危機中求生存 東芝擬關(guān)閉福岡NAND工廠
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2024-03-12 10:23:57
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STM32H743 NAND HAL_NAND_Read_Status()一直返回0XFF的原因?
你好:
咨詢一個問題:我用STM32H743IIT6芯片,STM32CubeIDE,使用FMC驅(qū)動NAND FLASH,NAND FLASH ID讀取正常。但是有幾個問題:
擦除完block后
2024-03-08 06:54:22
東芝開始建設(shè)功率半導(dǎo)體后端生產(chǎn)設(shè)施
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)近期宣布,已開始在位于日本西部兵庫縣的姬路運營 - 半導(dǎo)體工廠建設(shè)功率半導(dǎo)體后端生產(chǎn)設(shè)施。新工廠將于2025年春季開始量產(chǎn)。
2024-03-07 18:26:21
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中國電動車降價內(nèi)戰(zhàn),中小車企艱難求生
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什么是NAND 型 Flash 存儲器?
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鎧俠NAND產(chǎn)能預(yù)計恢復(fù)90%,減產(chǎn)策略或面臨調(diào)整
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羅徹斯特電子拓寬東芝解決方案
羅徹斯特電子繼續(xù)與東芝電子元件及存儲裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)深化業(yè)務(wù)合作并新增入庫了大量東芝產(chǎn)品。
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什么是SD NAND存儲芯片? SD NAND與TF卡的區(qū)別
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2024-01-06 14:35:57
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什么是SD NAND存儲芯片?
前言
大家好,我們一般在STM32項目開發(fā)中或者在其他嵌入式開發(fā)中,經(jīng)常會用到存儲芯片存儲數(shù)據(jù)。今天我和大家來介紹一款存儲芯片,我這里采用(雷龍) CS創(chuàng)世 SD NAND 。
SD
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東芝暫時關(guān)閉NAND閃存工廠!
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東芝的退市是在經(jīng)過近3年的重組危機后做出的決定。為了擺脫困境,東芝已接受日本產(chǎn)業(yè)合作伙伴牽頭的要約收購方案,收購價約20000億日元,約合人民幣近千億元。
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日本東芝正式退市 140多年的歷史巨頭 這家140多年的歷史巨頭日本東芝公司將于12月20日正式從東京證券交易所退市。 東芝自1875年創(chuàng)立;真正的百年企業(yè),在1949年上市,至今已有74年上市歷史
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自動關(guān)閉電源電路原理圖
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2023-12-19 18:24:45
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基于RT-Thread快速上手SD NAND 虛擬文件系統(tǒng)
默認(rèn)開啟FatFS.
支持多種類型的存儲設(shè)備,如 SD Card、SPI Flash、Nand Flash 等。
在 RT-Thread 中,我們要訪問存儲設(shè)備中的文件,必須將文件所在的分區(qū)
2023-12-15 17:29:43
群創(chuàng)關(guān)閉上海和南京模組廠并轉(zhuǎn)戰(zhàn)印度,面臨大裁員壓力
此前,群創(chuàng)的面板后段模組工廠遍布全國各地,如寧波、佛山、上海、南京等地。然而近年來,尤其今年以來,群創(chuàng)的后段面板模組產(chǎn)能利用率一直偏低。近期更是有消息傳出,該公司計劃逐步關(guān)閉上述兩座城市的模組工廠,而這兩座工廠的選址將考慮出售
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東芝和羅姆共同開發(fā)電力芯片,得到日本政府補貼支持
日本東芝公司和羅姆公司將展開合作,共同開發(fā)電力半導(dǎo)體,以此加強其在電動車高需求元件領(lǐng)域的地位。日本的工業(yè)和貿(mào)易部將對這兩家公司計劃投入的3800億日元(約合83億美元)的項目提供高達1200億日元的補貼。羅姆和東芝將在正在石川和宮崎兩縣建設(shè)的各自的工廠進行生產(chǎn)。
