99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

龍騰半導體車規(guī)級超結MOSFET LSB60R041GFA概述

龍騰半導體 ? 來源:龍騰半導體 ? 2025-06-17 11:20 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

專注創(chuàng)新 不止于新

車規(guī)級超結

MOSFET LSB60R041GFA

PART 01

產品概述

本款產品采用新一代超結技術,專為汽車電子和高功率場景打造。在質量與可靠性方面,產品嚴格遵循 AEC - Q101 車規(guī)級可靠性認證標準以及 IATF 16949 汽車質量管理體系認證要求。憑借低導通電阻與高功率密度設計,確保在極端工況下穩(wěn)定運行,為高效電機系統(tǒng)提供核心動力支持。

43234cb8-4832-11f0-b715-92fbcf53809c.png

封裝形式

產品可靠性測試報告

PART 02

核心特性

導通損耗低

低阻值設計,減少發(fā)熱并提升能效;

開關損耗低

低柵極電荷,顯著降低驅動損耗;

功率密度高

卓越的熱設計,適用于緊湊型高效能系統(tǒng)。

PART 03

Test Circuit & Waveforms

435ca666-4832-11f0-b715-92fbcf53809c.jpg

Gate Charge Test Circuit & Waveform

436e5faa-4832-11f0-b715-92fbcf53809c.jpg

Resistive Switching Test Circuit & Waveform

437cfd94-4832-11f0-b715-92fbcf53809c.jpg

Unclamped Inductive Switching (UlS)

Test Circuit & Waveform

43875e9c-4832-11f0-b715-92fbcf53809c.jpg

Diode Recovery Test Circuit & Waveform

PART 04

產品優(yōu)勢

車規(guī)品質

雙重認證確保產品符合汽車行業(yè)嚴苛標準,可靠性與安全性行業(yè)先進;

高效節(jié)能

通過降低RDS(on)與Qg,系統(tǒng)能耗顯著降低的同時提升了運行性能;

高可靠性

嚴苛測試保障惡劣環(huán)境下的長期穩(wěn)定性。

PART 05

典型應用

汽車領域

48V/12V DC/DC轉換器、車載充電機(OBC)、電池管理系統(tǒng)(BMS);

工業(yè)場景

工業(yè)開關電源、電機驅動、不間斷電源(UPS);

新能源

光伏逆變器、儲能系統(tǒng)解決方案。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關注

    關注

    150

    文章

    8620

    瀏覽量

    220574
  • 汽車電子
    +關注

    關注

    3037

    文章

    8349

    瀏覽量

    170190
  • 封裝
    +關注

    關注

    128

    文章

    8685

    瀏覽量

    145544

原文標題:車規(guī)級超結MOSFET LSB60R041GFA :以極致能效驅動高功率應用新高度

文章出處:【微信號:xa_lonten,微信公眾號:龍騰半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    規(guī)和消費有什么區(qū)別?為什么自動駕駛需要規(guī)?

    [首發(fā)于智駕最前沿微信公眾號]某企高管專門討論某使用消費芯片的事情,再次引發(fā)了關于規(guī)
    的頭像 發(fā)表于 07-15 08:55 ?193次閱讀
    <b class='flag-5'>車</b><b class='flag-5'>規(guī)</b><b class='flag-5'>級</b>和消費<b class='flag-5'>級</b>有什么區(qū)別?為什么自動駕駛需要<b class='flag-5'>車</b><b class='flag-5'>規(guī)</b><b class='flag-5'>級</b>?

    現(xiàn)代集成電路半導體器件

    目錄 第1章?半導體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運動與復合 第3章?器件制造技術 第4章?PN和金屬半導體 第5章?MOS電容 第6章?M
    發(fā)表于 07-12 16:18

    瑞能半導體第三代MOSFET技術解析(2)

    瑞能G3 MOSFET Analyzation 瑞能MOSFET “表現(xiàn)力”十足 可靠性
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:59 ?165次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導體</b>第三代<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>技術解析(2)

    瑞能半導體第三代MOSFET技術解析(1)

    隨著AI技術井噴式快速發(fā)展,進一步推動算力需求,服務器電源效率需達97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞能半導體先發(fā)制人,推出的第三代MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?230次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導體</b>第三代<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>技術解析(1)

