來源：化合積電

近日，廈門大學(xué)張洪良教授課題組和化合積電在Electron發(fā)表了題為“Recent progress on heteroepitaxial growth of single crystal diamond films”的綜述文章。該文章探討了單晶金剛石薄膜異質(zhì)外延生長的原理、挑戰(zhàn)、結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)及潛在應(yīng)用，并指導(dǎo)了該新興領(lǐng)域的未來研究方向。

文章指出，金剛石是一種具有卓越物理和化學(xué)性質(zhì)的終極半導(dǎo)體材料，擁有超寬帶隙、出色的載流子遷移率、極高的熱導(dǎo)率以及穩(wěn)定性，在包括電力電子、散熱、傳感器和光電器件在內(nèi)的多種應(yīng)用中極具吸引力。然而，生長出大尺寸且高質(zhì)量的單晶金剛石薄膜是一大挑戰(zhàn)。異質(zhì)外延生長是一種有望實現(xiàn)大尺寸（可達(dá)3英寸）且電性能可控的單晶金剛石晶片的有前景的方法。

單晶金剛石從同質(zhì)外延到異質(zhì)外延生長模式的發(fā)展趨勢

最近的研究表明，已成功在各種襯底上，尤其是Ir/藍(lán)寶石襯底上，實現(xiàn)了單晶金剛石薄膜的異質(zhì)外延生長，為金剛石在電子行業(yè)中的潛在應(yīng)用鋪平了道路。異質(zhì)外延金剛石在高效電力電子器件（肖特基勢壘二極管（SBD）、場效應(yīng)晶體管（FET）的應(yīng)用，證明了這項技術(shù)在電子設(shè)備中的可行性。

金剛石基 (A) SBD和 (B) FET的比導(dǎo)通電阻與擊穿電壓

高性能電子設(shè)備的需求持續(xù)增長進(jìn)一步開拓了單晶金剛石薄膜的異質(zhì)外延生長應(yīng)用前景。隨著技術(shù)進(jìn)步和對生長機(jī)制的深入理解，異質(zhì)外延金剛石可能會徹底改變電子行業(yè)，并推動利用金剛石卓越特性的各種應(yīng)用的發(fā)展。

化合積電高質(zhì)量藍(lán)寶石基銥單晶襯底

化合積電目前通過異質(zhì)外延法，在藍(lán)寶石襯底上成功實現(xiàn)高質(zhì)量銥單晶薄膜生長。利用高質(zhì)量銥單晶薄膜，將有效提高單晶金剛石的生長質(zhì)量，對于制備高質(zhì)量大尺寸單晶金剛石半導(dǎo)體材料具有重要意義。長期以來，公司聚焦金剛石功率半導(dǎo)體材料的研究和開發(fā)，與海內(nèi)外諸多著名公司及科研機(jī)構(gòu)常年保持密切技術(shù)交流與合作，為廣大客戶提供專業(yè)領(lǐng)先的金剛石產(chǎn)品和解決方案。

化合積電現(xiàn)對外發(fā)售高品質(zhì)銥單晶薄膜，加速推進(jìn)大尺寸的金剛石半導(dǎo)體材料制備，歡迎進(jìn)行詢價采購。

Product parameter

產(chǎn)品參數(shù)

Detection result

檢測結(jié)果

單晶銥SEM圖（567X)

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審核編輯 黃宇