2023-12-09 11:30:00
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東芝和羅姆將合作生產(chǎn)功率半導(dǎo)體 日本政府補貼8.3億美元
東芝正在石川縣能美市建設(shè)新工廠,羅馬正在宮崎縣宮崎市建設(shè)新工廠,兩個工廠將分別進行生產(chǎn)。另外,羅姆將于明年在宮崎縣國富町開業(yè),東芝將在石川縣野見市建設(shè)的新工廠中共享半導(dǎo)體生產(chǎn)。兩家公司目前在海外采購的半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)也將從日本開始。
2023-12-08 13:56:45
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dram和nand的區(qū)別
dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲器。DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一種隨機存取存儲器,而NAND(Not AND)是一種邏輯
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ESP32應(yīng)用教程— SD NAND(記錄飛控LOG)
NAND 中成功建立 LOG 目錄。
LOG分析
飛機通電,翻滾機身,記錄飛機的姿態(tài)角。
下載日志,加載到 Mission Planner 軟件。選中 ATT 字段中的 Roll 和 Pitch??梢?/div>
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【MCU】SD NAND芯片之國產(chǎn)新選擇
添加、修改驅(qū)動的問題,費時費力。
筆者所在項目需要再NAND FLASH中存儲圖片 語音數(shù)據(jù),經(jīng)常因為壞塊問題需要去工廠解決問題,編寫壞塊管理,甚至手動編寫平均讀寫算法……非常的麻煩。之前沒有了解到國產(chǎn)有
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為什么嵌入式?jīng)]有35歲危機?
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2023-11-17 10:33:39
CS創(chuàng)世SD NAND的存儲芯片應(yīng)用方案
NAND FLASH,嵌入式sd卡,工業(yè)級sd卡,單片機 nand flash,貼片式TF卡
2023-11-15 18:09:47
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CS創(chuàng)世SD NAND的存儲芯片應(yīng)用方案
板焊接圖)
博主日前在設(shè)計基于H616與NB-IOT的嵌入式智能儲物柜的時候考慮過存儲方面的問題,當(dāng)時在SD NAND和EMMC與TF卡中徘徊,以下是幾個存儲類型的對比。
經(jīng)過多方對比,本著
2023-11-15 18:07:57
中小企業(yè)在數(shù)字化時代求生存的方法
彩虹PDM系統(tǒng)還可以提供豐富的數(shù)據(jù)分析功能,幫助企業(yè)深入了解產(chǎn)品數(shù)據(jù)、市場需求和競爭情況等?;谶@些數(shù)據(jù),企業(yè)可以做出更準(zhǔn)確的決策,優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計和生產(chǎn)流程,提高企業(yè)的競爭力和市場占有率...
2023-11-10 17:40:22
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以綠色數(shù)字科技點亮嶄新未來 東芝六赴進博之約
點擊 “東芝半導(dǎo)體”,馬上加入我們哦! 以下文章來源于東芝中國 ? ,作者ToshibaChina 以綠色數(shù)字科技 點亮嶄新未來 CIIE 2023 東芝六赴進博之約 六赴進博 新變化 2023
2023-11-06 12:20:02
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三星西安廠計劃將NAND工藝升級為236層 明年初更換設(shè)備
據(jù)業(yè)界2日透露,三星電子計劃對中國西安nand閃存工廠進行改造,將目前正在生產(chǎn)的128段(v6) nand閃存生產(chǎn)線擴大到236段(v8)。三星決定從明年初開始更換設(shè)備,并向業(yè)界通報了到2025年分階段完成的目標(biāo)。
2023-11-03 11:48:03
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開發(fā)板上的SDRAM和NAND FLASH用途是什么?
看到很多STM32開發(fā)板,無論是野火還是原子,或者其他的板子,都會在開發(fā)板上加各種存儲,SDRAM,NAND FLASH,SPI FLASH。
開發(fā)板可能是為了讓掌握這幾種存儲的使用;但是實際工作中
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如果單片機不帶硬件操作nand flash的話,用軟件可以實現(xiàn)nand flash操作嗎?
