電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）日前，在華為硬、軟件工具誓師大會(huì)上，華為輪值董事長(zhǎng)徐直軍表示，華為芯片設(shè)計(jì)EDA工具團(tuán)隊(duì)聯(lián)合國(guó)內(nèi)EDA企業(yè)，共同打造了14nm以上工藝所需EDA工具，基本實(shí)現(xiàn)了14nm
2023-03-25 00:18:46
7392 目前，蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等世界知名廠商已與臺(tái)積電能達(dá)成緊密合作，預(yù)示臺(tái)積電將繼續(xù)增加 5nm產(chǎn)能至該節(jié)點(diǎn)以滿足客戶需求，這標(biāo)志著其在3nm制程領(lǐng)域已經(jīng)超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星及英特爾。
2024-03-19 14:09:0356 本帖最后由 jf_50240986 于 2024-3-8 22:51 編輯
串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流，產(chǎn)生電流的電壓必須高于（Vo+Vbe），約為（Vo+1）。若基極
2024-03-06 20:49:11
達(dá)林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱為達(dá)林頓對(duì)（Darlington Pair），是由兩個(gè)或更多個(gè)雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過這種結(jié)構(gòu)，第一個(gè)雙極性晶體管放大的電流可以進(jìn)一步被放大，從而提供比其中任意一個(gè)雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:53503 
雙極性晶體管是利用兩種離子導(dǎo)電，空穴和自由電子，但是對(duì)于一個(gè)實(shí)際存在的系統(tǒng)，其整體上是呈現(xiàn)電中性的，當(dāng)其中的電子或者空穴移動(dòng)形成電流時(shí)，與之對(duì)應(yīng)的空穴或者電子為什么不會(huì)一起隨著移動(dòng)？
這個(gè)問題困擾
2024-02-21 21:39:24
近日，西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)劉艷教授和羅拯東副教授在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進(jìn)展，相
2024-02-20 18:22:20793 
加載合適的偏置電流，必須牢固地掌握晶體管的特性曲線，正確地讀取偏置電流的大小，要能在盡可能廣的范圍內(nèi)加載偏置電流。
2024-02-05 15:10:21108 
三相異步電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)向由電源相序、電機(jī)的外部連接方式、啟動(dòng)方法以及電機(jī)的機(jī)械結(jié)構(gòu)等多個(gè)因素共同決定。
2024-02-03 14:50:40555 臺(tái)中科學(xué)園區(qū)已初步規(guī)劃A14和A10生產(chǎn)線，將視市場(chǎng)需求決定是否新增2nm制程工藝。
2024-01-31 14:09:34241 晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
面晶體管不導(dǎo)通時(shí)，上面晶體管能導(dǎo)通嗎？下面發(fā)射結(jié)反偏，集電集或基本沒有電流，上面晶體管是如何導(dǎo)通的？或者是輸入信號(hào)的地、在什么地方？與NPN和PNP結(jié)構(gòu)的地差在哪里，一般NPN PNP是雙電源供電？正負(fù)雙電源？
2024-01-25 22:28:59
據(jù)消息人士透露，臺(tái)積電已經(jīng)決定將其1nm制程廠選址在嘉義科學(xué)園區(qū)。為了滿足這一先進(jìn)制程技術(shù)的需求，臺(tái)積電已向相關(guān)管理局提出了100公頃的用地需求。
2024-01-23 15:15:27894 臺(tái)積電在上月早些時(shí)候的IEDM 2023大會(huì)中宣布，計(jì)劃推出包含高達(dá)1萬億個(gè)晶體管的芯片封裝方案，此舉與英特爾去年公布的規(guī)劃相呼應(yīng)。為達(dá)成這一目標(biāo)，該公司正專注于N2和N2P的2nm級(jí)生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)及A14和A10的1.4nm級(jí)制造工藝，預(yù)估將于2030年投入使用。
2024-01-23 10:35:061427 放大，似于多路比較器的輸出，NPN型晶體管多發(fā)射極分別接到比較器的輸出端，集電極共用一路上拉電阻連接至電源，如果多路比較器有一路導(dǎo)通，則該多發(fā)射極晶體管集電極輸出導(dǎo)通拉低，電平為低電平。
不知是否是我理解的這樣？
2024-01-21 13:47:56
