動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-12-30 15:29

  氬離子拋光技術(shù)解析及其核心應(yīng)用功能

  

  氬離子拋光技術(shù)是一種精密的表面處理工藝，它通過氬離子束的物理作用，對樣品表面進行細致的平滑和拋光。這種技術(shù)在提升樣品表面質(zhì)量方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，特別是在需要使用掃描電子顯微鏡（SEM）等高分辨率顯微鏡進行微觀結(jié)構(gòu)分析時。通過精確調(diào)節(jié)離子束的深度、強度和角度，該技術(shù)能夠去除樣品表面的損傷層，展現(xiàn)材料的內(nèi)在結(jié)構(gòu)，為科研人員提供了一種強大的實驗工具。操作機制氬離子

  SEM 電子顯微鏡 表面處理

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• 發(fā)布了文章 2024-12-30 15:28

  一文讀懂雙85測試時間以及等效實際壽命

  

  雙85測試在與世界標準接軌的今天，幾乎所有工業(yè)產(chǎn)品都需要經(jīng)歷可靠性模擬環(huán)境試驗，以驗證產(chǎn)品在各種條件下的正常運行。在這些試驗中，恒溫恒濕試驗（如高低溫試驗、高低溫濕熱試驗）和冷熱沖擊試驗扮演著至關(guān)重要的角色。特別是在恒溫恒濕試驗中，以85℃溫度和85%濕度的條件（俗稱雙85試驗）是應(yīng)用最廣泛的試驗條件之一。恒溫恒濕試驗箱為什么是85℃，不是95℃，不是60℃

  led 沖擊試驗 測試

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• 發(fā)布了文章 2024-12-30 15:26

  高速光耦與普通光耦的不同點以及特性

  

  光耦合器在開關(guān)電源中的重要性光耦合器，作為一種電子元件，其在開關(guān)電源設(shè)計中扮演著至關(guān)重要的角色，主要負責實現(xiàn)電路間的電氣隔離，以確保電路的穩(wěn)定性和安全性。光耦合器的分類1.非線性光耦非線性光耦，例如4N系列，其電流傳輸特性曲線呈現(xiàn)出明顯的非線性，這使得它們在傳輸開關(guān)信號時表現(xiàn)出色，但在模擬信號傳輸方面則不太適用。2.線性光耦相對地，線性光耦，如PC817A系

  光耦 光耦合器 開關(guān)電源 高速光耦

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• 發(fā)布了文章 2024-12-27 14:04

  VSCEL激光器在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用及其AEC-Q102認證的重要性

  

  VSCEL技術(shù)簡述垂直腔面發(fā)射激光器（VSCEL），這類型的半導(dǎo)體激光器件因其垂直出射激光的特性和高效率而被廣泛認可。VSCEL的操作涉及電流的注入，這導(dǎo)致電子和空穴在激光器的激活區(qū)域重合，從而產(chǎn)生光子。在激光器內(nèi)部，這些光子經(jīng)過多次反射和放大，最終通過DBR（分布式布拉格反射鏡）發(fā)射出高度相干的激光束。VSCEL的核心優(yōu)勢VSCEL憑借其高效率、體積小巧、

  AEC 激光器 認證

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• 發(fā)布了文章 2024-12-27 14:00

  可靠性測試：HAST與PCT的區(qū)別

  

  HAST測試的核心宗旨HAST測試的核心宗旨宗旨：HAST測試的主要宗旨是通過模擬極端環(huán)境條件，加速半導(dǎo)體元器件的失效過程，以此來驗證元器件在高溫、高濕、高壓條件下的可靠性。這種測試方法能夠有效縮短測試周期，快速揭示產(chǎn)品潛在的缺陷，例如材料分層、開裂、短路等問題。失效原因：HAST測試中的失效原因主要包括濕氣滲透導(dǎo)致的材料分解、結(jié)合力減弱、腐蝕等現(xiàn)象。具體表

  PCT 可靠性測試

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• 發(fā)布了文章 2024-12-27 13:24

  RoHS指令實施狀況對比

  