如果單片機不帶硬件操作nand flash的話,用軟件可以實現(xiàn)nand flash操作嗎?不要求速度,只要讀寫文件就可以了,請問怎么用單片機io模擬操作芯片
2023-10-23 06:30:34
消息稱三星西安半導(dǎo)體工廠開啟工藝升級,正采購新設(shè)備備產(chǎn) 236 層 NAND
采取相應(yīng)措施。據(jù) Business Korea 報道,三星電子高層已決定將其西安 NAND 閃存工廠升級到 236 層 NAND 工藝,并已開始大規(guī)模擴張。 消息人士稱,三星已開始采購最新的半導(dǎo)體設(shè)備,新設(shè)備預(yù)計將在 2023 年底交付,并于 2024 年在西安工廠陸續(xù)引進可生產(chǎn)第
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獲得美國豁免!晶圓大廠將擴建中國工廠!
在NAND閃存市場難以復(fù)蘇的情況下,三星升級西安工廠是保持全球NAND閃存第一的戰(zhàn)略對策;去年下半年開始,IT市場放緩和半導(dǎo)體市場疲軟也導(dǎo)致三星電子NAND業(yè)務(wù)下滑。
2023-10-17 15:29:57
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三星西安工廠將引進236層NAND芯片生產(chǎn)設(shè)備
三星決定升級西安工廠的原因大致有兩個。第一,在nand閃存市場尚未出現(xiàn)恢復(fù)跡象的情況下,在nand閃存市場保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開始的it景氣低迷和半導(dǎo)體景氣低迷的影響,三星nand的銷量增加,從而使虧損擴大。
2023-10-16 14:36:00
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美國同意三星向其中國工廠提供設(shè)備
10月9日,韓國半導(dǎo)體業(yè)傳來好消息,美國將無限期豁免三星電子和SK海力士向其在我國的工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備,而且無需其它許可;美方的這一決定即日起生效。 三星電子在我國西安有生產(chǎn)NAND閃存,SK
2023-10-10 11:59:16
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Redis鍵的生存時間、生存策略和毀滅策略
先來回顧一下Redis鍵的生存時間,過期時間的設(shè)置;然后會講到過期鍵刪除策略;然后會聊其他功能對過期鍵的處理。 2.鍵的生存時間 鍵過期時間設(shè)置通過Expire命令或者Pexpire命令,客戶端可以
2023-10-08 14:55:30
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三星將削減NAND和DRAM平澤P3晶圓廠投資
平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報道,三星原計劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片,但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。
2023-10-08 11:45:57
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NAND FLASH與NOR FLASH的技術(shù)對比
目前,NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術(shù),但是據(jù)我了解,還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00
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CS SD NAND在STM32精英V2開發(fā)板的測試-是時候?qū)F卡換為SD NAND了
前言
嵌入式項目中,比較常見的存儲擴展方案是使用TF/SD卡或者EMMC或者RAW NAND,各種方案都有其優(yōu)缺點,而SD NAND相對于上述方案具備很多優(yōu)勢,是目前嵌入式項目中存儲擴展方案的一個
2023-09-26 17:40:35
NAND Flash 原理深度解析(下)
在上一篇文章中為大家介紹了NAND Flash的工作原理和自身的特性(點擊查看 ),本次文章將繼續(xù)為大家?guī)黻P(guān)于NAND Flash的內(nèi)容。 一、NAND Flash 的容量結(jié)構(gòu) 從訪問NAND
2023-09-22 18:10:02
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東芝褪去光環(huán),走向退市
9月21日的消息中,東芝公司宣布, 由私募股權(quán)基金“日本產(chǎn)業(yè)合作伙伴(JIP)”領(lǐng)導(dǎo)的150億美元要約收購已獲得成功, 超過一半的股東參與此次收購,達到將公司私有化的門檻。這一交易完成后,東芝將不
2023-09-22 17:46:55
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NAND Flash和NOR Flash的差別
NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢?從字面意思上看, NAND = not AND(與非),NOR = not OR(或非),也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發(fā)
2023-09-11 16:59:23
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NAND Flash接口簡單介紹
NAND Flash是一種非易失存儲器,也就是掉電不丟失類型,現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash,比如U盤、固態(tài)硬盤,手機存儲等等,電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2023-09-11 14:48:23
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NAND Flash 原理深度解析(上)
Nand Flash存儲器是Flash存儲器的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了高性價比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲器具有容量較大、改寫速度快等優(yōu)點
2023-09-05 18:10:01
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nuc980買的串口server的,焊接的spi nand,nand是不是會有壞塊問題?
