--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 特瑞諾
- 封裝 TO-247-3L
- 應(yīng)用 PTC加熱器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器、壓縮機(jī)、汽車(chē)
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---




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ATGH40N120F2DR TRINNO/特瑞諾 IGBT 封裝 TO-247-3L 功率器件2023-09-08 10:21
產(chǎn)品型號(hào):ATGH40N120F2DR 品牌:特瑞諾 封裝:TO-247-3L 應(yīng)用:PTC加熱器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器、壓縮機(jī)、汽車(chē)
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臺(tái)積電宣布逐步退出氮化鎵晶圓代工業(yè)務(wù),力積電接手相關(guān)訂單2025-07-07 10:33
近日,全球半導(dǎo)體制造巨頭臺(tái)積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業(yè)務(wù),預(yù)計(jì)在未來(lái)兩年內(nèi)完成這一過(guò)渡。這一決定引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注,尤其是在當(dāng)前競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體市場(chǎng)環(huán)境中。據(jù)供應(yīng)鏈消息,臺(tái)積電退出GaN市場(chǎng)的原因主要與中國(guó)大陸市場(chǎng)的低價(jià)競(jìng)爭(zhēng)有關(guān)。近年來(lái),隨著氮化鎵技術(shù)的成熟和應(yīng)用需求的增長(zhǎng),許多廠商紛紛進(jìn)入這一領(lǐng)域,導(dǎo)致價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)加劇。面對(duì)不斷上 -
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浮思特 | 紅外熱成像原理與技術(shù)應(yīng)用詳解2025-07-04 09:59
紅外熱成像技術(shù),如同賦予人類(lèi)“感知溫度”的視覺(jué),通過(guò)捕捉物體散發(fā)的紅外輻射,將不可見(jiàn)的溫度分布轉(zhuǎn)化為清晰的圖像。這項(xiàng)技術(shù)正深刻地改變著我們觀察和理解世界的方式,從工業(yè)設(shè)備的精密檢測(cè)、安防監(jiān)控的穿透洞察,到智能環(huán)境的高效控制,其應(yīng)用日益深入生活與生產(chǎn)的方方面面。本文將帶您了解紅外熱成像的基礎(chǔ)原理、核心波段特性及其廣泛的應(yīng)用前景,探索這項(xiàng)技術(shù)如何將無(wú)形的熱能轉(zhuǎn)化 -
ROHM推出全新100V功率MOSFET助力AI服務(wù)器和工業(yè)電源高效能2025-07-03 10:23
近期,ROHM半導(dǎo)體公司發(fā)布了一款全新的100V功率MOSFET——RY7P250BM。這款器件專(zhuān)為48V電源架構(gòu)中的熱插拔電路設(shè)計(jì),廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器及工業(yè)電源,尤其是在需要電池保護(hù)的場(chǎng)合。隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展,數(shù)據(jù)中心面臨著前所未有的計(jì)算需求,促使服務(wù)器的功耗逐年上升。尤其是生成性AI技術(shù)和高性能GPU的普及,進(jìn)一步加大了對(duì)提高電源效率的需求。為 -
電子設(shè)備N(xiāo)MB散熱風(fēng)扇核心技術(shù):從基礎(chǔ)選型到耐環(huán)境設(shè)計(jì)2025-07-03 10:20
散熱風(fēng)扇是電子設(shè)備內(nèi)部用于關(guān)鍵熱管理的核心組件,其作用遠(yuǎn)超簡(jiǎn)單的“吹風(fēng)”,涵蓋散熱、通風(fēng)及空氣循環(huán)等多種功能。理解其技術(shù)特性對(duì)于設(shè)備設(shè)計(jì)與可靠性至關(guān)重要。散熱風(fēng)扇的基本分類(lèi)散熱風(fēng)扇主要依據(jù)輸入電源和氣流動(dòng)力學(xué)原理分類(lèi):按電源:交流風(fēng)扇(ACFan):直接使用交流電網(wǎng)供電。直流風(fēng)扇(DCFan):使用直流電源,通常電壓較低(如5V,12V,24V,48V),功 -