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請(qǐng)問這個(gè)單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯(lián)電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對(duì)三極管的開通有害的時(shí)候，為什么還要并聯(lián)電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
晶體管也就是俗稱三極管，其本質(zhì)是一個(gè)電流放大器，通過基射極電流控制集射極電流。
1、當(dāng)基射極電流很小可以忽略不計(jì)時(shí)，此時(shí)晶體管基本沒有對(duì)基射極電流的放大作用，此時(shí)可以認(rèn)為晶體管處在關(guān)斷狀態(tài)
2、當(dāng)基
2024-01-18 16:34:45
舉例而言，一個(gè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，采用自偏置結(jié)構(gòu)，即柵極和源極短接在一起源極也有一個(gè)電阻，在電源和漏極接一個(gè)負(fù)載，此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管可以看做是一個(gè)互導(dǎo)放大器，壓控電流源，請(qǐng)問此時(shí)這種電路的輸入輸出電阻應(yīng)該怎么求
2024-01-15 18:06:15
對(duì)于一個(gè)含有晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管，運(yùn)放的電路，該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻，舉例而言，在含有晶體管的電路射極跟隨器中，求解輸出電阻時(shí)，為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻，此時(shí)不應(yīng)該在基極是二極管
2024-01-10 17:17:56
絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱IGBT絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱
2024-01-03 15:14:22268 
CFET結(jié)構(gòu)“初露端倪”，讓業(yè)界看到了晶體管結(jié)構(gòu)新的發(fā)展前景。然而，業(yè)內(nèi)專家預(yù)估，CFET結(jié)構(gòu)需要7～10年才能投入商用。
2024-01-02 17:34:33593 
。它們主要包括晶體管(三極管)、存儲(chǔ)單元、二極管、電阻、連線、引腳等。
隨著電子產(chǎn)品越來越“小而精，微薄”，半導(dǎo)體芯片和器件尺寸也日益微小，越來越微細(xì)，因此對(duì)于分析微納芯片結(jié)構(gòu)的精度要求也越來越高，在芯片
2024-01-02 17:08:51
為達(dá)成此目標(biāo)，公司正加緊推進(jìn)N2和N2P級(jí)別的2nm制造節(jié)點(diǎn)研究，并同步發(fā)展A14和A10級(jí)別的1.4nm加工工藝，預(yù)計(jì)到2030年可以實(shí)現(xiàn)。此外，臺(tái)積電預(yù)計(jì)封裝技術(shù)，如CoWoS、InFO、SoIC等會(huì)不斷優(yōu)化升級(jí)，使他們有望在2030年前后打造出超萬億晶體管的大規(guī)模封裝解決方案。
2023-12-28 15:20:10355 在經(jīng)歷了近十年和五個(gè)主要節(jié)點(diǎn)以及一系列半節(jié)點(diǎn)之后，半導(dǎo)體制造業(yè)將開始從 FinFET過渡到3nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)上的全柵堆疊納米片晶體管架構(gòu)。 相對(duì)于FinFET，納米片晶體管通過在相同的電路占位面積中增加
2023-12-26 15:15:11167 
上次我的文章解釋了所謂的7nm不是真的7nm，是在實(shí)際線寬無法大幅縮小的前提下，通過改變晶體管結(jié)構(gòu)的方式縮小晶體管實(shí)際尺寸來達(dá)到等效線寬的效果那么新的問題來了：從平面晶體管結(jié)構(gòu)(Planar)到立體
2023-12-19 16:29:01239 
級(jí)制程將按計(jì)劃于2025 年開始量產(chǎn)。 根據(jù) SemiAnalysis 的 Dylan Patel 給出的幻燈片，臺(tái)積電的 1.4nm 制程節(jié)點(diǎn)正式名稱為 A14。目前臺(tái)積電尚未透露 A14 的量產(chǎn)
2023-12-19 09:31:06318 年開始量產(chǎn)。 根據(jù) SemiAnalysis 的 Dylan Patel 給出的幻燈片，臺(tái)積電的 1.4nm 制程節(jié)點(diǎn)正式名稱為 A14。IT之家注意到，目前臺(tái)積電尚未透露 A14 的量產(chǎn)時(shí)間和具體
2023-12-18 15:13:18191 此外，對(duì)于臺(tái)積電的1.4nm制程技術(shù)，媒體預(yù)計(jì)其名稱為A14。從技術(shù)角度來看，A14節(jié)點(diǎn)可能不會(huì)運(yùn)用垂直堆疊互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）技術(shù)。