請問,這個nand是不是會有壞塊問題?會不會出現(xiàn)無法啟動到客戶那邊!因為nand除了ecc,還有負載平衡,處理壞塊!文件系統(tǒng)也要求高
另外spi nand能運行non-os嗎?可以直接燒寫程序進去嗎?
2023-09-04 07:11:01
豐田汽車:今日起逐步恢復(fù)14家工廠運營
的宮田工廠(福岡縣的宮若市)和大發(fā)工業(yè)的京都工廠(京都府大山崎町)等共3條生產(chǎn)線因配件庫存不足,一直停產(chǎn)到深夜。
2023-08-30 09:21:57
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如何在外部Winbond W25N02JW SPI NAND Flash中訪問文件
樣本代碼顯示在外部 Winbond W25N02JW SPI NAND Flash 中訪問文件。 文件系統(tǒng)為 FAT32。 用戶可以將數(shù)據(jù)存儲在 SPI NAND Flash 中作為數(shù)據(jù)記錄器
2023-08-29 07:21:07
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53
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三星計劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產(chǎn)
三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,三星的nand閃存產(chǎn)量可能會減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績中,由于市場持續(xù)低迷,三星電子正式公布了存儲器減產(chǎn)計劃。
2023-08-16 10:23:58
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人工智能工程師的危機
人工智能工程師的危機? 作為一名人工智能工程師,我越來越感到危機的存在。在過去幾年中,人工智能變得越來越流行,隨著技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用的廣泛,人工智能在不同的領(lǐng)域產(chǎn)生了廣泛的影響。人們的工作、生活、娛樂
2023-08-15 16:08:08
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人工智能危機有哪些
人工智能危機有哪些? 近年來,隨著人工智能技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用的廣泛,越來越多的人開始關(guān)注人工智能所帶來的危機。人工智能危機主要包括技術(shù)危機、倫理危機和社會經(jīng)濟危機等方面。本文將從這三個方面分別進行探討
2023-08-15 16:07:11
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NAND存儲芯片廠商掀起減產(chǎn)浪潮
由于長期nand型需求沒有得到恢復(fù),鎧俠將在日本巖手縣其他場建設(shè)的生產(chǎn)工廠的啟動時間從當(dāng)初的2023年推遲到了2024年以后。另外,成套設(shè)備的交貨也在推遲。
2023-08-14 10:06:52
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串行Nand Flash的結(jié)構(gòu)和分類
引言:隨著嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展,有許多具有串行外圍接口(SPI)的應(yīng)用需要更高密度的內(nèi)存解決方案來存儲大型程序系統(tǒng)和文件。對于這些應(yīng)用需求,基于Nand結(jié)構(gòu)的存儲解決方案提供了Serial Nand系列。
2023-08-11 15:49:01
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SD NAND FLASH : 什么是pSLC?
一、什么是pSLC
pSLC(Pseudo-Single Level Cell)即偽SLC,是一種將MLC/TLC改為SLC的一種技術(shù),現(xiàn)Nand Flash基本支持此功能,可以通過指令控制MLC
2023-08-11 10:48:34
SK海力士發(fā)布全球首款321層NAND!
SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品,并介紹了開發(fā)進展情況。
2023-08-10 16:01:47
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【貼片SD Card介紹】貼片式tf卡/SD NAND/SD2.0協(xié)議
電子的狀態(tài)下(數(shù)據(jù)”0“),閾值電壓高于讀出電壓Vcg(+),所以電流不流動(如圖a)。在電荷存儲膜中沒有電子的狀態(tài)下(數(shù)據(jù)”1“),閾值電壓低于讀出電壓Vcg(+),因此電流流動。
即使是電源關(guān)閉
2023-07-28 16:23:18
三星:2030年3D NAND將進入1000層以上
三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃,預(yù)計在2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達到280層
2023-07-04 17:03:29
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東芝開始建設(shè)300mm晶圓功率半導(dǎo)體制造工廠
Electronics Corporation)開工新建一家300晶圓功率半導(dǎo)體制造工廠。該功率半導(dǎo)體制造工廠的建造將分兩個階段進行,一期工程計劃于2024財年內(nèi)投產(chǎn)。東芝還將在新工廠附近建造一棟辦公樓,以滿足增員需求。 新工廠將具有抗震結(jié)構(gòu)和業(yè)務(wù)連續(xù)性計劃(BCP)
2023-06-29 17:45:02
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NAND芯片是用于哪些領(lǐng)域 NAND和SSD的區(qū)別
閃存存儲設(shè)備:NAND芯片作為主要的閃存存儲媒介,被廣泛用于固態(tài)硬盤(SSD)、USB閃存驅(qū)動器、內(nèi)存卡(如SD卡、MicroSD卡)和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:49
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美光宣布在印度建造封測工廠,投資總額高達27.5億美元
近日,美光科技公司今天宣布計劃在印度古吉拉特邦建造一座新的組裝和測試工廠,新工廠將實現(xiàn) DRAM 和 NAND 產(chǎn)品的組裝和測試制造。
2023-06-27 17:06:15
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開放NAND閃存接口ONFI介紹
本文轉(zhuǎn)自公眾號,歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個由100多家
2023-06-21 17:36:32
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如何關(guān)閉S32DS工作區(qū)中的項目?
我想知道如何關(guān)閉 S32DS 工作區(qū)中的項目,因為我已經(jīng)關(guān)閉了工作區(qū)中的項目但是當(dāng)我想用 [ctrl+Alt+E] 打開它時顯示消息“一個項目已經(jīng)存在于工作區(qū)”已顯示,但我什么也看不到!
2023-06-05 09:02:30
使用MCUXpresso配置工具在nand-flash中編寫我的引導(dǎo)加載程序報錯問題求解
嗨,我有一個關(guān)于 IVT 的問題,在我的應(yīng)用程序中,我開發(fā)了一個固件引導(dǎo)加載程序,它由 bootrom 從 nand-flash 加載并且始終運行良好。
我使用 MCUXpresso 配置工具在
2023-05-24 13:56:04
深度剖析NAND門
NAND門是一個邏輯門,如果其所有輸入均為真,則產(chǎn)生低輸出(0),否則產(chǎn)生高輸出(1)。因此,NAND門是AND門的反面,其電路是通過將AND門連接到NOT門來創(chuàng)建的。NAND門與 AND 門一樣,可以有任意數(shù)量的輸入探頭,但只能有一個輸出探頭。
2023-05-23 15:42:40
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單板硬件設(shè)計:存儲器( NAND FLASH)
,按頁來讀,norflash沒有頁),NAND FLASH的主要供應(yīng)商是SAMSUNG和東芝。
由于nandflash引腳上復(fù)用,因此讀取速度比nor flash慢一點,但是擦除和寫入速度比nor
2023-05-19 15:59:37
突發(fā)!SK海力士或出售大連工廠
4月26日新聞,DigiTimes援引韓國媒體報道稱,SK海力士正在推遲其位于中國大連的第二個3D NAND工廠的完工。據(jù)悉,這一決議是為了應(yīng)對市場需求萎縮以及美國限制向中國出口先進晶圓廠工具
2023-05-05 15:22:00
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imx28無法從NAND啟動并進入USB恢復(fù)模式怎么解決?
