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LM74670-Q1 具有 70uA 柵極驅(qū)動(dòng)的 0.48V 至 42V、零 IQ 汽車類理想二極管整流器控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-05-10 14:07 ? 次閱讀
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LM74670-Q1 是一款控制器器件,可與交流發(fā)電機(jī)全橋或半橋整流器架構(gòu)中的 N 溝道 MOSFET 一起使用。它旨在驅(qū)動(dòng)外部 MOSFET 以模擬理想二極管。該方案的一個(gè)獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)是它沒有接地參考,因此它的 I 為零 Q .全橋或半橋整流器和交流發(fā)電機(jī)中的肖特基二極管可以用 LM74670-Q1 解決方案代替,以避免正向?qū)ǘO管損耗并生產(chǎn)更高效的 AC-DC 轉(zhuǎn)換器。
*附件:lm74670-q1.pdf

LM74670-Q1 控制器為外部 N 溝道 MOSFET 提供柵極驅(qū)動(dòng),并提供快速響應(yīng)內(nèi)部比較器,以便在極性相反的情況下下拉 MOSFET 柵極。該設(shè)備可支持高達(dá) 300Hz 的交流信號(hào)頻率。

特性

  • 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),結(jié)果如下:
    • 器件溫度等級(jí) 1:-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 超過 HBM ESD 分類 2 級(jí)
    • 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C4B
  • 峰值輸入交流電壓:42 V
  • 零 IQ
  • 用于外部 N 溝道 MOSFET 的電荷泵柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 與肖特基二極管相比,低正向壓降和更低的功率耗散
  • 能夠處理頻率高達(dá) 300 Hz 的交流信號(hào)

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

1. 產(chǎn)品概述

  • ?產(chǎn)品名稱?:LM74670-Q1
  • ?類型?:智能二極管整流器控制器
  • ?特點(diǎn)?:AEC-Q100認(rèn)證,零靜態(tài)電流(Iq),適用于AC整流器、交流發(fā)電機(jī)、電動(dòng)工具及反向極性保護(hù)等應(yīng)用

2. 主要特性

  • ?零Iq設(shè)計(jì)?:非接地參考設(shè)計(jì),無靜態(tài)電流損耗
  • ?電荷泵門驅(qū)動(dòng)?:為外部N溝道MOSFET提供門驅(qū)動(dòng)
  • ?低正向電壓降?:相比肖特基二極管,減少功率損耗
  • ?反向極性保護(hù)?:內(nèi)置快速響應(yīng)比較器,在反向極性時(shí)拉低MOSFET門
  • ?高頻支持?:可處理高達(dá)300Hz的AC信號(hào)

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

  • AC整流器
  • 交流發(fā)電機(jī)
  • 電動(dòng)工具
  • 反向極性保護(hù)

4. 關(guān)鍵規(guī)格

  • ?峰值輸入AC電壓?:42V
  • ?環(huán)境溫度范圍?:-40°C至+125°C
  • ?人體模型(HBM)ESD分類?:2級(jí)
  • ?充電泵電容器驅(qū)動(dòng)閾值?:VcapH 6.3V,VcapL 5.15V
  • ?反向恢復(fù)時(shí)間?:典型值2.2μs
  • ?占空比?:典型值98%(25°C時(shí))

5. 功能描述

  • ?啟動(dòng)過程?:通過MOSFET體二極管充電電荷泵電容器,當(dāng)電壓達(dá)到閾值時(shí),MOSFET導(dǎo)通。
  • ?工作模式?:
    • ?體二極管導(dǎo)電模式?:MOSFET關(guān)斷,電流通過體二極管,僅占2%的占空比。
    • ?MOSFET導(dǎo)電模式?:MOSFET導(dǎo)通,提供低阻通路,減少功率損耗。
  • ?反向極性保護(hù)?:檢測(cè)到反向電壓時(shí),快速拉低MOSFET門,防止反向電流。

6. 封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:8引腳VSSOP
  • ?尺寸?:3.00mm × 5.00mm

7. 典型應(yīng)用電路

  • 提供了全橋整流器應(yīng)用電路示例,詳細(xì)說明了如何選擇合適的MOSFET和電容器。

8. 設(shè)計(jì)考慮

  • ?MOSFET選擇?:需考慮最大連續(xù)漏極電流、漏源擊穿電壓、柵源閾值電壓及導(dǎo)通電阻。
  • ?電容器選擇?:推薦使用220nF至2.2μF的陶瓷電容器,X7R/COG特性,電壓等級(jí)不低于16V。

9. 布局指南

  • ?電源去耦?:建議在VIN端使用低ESR陶瓷旁路電容器。
  • ?高電流路徑?:MOSFET的源極和漏極需使用粗線連接。
  • ?電荷泵電容器布局?:遠(yuǎn)離MOSFET以降低熱效應(yīng)對(duì)電容值的影響。

10. 文檔與支持

  • 提供了詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊(cè),包括引腳配置、功能框圖、電氣特性、應(yīng)用曲線及設(shè)計(jì)指南。
  • TI社區(qū)資源鏈接,方便工程師獲取進(jìn)一步的技術(shù)支持和設(shè)計(jì)幫助。

LM74670-Q1是一款專為提高AC-DC轉(zhuǎn)換效率而設(shè)計(jì)的智能二極管整流器控制器,通過替換傳統(tǒng)肖特基二極管并結(jié)合外部N溝道MOSFET,實(shí)現(xiàn)了更低的功率損耗和更高的系統(tǒng)效率。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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