2023-12-15 10:23:12264 全面展開。同時(shí)，臺(tái)積電重申，2nm 級(jí)制程將按計(jì)劃于 2025 年開始量產(chǎn)。 ? 據(jù)悉，臺(tái)積電的 1.4nm 制程節(jié)點(diǎn)正式名稱為 A14。目前臺(tái)積電尚未透露 A14 的量產(chǎn)時(shí)間和具體參數(shù)，但考慮到
2023-12-14 11:16:00733 晶體管的問世，是20世紀(jì)的一項(xiàng)重大發(fā)明，是微電子革命的先聲。晶體管出現(xiàn)后，人們就能用一個(gè)小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發(fā)明又為后來集成電路的降生吹響了號(hào)角。
2023-12-13 16:42:31427 
晶體管和電子管區(qū)別? 晶體管和電子管是兩種用于電子設(shè)備中放大和控制電流的重要元件。盡管它們?cè)趯?shí)現(xiàn)相同功能方面存在共同點(diǎn)，但它們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)、工作原理和性能方面存在顯著差異。在本文中，我們將詳細(xì)介紹晶體管
2023-12-08 10:31:584940 一鍵解鎖！晶體管結(jié)構(gòu)工藝發(fā)展歷程
2023-12-07 09:48:17243 
從平面晶體管結(jié)構(gòu)(Planar)到立體的FinFET結(jié)構(gòu)，我們比較容易理解晶體管尺寸縮小的原理。
2023-12-02 14:04:45267 
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
我在進(jìn)行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結(jié)到環(huán)境的熱阻JA的數(shù)據(jù)，我需要結(jié)到外殼的熱阻Jc的數(shù)據(jù)，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少？
2023-11-21 06:54:43
雙方的目標(biāo)是，確立設(shè)計(jì)開發(fā)線寬為1.4m1納米的半導(dǎo)體所必需的基礎(chǔ)技術(shù)。這個(gè)節(jié)點(diǎn)需要不同于傳統(tǒng)的晶體管結(jié)構(gòu)，leti在該領(lǐng)域的膜形成等關(guān)鍵技術(shù)上占據(jù)優(yōu)勢(shì)。
2023-11-17 14:13:43412 Tick-Tock，是Intel的芯片技術(shù)發(fā)展的戰(zhàn)略模式，在半導(dǎo)體工藝和核心架構(gòu)這兩條道路上交替提升。半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域也有類似的形式存在，在14nm/16nm節(jié)點(diǎn)之前，半導(dǎo)體工藝在相當(dāng)長(zhǎng)的歷史時(shí)期里有著“整代”和“半代”的差別。
2023-11-16 11:52:25963 
前兩代M1和M2系列芯片均采用5nm制程工藝，而M3系列芯片的發(fā)布，標(biāo)志著蘋果Mac電腦正式進(jìn)入3nm時(shí)代。 3nm利用先進(jìn)的EUV（極紫外光刻）技術(shù)，可制造極小的晶體管，一根頭發(fā)的橫截面就能容納兩百萬個(gè)晶體管。蘋果用這些晶體管來優(yōu)化新款芯片的每個(gè)組件。
2023-11-07 12:39:13310 
N2，也就是2nm，將采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，預(yù)計(jì)2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 2nm芯片是指采用了2nm制程工藝所制造出來的芯片，制程工藝的節(jié)點(diǎn)尺寸表示芯片上元件的最小尺寸。這意味著芯片上的晶體管和其他電子元件的尺寸可以達(dá)到2納米級(jí)別。 2nm芯片手機(jī)
2023-10-19 17:06:18799 2nm芯片是什么意思 2nm芯片指的是采用了2nm制程工藝所制造出來的芯片，制程工藝的節(jié)點(diǎn)尺寸表示芯片上元件的最小尺寸。這意味著芯片上的晶體管和其他電子元件的尺寸可以達(dá)到2納米級(jí)別。 更小的節(jié)點(diǎn)尺寸
2023-10-19 16:59:161958 專業(yè)圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PZTA14-Q NPN達(dá)林頓晶體管產(chǎn)品手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-27 10:22:44
0 頻特性是由它的物理結(jié)構(gòu)和工作原理決定的。晶體管的結(jié)構(gòu)包括三個(gè)區(qū)域：發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。當(dāng)外加電壓時(shí)，發(fā)射區(qū)的電子會(huì)進(jìn)入基區(qū)，并增加基區(qū)電荷的密度。因此，基區(qū)的電荷密度會(huì)決定集電區(qū)的電流。晶體管的工作原理有兩種
