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32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM器件在如此高的密度上，擁有非?？斓捻憫?yīng)時(shí)間和最小化的封裝尺寸。目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域包括存儲(chǔ)服務(wù)器、交換機(jī)和路由器、測(cè)試設(shè)備、高端安全系統(tǒng)和軍事系統(tǒng)。
- sram(113779)
- 快速異步(5315)
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1310新唐科技推出內(nèi)建8Mbit OTP弦音樂(lè)IC方案W567CP80
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1037富士通業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM將量產(chǎn)
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，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進(jìn)一步擴(kuò)展其EXCELON? F-RAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品，推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲(chǔ)密度的新型F-RAM存儲(chǔ)器。全新
2023-08-09 14:32:40399
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81133A/81134A 12 Mbit擴(kuò)展模式存儲(chǔ)器產(chǎn)品情況說(shuō)明書
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2019-09-19 09:04:38
8Mbit的esp-03的corect固件問(wèn)題求解
嗨，
我有 8Mbit 的 esp-03 的 corect 固件問(wèn)題
當(dāng)我將新的 lua 固件下載到 4Mb 時(shí)，一切都是 corect，
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2023-04-26 08:48:33
64Mbit 3V異步SRAM已經(jīng)建成90nm CMOS技術(shù)
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原廠供應(yīng)記憶存儲(chǔ)芯片 Cellular RAM偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 PSRAM
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哪種類型的同步SRAM用于外部存儲(chǔ)器？
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2019-08-15 07:02:35
基于CY15B104Q 4-Mbit（512K x 8）的串行FRAM
MIKROE-2768，F(xiàn)RAM 2 CLICK Board帶有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或F-RAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
帶備用電池的SPI SRAM PICtail開(kāi)發(fā)板
AC164151，PICtail和PICtail Plus開(kāi)發(fā)板，演示了標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)發(fā)平臺(tái)上帶備用電池的23LCV1024 1 Mbit串行SRAM的功能
2020-08-21 09:48:09
德國(guó)IPSiLog Serial SRAM 串行靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 SPI-SRAM 可替代Samsung
：1.Low power SRAM (低功耗靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)1Mbit-16Mbit.2.Async Fast SRAM(異步高速SRAM）4Mbit-72Mbit.3.Sync Fast SRAM(同步高速
2013-08-23 11:00:03
是否有具體的文檔描述使用SEMC控制器在IMXRT中使用和實(shí)現(xiàn)SRAM？
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2023-03-30 07:11:18
用于高性能MCU上的代碼下載與執(zhí)行的TM4C129參考設(shè)計(jì)
描述此參考設(shè)計(jì)展示了如何實(shí)現(xiàn)異步并列式閃存和 SRAM 存儲(chǔ)器并將其連接到性能微控制器 TM4C129。通過(guò)在主機(jī)總線 16 模式下使用 EPI 接口并提供用于連接 1Gbit-8Mbit 范圍
2022-09-16 08:09:27
請(qǐng)問(wèn)STM32cubeIDE怎么配置以太網(wǎng)的速率是10Mbit/s？
STM32cubeIDE怎么配置以太網(wǎng)的速率是10Mbit/s啊，PHY使用的是microchip的LAN8742
2023-08-07 09:08:00