  在全球范圍內(nèi)，隨著數(shù)字化和電子設(shè)備的迅速普及，RoHS（限制使用某些有害物質(zhì)）倡議已成為確保電子電氣產(chǎn)品環(huán)保合規(guī)性的重要標準。這一倡議不僅在歐盟得到實施，而且在全球多個國家和地區(qū)得到了響應(yīng)和采納。美國加州RoHS合規(guī)性美國加州RoHS法案（SB20/SB50）自2007年1月1日起生效，其限制物質(zhì)范圍較歐盟RoHS窄，主要限制鉛、汞、鎘和六價鉻。值得注意的是

  RoHS 電子設(shè)備

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• 發(fā)布了文章 2024-12-27 13:23

  電子背散射衍射：科學(xué)原理與技術(shù)進展

  

  樣品制備的關(guān)鍵要素電子背散射衍射技術(shù)（EBSD）是一種用于分析材料微觀結(jié)構(gòu)的強大工具，而樣品的制備質(zhì)量直接影響分析結(jié)果的準確性。以下是制備樣品時需滿足的關(guān)鍵要素：表面完整性：樣品表面應(yīng)保持平整，避免在制備過程中造成損傷。晶界保護：在制備過程中，應(yīng)盡量減少對晶粒間晶界的破壞。應(yīng)力層控制：樣品表面應(yīng)無應(yīng)力層，以確保衍射數(shù)據(jù)的準確性。樣品制備的工藝流程1.機械拋光

  數(shù)據(jù)采集 機械 材料

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• 發(fā)布了文章 2024-12-26 14:50

  IGBT驅(qū)動光耦：功率轉(zhuǎn)換的控制樞紐

  

  IGBT在電力電子中的關(guān)鍵作用在當今的電力電子技術(shù)中，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）已成為不可或缺的核心組件。這種器件以其出色的性能，在變頻器、電動汽車、可再生能源系統(tǒng)等高功率應(yīng)用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。IGBT融合了MOSFET的高輸入阻抗特性和BJT的高電流承載能力，使其在功率控制領(lǐng)域脫穎而出。IGBT驅(qū)動光耦是一種基于光信號實現(xiàn)輸入與輸出電氣隔離的半導(dǎo)體器件。

  IGBT 光耦 功率轉(zhuǎn)換 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2024-12-26 14:49

  FIB技術(shù)在芯片失效分析中的應(yīng)用

  

  半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)革新與挑戰(zhàn)在半導(dǎo)體行業(yè)，技術(shù)的快速進步帶來了集成電路尺寸的縮小和功能的增強。但同時，這也帶來了新的挑戰(zhàn)，尤其是在故障定位和分析領(lǐng)域。為了應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，科研人員開發(fā)了一系列尖端分析技術(shù)，其中聚焦離子束（FIB）技術(shù)在故障分析中扮演了關(guān)鍵角色。FIB技術(shù)的工作原理與優(yōu)勢聚焦離子束技術(shù)采用液態(tài)金屬鎵作為離子源，通過施加負電壓場將鎵離子束引出，實現(xiàn)對

  fib 失效分析 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-12-26 14:47

  跌落測試指南：設(shè)定條件與遵循標準

  

  跌落測試概述跌落測試是模擬產(chǎn)品在意外跌落事件中的表現(xiàn)，以此來評估產(chǎn)品在受到?jīng)_擊時的性能和穩(wěn)定性。這種測試對于指導(dǎo)產(chǎn)品的設(shè)計、生產(chǎn)過程和質(zhì)量控制具有決定性的作用。通過重現(xiàn)產(chǎn)品在實際應(yīng)用中可能遇到的各種機械應(yīng)力，跌落測試能夠檢驗產(chǎn)品對外部環(huán)境變化的適應(yīng)性。對于制造商而言，這項測試是評估產(chǎn)品耐用性和在多變環(huán)境下保持安全、可靠性能的關(guān)鍵工具。通過發(fā)現(xiàn)并改進產(chǎn)品設(shè)計中

  測試 跌落試驗

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