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LM74722-Q1 具有 200kHz 有源整流和負(fù)載突降保護(hù)的汽車級低 IQ 理想二極管控制器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-08 10:05 ? 次閱讀
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LM74722-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)功能的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源可保護(hù)和控制 12V 和 24V 汽車電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –65 V 的負(fù)電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (GATE) 驅(qū)動第一個 MOSFET,以取代肖特基二極管,以實(shí)現(xiàn)反向輸入保護(hù)和輸出電壓保持。具有快速導(dǎo)通和關(guān)斷比較器的強(qiáng)大升壓穩(wěn)壓器可確保在汽車測試(例如 ISO16750 或 LV124)期間實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健高效的 MOSFET 開關(guān)性能,其中 ECU 會受到輸入短時(shí)中斷和高達(dá) 200kHz 頻率的交流疊加輸入信號的影響。低靜態(tài)電流 35 μA(最大值),支持始終開啟的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在電源路徑中具有第二個 MOSFET,該器件允許使用 EN 引腳進(jìn)行負(fù)載斷開控制。當(dāng) EN 為低時(shí),靜態(tài)電流降至 3.3 μA(最大值)。該器件具有使用 OV 引腳的可調(diào)過壓截止或過壓箝位保護(hù)。
*附件:lm74722-q1.pdf

特性

  • 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),結(jié)果如下
    • 器件溫度等級 1:-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類 2 級
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
  • 3V 至 65V 輸入范圍
  • 低至 –65 V 的反向輸入保護(hù)
  • 低靜態(tài)電流 35 μA(最大值)
  • 3.3μA(最大值)的低關(guān)斷電流(EN = 低)
  • 具有 13mV A 至 C 正向壓降調(diào)節(jié)的理想二極管作
  • 驅(qū)動外部背靠背 N 溝道 MOSFET
  • 集成 30mA 升壓穩(wěn)壓器
  • 高達(dá) 200 kHz 的有源整流
  • 對反向電流阻斷的快速響應(yīng):0.5 μs
  • 快進(jìn) GATE 導(dǎo)通延遲:0.72 μs
  • 可調(diào)過壓保護(hù)
  • 通過合適的 TVS 二極管滿足汽車ISO7637瞬態(tài)要求
  • 采用節(jié)省空間的 12 引腳 WSON 封裝

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

概述

LM74722-Q1 是一款專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的低功耗理想二極管控制器,具有200kHz的主動整流功能和負(fù)載轉(zhuǎn)儲保護(hù)。它驅(qū)動并控制外部背對背N溝道MOSFETs,以模擬理想二極管整流器,并提供電源路徑的通斷控制和過壓保護(hù)。

主要特性

  • ?寬輸入范圍?:支持3V至65V的輸入電壓,適用于12V和24V汽車電池供電的ECU。
  • ?低功耗?:工作模式下最大靜態(tài)電流為35μA,關(guān)斷模式下最大靜態(tài)電流為3.3μA。
  • ?理想二極管操作?:正向電壓降調(diào)節(jié)至13mV,零反向電流。
  • ?主動整流?:高達(dá)200kHz的主動整流功能。
  • ?快速響應(yīng)?:反向電流阻斷響應(yīng)時(shí)間為0.5μs,正向GATE開通延遲為0.72μs。
  • ?過壓保護(hù)?:具有可調(diào)過壓保護(hù)和負(fù)載轉(zhuǎn)儲保護(hù)功能。
  • ?AEC-Q100認(rèn)證?:符合汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn),適用于-40°C至+125°C的工作溫度范圍。

應(yīng)用

  • ?汽車電池保護(hù)?
  • ?ADAS域控制器?
  • ?高端音頻放大器?
  • ?車載娛樂系統(tǒng)?

功能描述

  • ?雙門控輸出?:GATE和PD兩個獨(dú)立的門控輸出,分別用于控制背對背N溝道MOSFETs。
  • ?反向電池保護(hù)?:集成反向輸入保護(hù),可承受低至-65V的負(fù)供電電壓。
  • ?負(fù)載斷開控制?:PD引腳提供50μA驅(qū)動和88mA峰值下拉強(qiáng)度,用于控制負(fù)載斷開開關(guān)。
  • ?過壓保護(hù)?:通過OV引腳實(shí)現(xiàn)可調(diào)過壓閾值,提供過壓切斷或過壓鉗位保護(hù)。
  • ?電池電壓監(jiān)測?:集成電池電壓監(jiān)測功能,可通過VSNS和SW引腳連接電阻分壓器進(jìn)行電池電壓監(jiān)測。

封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:12引腳WSON
  • ?封裝尺寸?:3.00mm × 3.00mm

引腳功能與配置

  • ?GATE?:二極管控制器門極驅(qū)動輸出,連接至外部MOSFET的GATE。
  • ?A?:理想二極管的陽極,連接至外部MOSFET的源極。
  • ?VSNS?:電壓監(jiān)測輸入。
  • ?SW?:電壓監(jiān)測斷開開關(guān)終端,與VSNS內(nèi)部連接。
  • ?OV?:可調(diào)過壓閾值輸入。
  • ?EN?:使能輸入,連接至A或C引腳以實(shí)現(xiàn)常開操作。
  • ?GND?:系統(tǒng)接地。
  • ?PD?:下拉連接,用于外部HSFET的控制。
  • ?LX?:內(nèi)部升壓調(diào)節(jié)器的開關(guān)節(jié)點(diǎn)。
  • ?CAP?:升壓調(diào)節(jié)器輸出,用于驅(qū)動理想二極管階段的門極驅(qū)動器和HSFET的驅(qū)動電源。
  • ?C?:理想二極管的陰極和供電電壓引腳,連接至外部MOSFET的漏極。
  • ?RTN?:暴露的熱墊,保持浮動,不連接至GND平面。

電氣特性

  • ?工作電壓范圍?:3V至65V。
  • ?靜態(tài)電流?:工作模式下最大35μA,關(guān)斷模式下最大3.3μA。
  • ?GATE驅(qū)動電壓?:9.5V至13V。
  • ?升壓調(diào)節(jié)器輸出?:13V至15.5V。
  • ?過壓閾值?:可調(diào),典型值為1.23V。

應(yīng)用與實(shí)施

  • ?典型應(yīng)用電路?:提供了12V反向電池保護(hù)和過壓保護(hù)的典型應(yīng)用電路。
  • ?設(shè)計(jì)考慮?:包括MOSFET選型、電容和電感選擇、過壓保護(hù)和電池監(jiān)測電阻計(jì)算等。
  • ?布局指南?:提供了PCB布局建議,以確保最佳性能和穩(wěn)定性。

文檔支持

  • ?相關(guān)技術(shù)文檔?:包括數(shù)據(jù)手冊、應(yīng)用筆記等。
  • ?支持資源?:提供TI E2E支持論壇鏈接,方便用戶獲取幫助。
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    汽車類低IQ電池反向保護(hù)理想二極管控制器LM74700D-Q1數(shù)據(jù)

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    具有負(fù)載突降保護(hù)功能的LM7480-Q1理想二極管控制器數(shù)據(jù)

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