互補場效應(yīng)晶體管（CFET）晶體管結(jié)構(gòu)采用晶體管垂直堆疊結(jié)構(gòu)，能夠緩解關(guān)斷狀態(tài)下的漏電和晶體管閾值隨柵長變化帶來的問題，也使得晶體管能夠在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)更佳的性能。下面來介紹CFET的技術(shù)進展以及未來的機遇與挑戰(zhàn)。 在剛剛落下帷幕的2023年IEEE國際電子器件會議（IEDM2023）上，臺積電、三星和英特爾各自秀出了在下一代晶體管結(jié)構(gòu)領(lǐng)域的尖端技術(shù)。圖中這款被稱為“互補場效應(yīng)晶體管（CFET）”的晶體管結(jié)構(gòu)，被視為1nm以下制程的關(guān)鍵要素，是繼FinFET和GAA之后的新一代的晶體管技術(shù)。它的出現(xiàn)，將為半導(dǎo)體行業(yè)帶來哪些不一樣的圖景？

CFET示意圖（圖片來源：imec）

CFET將開啟三維晶體管結(jié)構(gòu)新紀元？

據(jù)了解，CFET與此前晶體管結(jié)構(gòu)的最大不同之處，在于采用晶體管垂直堆疊結(jié)構(gòu)，這或?qū)㈤_啟三維晶體管結(jié)構(gòu)新紀元。

在FinFET和GAA架構(gòu)出現(xiàn)以前，芯片晶體管結(jié)構(gòu)采用的是平面MOSFET，這種結(jié)構(gòu)可以通過等比例縮小器件尺寸來提高器件性能，增大芯片上器件數(shù)量。但是，當溝道長度小于一定值時，柵極對于溝道的控制能力會下降，出現(xiàn)短溝道效應(yīng)。為了解決這個問題，業(yè)界提出了FinFET和GAA兩種新型晶體管結(jié)構(gòu)。前者通過將溝道向上延展形成立體結(jié)構(gòu)，后者采用柵極環(huán)繞溝道的結(jié)構(gòu)，來緩解關(guān)斷狀態(tài)下的漏電和晶體管閾值隨柵長變化帶來的問題，也使得晶體管能夠在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)更佳的性能。

然而，由于晶體管結(jié)構(gòu)從平面轉(zhuǎn)換到了立體結(jié)構(gòu)，難以繼續(xù)通過等比例縮小晶體管尺寸來增加芯片上器件密度。隨著摩爾定律的不斷發(fā)展，芯片制程也愈發(fā)接近物理極限，為了能夠進一步增加單位面積上的器件數(shù)量，業(yè)內(nèi)開始嘗試將原本的立體結(jié)構(gòu)晶體管再進行堆疊，提出了采用垂直堆疊結(jié)構(gòu)的CFET。

臺積電最新資料顯示，采用CFET垂直堆疊架構(gòu)的芯片，相較采用Nanosheet（GAA）架構(gòu)的器件，面積最多能縮小50%。

采用CFET架構(gòu)的器件面積最多能夠縮小50%（圖片來源：臺積電）

三大家集體公布CFET相關(guān)技術(shù)進展

基于此，先進制程的三大頭部玩家臺積電、三星、英特爾都在密切關(guān)注CFET相關(guān)技術(shù)。

臺積電指出，CFET晶體管現(xiàn)已在臺積電實驗室中進行性能、效率和密度測試，并已經(jīng)實現(xiàn)了48nm的柵極間距。此外，臺積電還介紹了在CFET晶體管方面獨特的設(shè)計和制造方法：在頂部和底部器件之間形成介電層以保持它們的隔離，這種設(shè)計可以減少漏電和功耗。為了進一步實現(xiàn)更好的性能和更高的集成度，臺積電在其CFET晶體管工藝中，嘗試將納米片中硅和硅鍺的交替層進一步隔離。例如，臺積電通過特定的蝕刻方法去除納米片中的硅鍺材料，從而釋放硅納米線。為了能將納米片中硅和硅鍺的交替層進一步隔離，臺積電使用了鍺含量異常高的硅鍺。這種材料比其他SiGe層蝕刻得更快，因此可以在釋放硅納米線之前構(gòu)建隔離層。

臺積電在最新的架構(gòu)迭代介紹中加上了CFET結(jié)構(gòu)（圖片來源：臺積電）

三星將CFET晶體管結(jié)構(gòu)稱為3DSFET，目前的柵極間距為45/48nm。在技術(shù)創(chuàng)新方面，三星實現(xiàn)了對堆疊式pFET（P溝道場效應(yīng)管）和nFET（n溝道場效應(yīng)管）器件的源極和漏極進行有效的電氣隔離。這種隔離可以有效地減少漏電流，提高器件性能和可靠性。此外，三星還通過將濕化學(xué)物質(zhì)的刻蝕步驟替換為新型干法刻蝕，以此讓芯片中CFET器件的良率顯著提升。

