NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。

NOR Flash是Intel于1988年首先開發(fā)出來的存儲技術(shù)，改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。

NAND Flash是東芝公司于1989年發(fā)布的存儲結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。

圖: NAND=NOT AND(與非門), NOR=NOT OR(或非門)

相同點

兩者都是非易失性存儲器，可以在斷電后保持存儲的數(shù)據(jù)。

兩者都可以進行擦寫和再編程。

兩者在寫之前都要先擦除，擦除是將所有位變?yōu)?，而寫操作只能使1變成0

不同點

NOR Flash和NAND Flash各有其優(yōu)勢和應用場景，設(shè)計者可以根據(jù)產(chǎn)品需求來進行選擇，兩者的主要不同點如下：

接口

NOR Flash帶有通用的SRAM接口，可以輕松地掛接在CPU的地址、數(shù)據(jù)總線上，對CPU的接口要求低。

NAND Flash使用復雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù)。

容量和成本

NOR Flash的容量較小，價格較高。

NAND Flash的生產(chǎn)過程更簡單，容量更大，價格更低。

可靠性

NAND Flash中的壞塊是隨機分布的，需要對介質(zhì)進行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊，并將壞塊標記為不可用。

Nor Flash上基本不存在壞塊問題。

壽命

NAND Flash中每個塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬次。

Nor Flash的擦寫次數(shù)是十萬次。

讀寫擦除性能

NOR Flash的讀速度比NAND Flash快。

NAND Flash的寫入和擦除速度比NOR Flash快很多。

總的來說，NOR 的優(yōu)勢在于隨機讀取與擦寫壽命，因此適合用來存儲代碼和關(guān)鍵數(shù)據(jù)；NAND 的優(yōu)勢在于單位比特成本，花同樣的錢可以獲得更大的容量。

審核編輯：湯梓紅