金屬合金做基體的鍵合材料,完全滿足RoHS及無(wú)鹵等環(huán)保要求,用于LED芯片封裝及二極管等功率器件封裝,以實(shí)...

2024-12-18 標(biāo)簽:led功率器件錫膏 554 0

IGBT:能效革命中的不可或缺角色

IGBT:能效革命中的不可或缺角色

根據(jù)Mordor Intelligence的數(shù)據(jù),從2020年IGBT市場(chǎng)的價(jià)值就達(dá)到60.47億美元,預(yù)計(jì)到2026年將增長(zhǎng)至110.1億美元。報(bào)告指...

2023-09-07 標(biāo)簽:晶閘管IGBT功率器件 550 0

功率器件封裝和適當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)的重要性

功率器件封裝和適當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)的重要性

高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對(duì)持續(xù)創(chuàng)新的需求?;诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無(wú)法兼得,也不能滿足如今在尺寸、重量和成...

2023-07-10 標(biāo)簽:MOSFET封裝功率器件 548 0

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    深度學(xué)習(xí)
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    工業(yè)4.0
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    工業(yè)4.0是由德國(guó)政府《德國(guó)2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來(lái)項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助,投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平,建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠,在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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    Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商,NVIDIA的總部設(shè)在美國(guó)加利福尼亞州的圣克拉拉市,在20多個(gè)國(guó)家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù),在并行處理方面實(shí)現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月,總部位于美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉市。
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     Windows Embedded Compact(即 Windows CE)是微軟公司嵌入式、移動(dòng)計(jì)算平臺(tái)的基礎(chǔ),它是一個(gè)開(kāi)放的、可升級(jí)的32位嵌入式操作系統(tǒng),是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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    JDI(Java Debug Interface)是 JPDA 三層模塊中最高層的接口,定義了調(diào)試器(Debugger)所需要的一些調(diào)試接口?;谶@些接口,調(diào)試器可以及時(shí)地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài),例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實(shí)例等。
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      網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng),英文Network File System(NFS),是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議(presentation layer protocol),能使使用者訪問(wèn)網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計(jì)算機(jī)一樣。
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    麒麟960(kirin 960)是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動(dòng)設(shè)備芯片,麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心,小核心為A53,組成四大四小的big.LITTLE組合,GPU為Mali G71 MP8。
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    ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)供應(yīng)商,它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片,而是通過(guò)轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案,由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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  • MMU
    MMU
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    MMU是中文名是內(nèi)存管理單元,有時(shí)稱作分頁(yè)內(nèi)存管理單元,它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器(CPU)的內(nèi)存訪問(wèn)請(qǐng)求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換(即虛擬內(nèi)存管理)、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制,在較為簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中,負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
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    OMAPL138
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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題

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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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