英特爾展示了將CFET晶體管結(jié)構(gòu)與背面供電技術(shù)相結(jié)合的新技術(shù)，并利用該技術(shù)實現(xiàn)了60nm的柵極間距。英特爾表示，此次在CFET方面的創(chuàng)新之處，在于將PMOS（P型金屬氧化物半導(dǎo)體）和NMOS（N型金屬氧化物半導(dǎo)體）結(jié)合在了一起，使得開關(guān)速度和驅(qū)動能力具有互補性，從而提升了晶體管的整體性能。將PMOS和NMOS與其PowerVia背面供電器件觸點相結(jié)合，以此更好地控制電流的流動，提高電源效率。

英特爾CFET示意圖（圖片來源：英特爾）

雖然，三家均未透露將在具體哪個制程節(jié)點中采用該晶體管結(jié)構(gòu)，但公開資料顯示，臺積電或?qū)⒃谄?032年量產(chǎn)的A5工藝中，采用CFET架構(gòu)。

臺積電或?qū)⒃谄?032年量產(chǎn)的A5工藝中采用CFET架構(gòu)（圖片來源：imec）

平衡成本和性能問題是關(guān)鍵

CFET結(jié)構(gòu)“初露端倪”，讓業(yè)界看到了晶體管結(jié)構(gòu)新的發(fā)展前景。然而，業(yè)內(nèi)專家預(yù)估，CFET結(jié)構(gòu)需要7～10年才能投入商用。

為何不能短時間內(nèi)在現(xiàn)有的芯片制程中采用三維晶體管結(jié)構(gòu)？目前CFET制程需要解決多層堆疊帶來的大量的技術(shù)挑戰(zhàn)。

目前，CFET擬采用的工藝路徑是一次外延生長PFET和NFET兩種器件的多層結(jié)構(gòu)，再分別在兩種外延層上制造FET。這大幅增加了器件制造的工藝復(fù)雜度，過去在FinFET和GAA中行之有效的工藝方法大部分不再適用。以FET源漏模塊為例，不能再采用離子注入工藝對源漏進行摻雜，需要用雜質(zhì)在線外延的辦法把摻雜元素帶到源漏區(qū)附近，再擴散達成摻雜。這些改變，需要從頭開發(fā)新工藝，并逐漸使之成熟。類似的改變還有很多，需要大量和長周期的工藝研發(fā)，才能解決存在的全部技術(shù)挑戰(zhàn)。

在CFET所需要的新工藝中，多層堆疊熱退火問題是CFET面臨的最大挑戰(zhàn)之一。據(jù)了解，半導(dǎo)體材料在晶體生長和制造過程中，由于各種原因會出現(xiàn)缺陷、雜質(zhì)、位錯等結(jié)構(gòu)性缺陷，導(dǎo)致晶格不完整，施加電場后的電導(dǎo)率較低。通過熱退火處理，可以使材料得到修復(fù)，結(jié)晶體內(nèi)部重新排列，去除大部分缺陷和雜質(zhì)，恢復(fù)晶格完整，提高電導(dǎo)率和電學(xué)性能。

半導(dǎo)體熱退火需要在1050℃的高溫下進行，在進行熱退火操作后，還需要在芯片內(nèi)部用銅和鋁等金屬進行互聯(lián)。在以往的非堆疊晶體管結(jié)構(gòu)中，僅進行一次熱退火即可，而在堆疊結(jié)構(gòu)中，每堆疊一層就要再多進行一次熱退火。此外，芯片內(nèi)部的很多金屬互聯(lián)材料難以在1050℃的高溫中保持穩(wěn)定。這也導(dǎo)致在第二層晶體管結(jié)構(gòu)中，無法采用傳統(tǒng)方式來進行整體的熱退火，需要采用激光進行局部退火從而效避開金屬連接處。而采用激光退火不僅會增加工藝難度，還會因設(shè)備成本高而提升整體芯片制造成本。

“這就好比，原本用毛筆寫的字，現(xiàn)在要用簽字筆來寫。字的大小沒變，但需要用簽字筆一點點地描繪。因此，采用CFET結(jié)構(gòu)的芯片，需要先解決用激光進行熱退火帶來的成本問題，才能加快商用的步伐。” END 轉(zhuǎn)載內(nèi)容僅代表作者觀點 不代表中國科學(xué)院半導(dǎo)體所立場

審核編輯：黃飛