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stm32f103zet6搭配256Mbit SDRAM有意義么，看原子戰(zhàn)艦也才8M，是不是有點(diǎn)浪費(fèi)，F(xiàn)1性能能消耗這么大內(nèi)存么？
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請(qǐng)問(wèn)有超過(guò)1Mbit的EEPROM推薦嗎
查看了Microchip 的EEPROM資料，好像都是只有到1Mbit， 這樣折算下來(lái)，也才有128KByte的數(shù)據(jù)量可以存儲(chǔ)。請(qǐng)問(wèn)各位見(jiàn)多識(shí)廣的大神，有沒(méi)有1MByte的數(shù)據(jù)量存儲(chǔ)的EEPROM推薦，有的話型號(hào)是什么？
2019-01-21 08:12:36
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(異步高速SRAM）4Mbit-72Mbit.3.Sync Fast SRAM(同步高速SRAM）4Mbit-16Mbit.4.Serial SRAM(串行靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
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韓國(guó)EMLSI和美國(guó)Everspin半導(dǎo)體
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)1Mbit~8Mbit.3,PSRAM[Pseudo SRAM,UtRAM] (虛擬靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)4Mbit~64Mbit.4,Cellular RAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)4Mbit
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M25P20 pdf datasheet (2 Mbit,
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據(jù)報(bào)道2017年第四季度中國(guó)寬帶速率狀況報(bào)告已經(jīng)出來(lái)，報(bào)告表明我國(guó)固定寬帶平均下載速率超19Mbit/s，網(wǎng)絡(luò)提速工作成效明顯，固定及移動(dòng)寬帶下載速率逼近20Mbit/s大關(guān)，僅歷時(shí)不到1年半。
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1588Mbit非易失性靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器nvSRAM系列
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539基于使用STM32F103單片機(jī)，實(shí)現(xiàn)64Mbit單對(duì)單通信
簡(jiǎn)單的一種應(yīng)用，ARM芯片作為master，flash為slaver，實(shí)現(xiàn)單對(duì)單通信。ARM主控芯片STM32F103，flash芯片為MACRONIX INTERNATIONAL的MX25L6465E，64Mbit。
2018-10-18 15:19:351513
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我國(guó)4G網(wǎng)絡(luò)的平均下載速率已達(dá)到每秒23.58Mbit/s同比提高了16.6%
在4G網(wǎng)絡(luò)下載速率方面，三大運(yùn)營(yíng)商中，中國(guó)聯(lián)通的4G網(wǎng)絡(luò)用戶下載速率最高為每秒24.86Mbit/s，移動(dòng)居其次是每秒23.46Mbit/s，電信則是每秒23.23Mbit/s。值得注意的是，移動(dòng)和電信的用戶下載速率確實(shí)均低于每秒23.58Mbit/s的全國(guó)平均值。
2019-08-26 09:39:304060
40602019年第三季度我國(guó)固定寬帶網(wǎng)絡(luò)平均下載速率已達(dá)到了37.69Mbit/s
報(bào)告顯示，2019年第三季度我國(guó)固定寬帶網(wǎng)絡(luò)平均下載速率達(dá)到37.69Mbit/s，環(huán)比上季度提升了6.3%，同比去年同期提升了12.7Mbit/s，年度提升幅度達(dá)到50.8%；我國(guó)移動(dòng)寬帶用戶使用4G網(wǎng)絡(luò)訪問(wèn)互聯(lián)網(wǎng)時(shí)的平均下載速率達(dá)到24.02Mbit/s，同比去年同期提升幅度也達(dá)到了11.9%。
2019-11-28 10:13:471171
1171帶ECC的CMOS汽車異步SRAM
ISSI IS61/64WV5128EDBLL描述 ISSI IS61/64WV5128EDBLL是高速異步SRAM，4,194,304位靜態(tài)RAM，組織為524,288字乘8位，采用ISSI
2020-04-03 16:40:041094
1094RY1100 2Mbit s誤碼測(cè)試儀的詳細(xì)資料介紹
RY1100 2Mbit/s誤碼測(cè)試儀適用于測(cè)量通信線路數(shù)據(jù)通信的誤碼率和分析線路故障及原因?？煞奖愕赝瓿蓪?duì)2M系統(tǒng)，N×64k信道傳輸參數(shù)測(cè)量及日常維護(hù)測(cè)試。
2020-05-28 08:00:001
1異步SRAM存儲(chǔ)器的功能以及應(yīng)用領(lǐng)域的概述