2023-09-20 16:43:22631 的大部分時(shí)間里，用于制造芯片的工藝節(jié)點(diǎn)的名稱是由晶體管柵極長(zhǎng)度的最小特征尺寸（以納米為單位）或最小線寬來指定的。350nm工藝節(jié)點(diǎn)就是一個(gè)例子。
2023-09-19 15:48:434475 
，單位為MHz。
倍頻：表示主頻與外頻的比值。
制程：表示芯片上晶體管之間的連接導(dǎo)線的線寬，單位為納米，數(shù)字越小水平越高。
緩存大?。喊ㄒ患?jí)緩存、二級(jí)緩存、三級(jí)緩存等，單位為MB。
架構(gòu)：表示CPU
2023-09-05 16:42:49
華為發(fā)布首款5nm 5G SoC，集成153億晶體管? 在當(dāng)今的數(shù)字時(shí)代，5G成為了一種越來越重要的通信技術(shù)，它能夠大幅提升傳輸速度和低延時(shí)，以實(shí)現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)傳輸質(zhì)量。而華為公司最近發(fā)布了自家
2023-09-01 16:47:357012 符號(hào)表示傳統(tǒng)的電流流動(dòng)。該晶體管中的電流方向是從發(fā)射極端到集電極端子。一旦基極端子與發(fā)射極端子相比被拖至低電平，該晶體管將導(dǎo)通。PNP晶體管的符號(hào)如下所示。
NPN晶體管
NPN也是BJT（雙極結(jié)型
2023-08-02 12:26:53
該2通道混音器電路基于2n3904晶體管，該晶體管形成2個(gè)前置放大器。2通道混音器電路的第一個(gè)前置放大器具有高增益，可用于麥克風(fēng)輸入，第二個(gè)前置放大器可用于控制音頻電平的輸入。
這種雙通道
2023-08-01 17:19:21
在半導(dǎo)體行業(yè)的最初幾十年里，新的工藝節(jié)點(diǎn)只需縮小晶體管的物理尺寸并將更多晶體管塞到芯片上即可實(shí)現(xiàn)性能、功耗和面積增益，這稱為經(jīng)典縮放。集成電路工作得更好，因?yàn)殡娦盘?hào)在每個(gè)晶體管之間傳播的距離更短。
2023-07-16 15:47:43413 “晶體管”現(xiàn)在可以分為多種類型，每種類型具有不同的功能和結(jié)構(gòu)，例如FET、MOS FET、CMOS等也是廣義上的晶體管。當(dāng)然，它仍然是有源的，主要用于電壓/信號(hào)放大和開關(guān)控制。在本文中，工程師將解釋這種雙極晶體管是什么，以及它的原理、機(jī)制和特點(diǎn)。
2023-07-07 10:14:492343 MAT14是一款四通道單芯片NPN型晶體管，具有出色的參數(shù)匹配性能，適合精密放大器和非線性電路應(yīng)用。MAT14的性能特征包括：在很寬的集電極電流范圍內(nèi)提供高增益（最小300）、低噪聲（在100 Hz
2023-06-20 18:14:26
該路線圖概述了標(biāo)準(zhǔn) FinFET 晶體管將持續(xù)到 3nm，然后過渡到新的全柵 (GAA) 納米片設(shè)計(jì)，該設(shè)計(jì)將在 2024 年進(jìn)入大批量生產(chǎn)。Imec繪制了 2nm和A7（0.7nm）Forksheet設(shè)計(jì)的路線圖，隨后分別是A5和A2的CFET 和原子通道等突破性設(shè)計(jì)。
2023-06-14 09:31:34911 
的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)14nm 晶圓芯片零的突破，并在梁孟松等專家的帶領(lǐng)下，向著更加先進(jìn)的芯片制程發(fā)起沖鋒。 然而，最近在中芯國(guó)際的公司官網(wǎng)上，有關(guān)于14nm芯片制程的工藝介紹，已經(jīng)全部下架，這讓很多人心存疑惑，作為自家最為先進(jìn)的
2023-06-06 15:34:2117913 今天為大家介紹晶體管由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，分為NPN型和PNP型兩類，根據(jù)使用材料的不同，將晶體管分為NPN型鍺管和NPN型硅管，PNP型鍺管和PNP型硅管。
2023-06-03 09:29:111254 
我正在尋找摩托羅拉收音機(jī) VHF 射頻末級(jí)中使用的這些舊射頻晶體管的數(shù)據(jù)表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
結(jié)構(gòu)上，數(shù)字晶體管有的在基極上串聯(lián)一只電阻R1，有的在基極與發(fā)射極之間并聯(lián)了一只電阻R2，大多數(shù)同時(shí)連接了R1和R2。隨著電阻R1、R2的組合搭配的變化，數(shù)字晶體管的型號(hào)遠(yuǎn)比普通晶體管豐富多彩。
2023-05-29 16:46:57288 雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor，簡(jiǎn)稱BJT)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電子和空穴的雙極性導(dǎo)電性質(zhì)的三極管。與場(chǎng)效應(yīng)晶體管相比，雙極型晶體管的控制電流較大，但具有高電流放大系數(shù)和高頻特性等優(yōu)點(diǎn)。
2023-05-17 15:23:134370 光電晶體管是基極端子暴露的晶體管，來自撞擊光的光子不會(huì)向基極發(fā)送電流，而是激活晶體管。這是因?yàn)楣怆?b class="flag-6" style="color: red">晶體管由雙極半導(dǎo)體制成，并集中在通過它的能量上。