- 我的任務(wù)是找出根本原因并解決基于 imx28 的定制設(shè)計板中的問題。
- imx28 無法從 NAND 啟動并進入 USB 恢復(fù)模式。
- 將 NAND 閃存更改為不同的 NAND 閃存后
2023-04-27 06:50:47
如何啟動IMX6ULL NAND閃存?
)但是,目前的情況是u-boot-2020.04。uboot和linux都使用5.10版本。NXP的內(nèi)容中沒有詳細說明NAND引導(dǎo)引起的修改,所以我就按照我公司的內(nèi)容修改
2023-04-20 07:55:17
【正點原子STM32精英V2開發(fā)板體驗】CS SD NAND在本開發(fā)板上的測試-是時候?qū)F卡換為SD NAND了!
前言嵌入式項目中,比較常見的存儲擴展方案是使用TF/SD卡或者EMMC或者RAW NAND,各種方案都有其優(yōu)缺點,而SD NAND相對于上述方案具備很多優(yōu)勢,是目前嵌入式項目中存儲擴展方案的一個非常
2023-04-18 23:03:42
在Android中實現(xiàn)屏幕關(guān)閉超時的正確方法是什么?
SCREEN_OFF_TIMEOUT,則什么也沒有發(fā)生。但是如果我改變 10000,10 秒后屏幕變黑。這是正確的方法嗎?但是然后雙擊屏幕不會在雙擊時啟用。 請讓我知道在 Android 中實現(xiàn)屏幕關(guān)閉超時的正確方法。
2023-04-14 07:15:01
如何使用支持OTA的工廠編程引導(dǎo)加載程序?qū)δK進行編程?
我在 kicad 中設(shè)計了一塊帶有 esp32-mini 模塊的電路板,但足跡有錯誤的引腳映射到 RXD0 和 TXD0?,F(xiàn)在的問題是,我生產(chǎn)了 50 塊無法編程的 PCB,而且我負擔(dān)不起報廢這些
2023-04-12 08:34:12
IMX6UL u-boot讀取nand數(shù)據(jù)錯誤怎么解決?
中央處理器:imx6ul我正在嘗試從nand flash中讀取數(shù)據(jù),發(fā)現(xiàn)有些數(shù)據(jù)總是固定為0xFn或0xnF,如下所示:數(shù)據(jù)的錯誤規(guī)則是每兩次讀取。第二次讀取數(shù)據(jù)中2018字節(jié)的高quad位固定
2023-04-06 06:15:15
淺談當(dāng)前存儲企業(yè)的生存及發(fā)展之道
從NAND Flash存儲來看,全球市場也高度集中。據(jù)CFM閃存市場的數(shù)據(jù),2022年全球NAND Flash市場規(guī)模為601.26億美元,由三星電子、鎧俠、SK海力士、西部數(shù)據(jù)、美光科技五家公司主導(dǎo),市占率分別為33.8%、18.7%、16.7%、15.8%、10.5%。
2023-03-31 13:57:24
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NAND Flash的最大尺寸是多少?
大家好, 我們計劃在MIMXRT1062DVL6B部分的SEMC接口上使用NAND Flash。我們可以用于 NAND Flash的最大尺寸是多少? 根據(jù)手冊,它表示支持每個區(qū)域 512Mbit
2023-03-31 07:47:22
什么是3D NAND閃存?
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:39
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XIP是否通過QSPI支持NAND閃存?
大家好, 我正在研究 IMXRT1176,我對內(nèi)存使用有一些疑問: XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存?如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動,則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
2023年工業(yè)機器人減速器調(diào)研報告
回顧過去幾年,減速器廠商經(jīng)歷了2017年“供不應(yīng)求”的黃金時代,2018年“供過于求”的白銀時代,2019年“求生存”的青銅時代,2020年雖然受到疫情的影響,開局受到消極情緒的主導(dǎo),但自二季度開始受益于機器人市場的回暖
2023-03-27 13:57:54
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