近期，ROHM半導(dǎo)體公司發(fā)布了一款全新的100V功率MOSFET——RY7P250BM。這款器件專為48V電源架構(gòu)中的熱插拔電路設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器及工業(yè)電源，尤其是在需要電池保護(hù)的場(chǎng)合。隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，數(shù)據(jù)中心面臨著前所未有的計(jì)算需求，促使服務(wù)器的功耗逐年上升。尤其是生成性AI技術(shù)和高性能GPU的普及，進(jìn)一步加大了對(duì)提高電源效率的需求。為

散熱風(fēng)扇是電子設(shè)備內(nèi)部用于關(guān)鍵熱管理的核心組件，其作用遠(yuǎn)超簡(jiǎn)單的“吹風(fēng)”，涵蓋散熱、通風(fēng)及空氣循環(huán)等多種功能。理解其技術(shù)特性對(duì)于設(shè)備設(shè)計(jì)與可靠性至關(guān)重要。散熱風(fēng)扇的基本分類散熱風(fēng)扇主要依據(jù)輸入電源和氣流動(dòng)力學(xué)原理分類：按電源：交流風(fēng)扇(ACFan)：直接使用交流電網(wǎng)供電。直流風(fēng)扇(DCFan)：使用直流電源，通常電壓較低(如5V,12V,24V,48V)，功

據(jù)報(bào)道，東京大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)近日成功開(kāi)發(fā)出一種基于摻鎵氧化銦(InGaOx)晶體材料的新型晶體管。這一創(chuàng)新在微電子技術(shù)領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注，標(biāo)志著微電子器件性能提升的重要突破。該研究團(tuán)隊(duì)的環(huán)繞式金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)展現(xiàn)出卓越的性能，遷移率高達(dá)44.5cm2/Vs。在嚴(yán)苛的應(yīng)力測(cè)試中，這款晶體管連續(xù)穩(wěn)定工作近三小時(shí)，顯示出其在高壓和高溫等極端條件

電子設(shè)備正逐漸融入越來(lái)越多的產(chǎn)品中。無(wú)論產(chǎn)品是便攜式還是固定式，大多數(shù)電子設(shè)備都需要高效地將電能(或開(kāi)關(guān))從一種形式轉(zhuǎn)換為另一種形式。為此，采用了電力電子技術(shù)，供應(yīng)商們開(kāi)發(fā)了豐富的開(kāi)關(guān)器件供各種應(yīng)用選擇。如今電力電子的趨勢(shì)是使用半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件來(lái)整流、切換和控制電壓和電流。隨著二極管、晶閘管、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(I

近日，彭博社報(bào)道，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期(以下簡(jiǎn)稱“大基金三期”)正計(jì)劃將投資重點(diǎn)放在微影技術(shù)、芯片設(shè)計(jì)工具等關(guān)鍵領(lǐng)域。這一舉措旨在減少中國(guó)在高端半導(dǎo)體技術(shù)方面對(duì)國(guó)際巨頭的依賴，尤其是在荷蘭ASML、美國(guó)益華電腦(Cadence)和新思科技(Synopsys)等公司主導(dǎo)的領(lǐng)域。大基金三期的成立是中國(guó)政府推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要舉措之一。自2014年以來(lái)

電流測(cè)量涉及多種傳感器技術(shù)，從傳統(tǒng)的電流互感器到最新的DC-CT?磁通技術(shù)，每種方案都能應(yīng)對(duì)不同的測(cè)量挑戰(zhàn)。本文將對(duì)比各類技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)、成本及應(yīng)用場(chǎng)景。主要電流傳感器類型·電流互感器·DC-CT?Plati?e磁通技術(shù)·磁通門/零磁通技術(shù)·開(kāi)環(huán)霍爾效應(yīng)·閉環(huán)霍爾效應(yīng)·光纖電流傳感器·分流電阻·羅氏線圈電流互感器(CurrentTransformers)電流變

瑞薩電子(RenesasElectronics)近期在一場(chǎng)媒體發(fā)布會(huì)上宣布，將其原定于2030年實(shí)現(xiàn)的營(yíng)收目標(biāo)推遲至2035年。這一決定反映了嵌入式半導(dǎo)體行業(yè)的劇烈變化以及公司在技術(shù)方向上的重要調(diào)整。瑞薩社長(zhǎng)柴田英利在發(fā)布會(huì)上表示，自2022年設(shè)定營(yíng)收目標(biāo)以來(lái)，行業(yè)內(nèi)外部環(huán)境發(fā)生了顯著變化。尤其是在與中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的競(jìng)爭(zhēng)中，瑞薩面臨著前所未有的壓力。他強(qiáng)調(diào)，盡

在洗衣機(jī)、空調(diào)、微波爐、吸塵器和冰箱等許多家用電器中，微控制器(MCU)被用于電機(jī)控制、模擬傳感器測(cè)量、前面板按鍵控制以及LED/LCD顯示。家電行業(yè)使用基于8位、16位和32位微控制器的電路來(lái)實(shí)現(xiàn)電機(jī)控制以及TRIAC(三端雙向可控硅)/LED/LCD驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。MCU控制并管理著電器的所有功能和特性。當(dāng)用戶按下啟動(dòng)按鈕時(shí)，輸入信號(hào)會(huì)從前端面板鍵盤傳輸?shù)轿⒖?

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，突破硅材料的物理極限一直是工程師們的終極挑戰(zhàn)。隨著電力電子設(shè)備向高壓、高效方向快速發(fā)展，傳統(tǒng)MOSFET結(jié)構(gòu)已逐漸觸及性能天花板。本文將深入解析超結(jié)MOSFET技術(shù)如何通過(guò)創(chuàng)新的縱向電荷補(bǔ)償機(jī)制，成功打破存在數(shù)十年的"硅極限"定律。硅極限(SiliconLimit)?在功率MOSFET領(lǐng)域，存在著一個(gè)被稱為“硅極限”(理論極限)的瓶頸。其核

近日，英飛凌科技全球高級(jí)副總裁潘大偉在一次行業(yè)會(huì)議上透露，公司對(duì)人工智能(AI)和機(jī)器人市場(chǎng)的發(fā)展前景充滿信心，并計(jì)劃在這兩個(gè)領(lǐng)域加大投入。這一戰(zhàn)略決策反映了英飛凌科技對(duì)未來(lái)技術(shù)趨勢(shì)的敏銳洞察，以及對(duì)行業(yè)需求的積極響應(yīng)。英飛凌科技作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商，將圍繞硅、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)三種關(guān)鍵材料產(chǎn)品提供全方位的解決方案，以滿足不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)