2023-05-16 15:59:06286 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn)，這就決定了場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:041366 
%。西安二廠預(yù)計(jì)將生產(chǎn)13.5萬片，比之前的14.5萬片減少了約7%。業(yè)界觀察人士認(rèn)為，三星選擇砍掉部分NAND產(chǎn)能，因?yàn)楫?dāng)前內(nèi)存市場(chǎng)形勢(shì)慘淡。
【臺(tái)積電28nm設(shè)備訂單全部取消！】
4月消息，由于
2023-05-10 10:54:09
808nm 激光二極管 TO56封裝 500mW
XL-808TO56-ZSP-500 、XL-TO18-785-120、XL-9402TO5-ZS-1W、XL-505TO56-ZSP-100
2023-05-09 11:23:07
單結(jié)晶體管隨著電容的充電放電是如何形成自激振蕩脈沖的？
2023-04-26 15:07:51
差分放大電路輸入共模信號(hào)時(shí)
為什么說RE對(duì)每個(gè)晶體管的共模信號(hào)有2RE的負(fù)反饋效果
這里說的每個(gè)晶體管的共模信號(hào)是指什么信號(hào) 是指輸入信號(hào) 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負(fù)的反饋
2023-04-25 16:15:31
雙極結(jié)晶體管電路輸入振幅變大為什么會(huì)導(dǎo)致失真呢？是什么原因呢？
2023-04-21 16:13:13
1 前言 大家好，我是硬件花園！ 華為輪值董事長(zhǎng)徐直軍，在前些日子舉行“突破烏江天險(xiǎn)，實(shí)現(xiàn)戰(zhàn)略突圍”的軟硬件開發(fā)工具誓師大會(huì)上表示，華為芯片設(shè)計(jì)EDA工具團(tuán)隊(duì)聯(lián)合國(guó)內(nèi)EDA企業(yè)，共同打造了14nm
2023-04-20 03:00:575418 我正在尋找零件號(hào)“PCAL6408ABSHP”中有關(guān)工藝節(jié)點(diǎn)和晶體管數(shù)量的信息。NXP 網(wǎng)站上是否有一個(gè)位置可以找到 NXP 部件號(hào)的此類信息？
2023-04-19 09:27:44
西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
西門子CPUSR30可以增加晶體管擴(kuò)展模塊控制步進(jìn)電機(jī)嗎？
2023-04-17 14:13:13
臺(tái)積電的16nm有多個(gè)版本，包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus技術(shù)（16FF +）和16nm FinFET Compact技術(shù)（16FFC）。
2023-04-14 10:58:15636 采用晶體管互補(bǔ)對(duì)稱輸出時(shí)，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
請(qǐng)問BJT工藝的線性穩(wěn)壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
有沒有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請(qǐng)賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
我在設(shè)計(jì) PCB 時(shí)犯了一個(gè)錯(cuò)誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了。“正?！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個(gè)晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號(hào)與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個(gè)。
2023-03-28 06:37:56
快訊：2023年全面驗(yàn)證華為14nm以上EDA工具 美國(guó)芯片法案限制細(xì)則公布 我們來看看近期的一些行業(yè)熱點(diǎn)新聞： 華為14nm以上EDA工具國(guó)產(chǎn)化 華為輪值董事長(zhǎng)徐直軍透露了幾個(gè)關(guān)鍵信息點(diǎn)：華為芯片
2023-03-27 16:27:184778 工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)入亞3 nm以后，垂直鰭片溝道架構(gòu)的新器件開發(fā)仍備受關(guān)注，人們正在考慮制造基于垂直鰭式結(jié)構(gòu)開發(fā)垂直圍柵器件（VGAA）或垂直傳輸場(chǎng)效應(yīng)晶體管（VTFET），以滿足“后摩爾時(shí)代”芯片的更高集成度、高性能和低功耗發(fā)展要求，世界著名集成電路制造龍頭公司IBM和三星已進(jìn)行相關(guān)研發(fā)。
2023-03-27 11:25:401373
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