CYPRESS的異步SRAM產(chǎn)品包含業(yè)界最多樣的異步低功耗SRAM產(chǎn)品組合，密度范圍從64Kb至64Mb。MoBL SRAM提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)電壓、總線寬度及封裝選項(xiàng)。 此裝置提供領(lǐng)先業(yè)界的待機(jī)功率消耗
2020-08-24 17:29:471793
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XM8A51216V33A在功能上等效于異步SRAM
等效于異步SRAM，是一種高性能8Mbit CMOS存儲(chǔ)器，組織為512K字乘16位和1024K字乘8位，支持異步SRAM存儲(chǔ)器接口。星憶存儲(chǔ)代理英尚微電子支持提供例程及產(chǎn)品應(yīng)用解決方案等產(chǎn)品服務(wù)。 特征
2020-09-09 11:44:111758
1758Cypress 16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時(shí)間小于10ns
Cypress 16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時(shí)間小于10ns。異步SRAM內(nèi)含l億多個(gè)晶體管﹐采用6個(gè)晶體管存儲(chǔ)單元﹐是該公司4兆字節(jié)快速異步SRAM的后續(xù)產(chǎn)品.Cypress負(fù)責(zé)這種
2020-11-17 16:35:16620
620關(guān)于VTI7064 64Mbit串行SRAM的接口說(shuō)明
VTI7064 64Mbit串行SRAM，它支持1.8v和3.3V 64Mbit的SPI/QPI（串行外圍接口/四重外圍接口）SRAM器件。該RAM可配置為1位輸入和輸出分離或4位I/O通用接口
2021-03-18 16:25:171427
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國(guó)產(chǎn)串行SRAM芯片EMI7064的特征介紹
現(xiàn)在的電子系統(tǒng)應(yīng)用，對(duì)SRAM要求越來(lái)越高，單片機(jī)或ARM內(nèi)部的RAM越來(lái)越不夠用。國(guó)產(chǎn)EMI公司的64Mbit SPI接口的SRAM芯片EMI7064。這樣的IC用途一般是：數(shù)據(jù)采集或信號(hào)處理
2021-03-31 09:53:412921
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ISSI IS61WV25616BLL是一種高速的4Mbit靜態(tài)SRAM
擴(kuò)展到了汽車，通信，數(shù)字消費(fèi)，工業(yè)和醫(yī)療市場(chǎng)。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存內(nèi)容，以幫助處理大量數(shù)據(jù)。 ISSI IS61WV25616BLL是高速的4Mbit靜態(tài)SRAM，它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，可生產(chǎn)出高性能和低功耗
2021-04-08 15:44:021588
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4Mbit異步快速SRAM芯片CY7C1041GN30-10ZSXIT簡(jiǎn)介
：同步和異步。同步SRAM是與稱為時(shí)鐘的外部信號(hào)同步的設(shè)備。設(shè)備只會(huì)在時(shí)鐘的特定狀態(tài)下將信息讀取和寫入內(nèi)存。另一方面，異步SRAM不依賴于時(shí)鐘的狀態(tài)。它會(huì)在收到指令后立即開(kāi)始向內(nèi)存中讀取或?qū)懭胄畔ⅰ?賽普拉斯為網(wǎng)絡(luò)、汽車、消費(fèi)電子、工業(yè)、醫(yī)療、航空航
2021-06-08 16:58:105699
5699為什么PCAN-USB FD能夠支持8Mbit/s或者最大的12Mbit/s
數(shù)據(jù)段波特率最大5Mbit/s可以穩(wěn)定通信，為什么PCAN-USB FD能夠支持8Mbit/s或者最大的12Mbit/s？ 我們帶著這個(gè)疑問(wèn)對(duì)PEAK的所有CAN FD接口進(jìn)行了測(cè)試，發(fā)現(xiàn)帶NXP
2021-08-23 09:54:233007
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國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI504HL08PM-55I的簡(jiǎn)單介紹
（異步SRAM）、Sync SRAM （同步SRAM）等。下面我司介紹一款4Mbit異步低功耗國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI504HL08PM-55I。
2021-09-22 15:48:252082
2082國(guó)產(chǎn)異步低功耗SRAM芯片的詳細(xì)介紹
靜態(tài)存儲(chǔ)SRAM芯片包含業(yè)界多樣的異步低功耗SRAM。而帶有ECC的異步SRAM適用于各種要求最高可靠性和性能標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)，醫(yī)療，商業(yè)，汽車和軍事應(yīng)用。快速SRAM是諸如交換機(jī)和路由器，IP電話，測(cè)試設(shè)備和汽車電子產(chǎn)品之類的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的理想選擇。
2021-10-11 16:33:1112541
12541剖析STM32F103讀寫W25Q64