    美信檢測榮獲規(guī)功率半導體技術服務杰出供應商

    近日,以 “啟芯時代,引領芯未來” 為主題的 2025 全球規(guī)功率半導體峰會(GAPS)在杭州隆重開幕。深圳市美信檢測技術股份有限公司
    的頭像 發(fā)表于 05-20 15:13 ?434次閱讀

    半導體榮膺陜西省半導體協(xié)會20周年突出貢獻單位

    此前,4月27日至28日,2025西部半導體產業(yè)創(chuàng)新發(fā)展論壇暨陜西省半導體行業(yè)協(xié)會成立20周年大會在西安盛大召開,半導體受邀參會。
    的頭像 發(fā)表于 05-07 11:49 ?597次閱讀

    新潔能Gen.4MOSFET 800V和900V產品介紹

    MOS采用垂直結構設計,在漂移區(qū)內交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū),形成“超級”單元,通過電荷補償技術突破傳統(tǒng)功率半導體“硅極限”的高壓器件,其核心設計通過優(yōu)化電場分布實現(xiàn)低導通
    的頭像 發(fā)表于 05-06 15:05 ?522次閱讀
    新潔能Gen.4<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結</b><b class='flag-5'>MOSFET</b> 800V和900V產品介紹

    國產新突破!江波龍車規(guī) LPDDR4x與規(guī)eMMC重磅發(fā)布,定義存儲新標桿

    4月23日,在上海車展上,江波召開了新品發(fā)布會,亮相了多款創(chuàng)新的規(guī)存儲產品,包括規(guī)eMM
    的頭像 發(fā)表于 04-24 07:06 ?1434次閱讀
    國產新突破!江波龍車<b class='flag-5'>規(guī)</b><b class='flag-5'>級</b> LPDDR4x與<b class='flag-5'>車</b><b class='flag-5'>規(guī)</b><b class='flag-5'>級</b>eMMC重磅發(fā)布,定義存儲新標桿

    會展動態(tài)|TMC2025規(guī)功率半導體論壇「初步日程+展覽」首發(fā)

    將聚焦規(guī)功率半導體前沿技術,匯聚全球頂尖企業(yè)與行業(yè)領袖。兩天議程覆蓋四大核心板塊: >第三、四代規(guī)
    發(fā)表于 04-17 13:50 ?591次閱讀
    會展動態(tài)|TMC2025<b class='flag-5'>車</b><b class='flag-5'>規(guī)</b><b class='flag-5'>級</b>功率<b class='flag-5'>半導體</b>論壇「初步日程+展覽」首發(fā)

    從陳星弼院士無奈賣出超MOSFET專利到碳化硅功率半導體中國崛起

    中國功率半導體行業(yè)的發(fā)展歷程是一部從技術引進到自主創(chuàng)新、從受制于人到逐步突破的篳路藍縷奮斗史。從陳星弼院士的MOSFET專利到全國產碳化硅(SiC)技術的崛起,這一歷程體現(xiàn)了中國在
    的頭像 發(fā)表于 03-27 07:57 ?337次閱讀

    SGS規(guī)半導體設計培訓深圳站成功舉行

    近日,國際公認的測試、檢驗和認證機構SGS主辦的規(guī)半導體設計培訓在深圳成功舉行。此次培訓聚焦于規(guī)
    的頭像 發(fā)表于 03-03 16:57 ?647次閱讀

    MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析

    隨著BASiC基本半導體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口MOSFET,不少客戶已經開始動手用國產SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 03-01 08:53 ?525次閱讀
    <b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>升級至650V碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>的根本驅動力分析

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基
    發(fā)表于 01-22 10:43

    評估功率 MOSFET 的性能和效率

    半導體材料層來構成 PN ,從而實現(xiàn)了比傳統(tǒng)平面 MOSFET 更低的導通電阻 (R DS(ON) ) 和柵
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:51 ?1112次閱讀
    評估<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結</b>功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的性能和效率

    基本半導體碳化硅MOSFET通過AEC-Q101規(guī)認證

    近日,基本半導體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101規(guī)可靠性認證,產品性能和可靠性滿足汽車電子元器件在極端環(huán)境下的嚴苛要求
    的頭像 發(fā)表于 09-13 10:20 ?1118次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>通過AEC-Q101<b class='flag-5'>車</b><b class='flag-5'>規(guī)</b><b class='flag-5'>級</b>認證