東京大學(xué)開(kāi)發(fā)氧化銦(InGaOx)新型晶體管,延續(xù)摩爾定律提供新思路2025-07-02 09:52
據(jù)報(bào)道,東京大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)近日成功開(kāi)發(fā)出一種基于摻鎵氧化銦(InGaOx)晶體材料的新型晶體管。這一創(chuàng)新在微電子技術(shù)領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注,標(biāo)志著微電子器件性能提升的重要突破。該研究團(tuán)隊(duì)的環(huán)繞式金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)展現(xiàn)出卓越的性能,遷移率高達(dá)44.5cm2/Vs。在嚴(yán)苛的應(yīng)力測(cè)試中,這款晶體管連續(xù)穩(wěn)定工作近三小時(shí),顯示出其在高壓和高溫等極端條件 -
浮思特 | IGBT與MOSFET哪種才是最有效的電力開(kāi)關(guān)解決方案2025-07-02 09:47
電子設(shè)備正逐漸融入越來(lái)越多的產(chǎn)品中。無(wú)論產(chǎn)品是便攜式還是固定式,大多數(shù)電子設(shè)備都需要高效地將電能(或開(kāi)關(guān))從一種形式轉(zhuǎn)換為另一種形式。為此,采用了電力電子技術(shù),供應(yīng)商們開(kāi)發(fā)了豐富的開(kāi)關(guān)器件供各種應(yīng)用選擇。如今電力電子的趨勢(shì)是使用半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件來(lái)整流、切換和控制電壓和電流。隨著二極管、晶閘管、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(I354瀏覽量 -
大基金三期聚焦微影技術(shù)與芯片設(shè)計(jì)工具,助力中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展2025-07-01 10:15
近日,彭博社報(bào)道,國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“大基金三期”)正計(jì)劃將投資重點(diǎn)放在微影技術(shù)、芯片設(shè)計(jì)工具等關(guān)鍵領(lǐng)域。這一舉措旨在減少中國(guó)在高端半導(dǎo)體技術(shù)方面對(duì)國(guó)際巨頭的依賴(lài),尤其是在荷蘭ASML、美國(guó)益華電腦(Cadence)和新思科技(Synopsys)等公司主導(dǎo)的領(lǐng)域。大基金三期的成立是中國(guó)政府推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要舉措之一。自2014年以來(lái)391瀏覽量 -
浮思特 | 當(dāng)前電流傳感器的主要類(lèi)型有哪些?2025-07-01 10:13
電流測(cè)量涉及多種傳感器技術(shù),從傳統(tǒng)的電流互感器到最新的DC-CT?磁通技術(shù),每種方案都能應(yīng)對(duì)不同的測(cè)量挑戰(zhàn)。本文將對(duì)比各類(lèi)技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)、成本及應(yīng)用場(chǎng)景。主要電流傳感器類(lèi)型·電流互感器·DC-CT?Plati?e磁通技術(shù)·磁通門(mén)/零磁通技術(shù)·開(kāi)環(huán)霍爾效應(yīng)·閉環(huán)霍爾效應(yīng)·光纖電流傳感器·分流電阻·羅氏線圈電流互感器(CurrentTransformers)電流變 -
瑞薩電子推遲營(yíng)收目標(biāo)至2035年 面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)與技術(shù)挑戰(zhàn)2025-06-30 11:02
瑞薩電子(RenesasElectronics)近期在一場(chǎng)媒體發(fā)布會(huì)上宣布,將其原定于2030年實(shí)現(xiàn)的營(yíng)收目標(biāo)推遲至2035年。這一決定反映了嵌入式半導(dǎo)體行業(yè)的劇烈變化以及公司在技術(shù)方向上的重要調(diào)整。瑞薩社長(zhǎng)柴田英利在發(fā)布會(huì)上表示,自2022年設(shè)定營(yíng)收目標(biāo)以來(lái),行業(yè)內(nèi)外部環(huán)境發(fā)生了顯著變化。尤其是在與中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的競(jìng)爭(zhēng)中,瑞薩面臨著前所未有的壓力。他強(qiáng)調(diào),盡