可說(shuō)的。關(guān)于FATFS的移植下一篇文章介紹。本篇文章主要介紹W25Q64和驅(qū)動(dòng)函數(shù)。W25Q64容量是64Mbit的flash，64Mbit = 8MByte。其內(nèi)部組織關(guān)系如下：W25Q64內(nèi)部分為128個(gè)塊(Block)，每個(gè)塊的大小是64K字節(jié)。 計(jì)算方式： (81024)K/128 = 64K字
2021-12-02 11:21:3931
31富士通新品8Mbit FRAM高達(dá)100萬(wàn)億次的寫入耐久性
FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn)，富士通推出了具有并行接口型號(hào)MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲(chǔ)芯片，這是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一款保證
2021-12-11 14:46:17579
579偉凌創(chuàng)芯異步SRAM芯片EMI504WF16VA-10I
暫存器以及工業(yè)應(yīng)用中的緩沖存儲(chǔ)器。 ? 偉凌創(chuàng)芯4Mbit異步快速SRAM芯片 EMI504WF16VA-10I 是4Mbit異步快速SRAM芯片，位寬為256K*16K字。它使用16條公共輸入和輸出
2021-12-21 15:49:531080
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國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)16M異步SRAM芯片EMI516NF16LM
快速異步型SRAM，存取時(shí)間為35ns（或更短）的異步型SRAM可被歸類為“快速”異步型SRAM。 國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI516NF16LM-10I是容量16Mbit異步快速隨機(jī)靜態(tài)存儲(chǔ)器
2022-01-07 16:43:331660
1660高性能異步SRAM技術(shù)角度
當(dāng)前有兩個(gè)不同系列的異步SRAM：快速SRAM(支持高速存取)和低功耗SRAM(低功耗)。從技術(shù)角度看來(lái)，這種權(quán)衡是合理的。在低功耗SRAM中，通...
2022-02-07 12:37:562
2非易失性閃存內(nèi)存模塊VDRF64M16xS54xx1V90用戶手冊(cè)
VDRF64M16XS54XX1V90是64Mbit高密度同時(shí)讀/寫非易失性閃存內(nèi)存模塊組織為4M×16位。
2022-06-08 10:57:401
1VDEE8M32xS64xx8V250用戶手冊(cè)
VDEE8M32XS64XX8V250是一種256K×32位電可擦除可編程CMOS ROM組織為兩組4Mbit（128k×32）。每個(gè)銀行都有32位接口，并通過(guò)特定的#歐洲標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)。所有其他信號(hào)
2022-06-07 15:51:251
1SBC 85 1Mbit內(nèi)存板開(kāi)源設(shè)計(jì)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SBC 85 1Mbit內(nèi)存板開(kāi)源設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-08-11 11:30:302
2具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的4Mbit FeRAM MB85RQ4ML
加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體正在批量生產(chǎn)具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲(chǔ)器可以在最大 108MHz 的工作頻率下實(shí)現(xiàn)每秒 54MByte 的數(shù)據(jù)傳輸率，并具有四個(gè) I/O 引腳的 Quad SPI 接口(圖1)。
2022-08-26 15:35:44445
445英飛凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON? F-RAM非易失性存儲(chǔ)器已開(kāi)始批量供貨
【 2022 年 11 月 22 日，德國(guó)慕尼黑訊】 近日，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布該公司最新推出的8 Mbit和16 Mbit EXCELON
2022-11-23 13:57:42336
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1Mbit存儲(chǔ)MRAM芯片MR0A16A
Everspin型號(hào)MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲(chǔ)芯片，組織為16位的65536個(gè)字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時(shí)序，續(xù)航時(shí)間無(wú)限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時(shí)間內(nèi)始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403
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工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論